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一种制备碳纳米空心格子的方法
本发明公开了一种制备碳纳米空心格子的方法，是将醇和草酸亚铁混合， 137 密封在高压釜中，在 550℃条件下反应 5~12 小时，产物经过盐酸洗涤，工业乙 醇洗涤，最后水洗至 pH 值中性，常规抽滤、干燥后即获得碳纳米空心格子。
山东大学
2021-04-13
一种金属镍纳米粉的制备方法
本发明提供了一种金属镍纳米粉的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。该制备方法利用比镍金属性活泼的金属铝粉在常温常压下和无机镍盐混合,将无机镍盐与保护剂一起研磨后静置一定时间,通过金属间置换反应将镍离子置换为金属镍纳米粉体。所用的制备方法为化学还原法,包括还原、洗涤、干燥等步骤。该制备方法具有产物纯净、易分离、不易氧化等特点,利于工业化生产。
安徽工业大学
2021-04-14
一种纳米氧化钙及其制备方法
小试阶段/n本发明涉及一种纳米氧化钙及其制备方法。其技术方案是：先将装有纳米碳酸钙的钢制容器放入真空加热炉内；再将所述真空加热炉抽真空至10pa或10Pa以下；然后将所述抽真空后的真空加热炉加热至300℃~500℃，保温1~1800秒；最后采用淬冷方法或急冷方法对所述钢制容器进行冷却，将纳米氧化钙取出即得。本发明具有工艺简单、制备成本低和生产效率高的特点，所制备的纳米氧化钙显微结构均匀、粒度小和使用范围广。
武汉科技大学
2021-01-12
一种磁纳米温度成像方法及系统
本发明公开一种磁纳米温度成像方法，首先，对磁纳米粒子样品所在区域同时施加恒定直流磁场和交流磁场，采集磁纳米粒子的交流磁化强度信号，检测出各奇次谐波幅值；然后，将恒定直流梯度场替换为含梯度磁场的组合直流磁场，采集磁纳米粒子的交流磁化强度信号，检测出各奇次谐波幅值；计算两次谐波幅值差值；利用朗之万函数的泰勒级数展开建立奇次谐波差值与温度的关系式，求解关系式获得在体温度；最后，改变直流梯度场至下一位置，直到完成整个一
华中科技大学
2021-04-14
一种纳米/微米金膜及其制备方法
本发明公开了一种纳米/微米金膜及其制备方法。所述纳米/微米金膜，包括基质和纳米/微米金层，所述纳米/微米金属层由金属纳米颗粒沉积而成，所述基质表面具有氨基，所述金属纳米颗粒与所述基质表面氨基形成强相互作用。所述制备方法包括以下步骤：(1)将基质表面进行氧等离子处理或紫外光照射；(2)将表面活化的基质，浸入 3-氨丙基三乙氧基硅烷溶液中；(3)取氯金酸和强碱的碳酸氢盐的混合溶液与葡萄糖溶液均匀混合，并涂布于表面氨基化的基质上，避光反应得到所述纳米/微米金属膜。本发明提供纳米/微米金膜，基质种类多，能满
华中科技大学
2021-04-14
新一代纳米抗体从头测序技术
本技术成果是依托北理工空间生命创新团队，围绕抗体药物研发、抗体工程和个体化诊疗等领域中抗体蛋白测序的迫切需求，将高精度生物质谱仪器与计算生物学算法融合开发了无需细胞系或DNA而直接对抗体蛋白进行测序的技术，是具有全链条自主知识产权的新一代抗体测序技术。
北京理工大学
2022-11-14
一种 MTJ 纳米柱阵列的制备方法
本发明公开了一种 MTJ 纳米柱阵列的制备方法，包括 S1 在基 底上表面制备电子束光刻对准所需要的定标符；S2 根据定标符在基底 上表面制备底电极层，底电极层包括多条平行的底电极线；S3 在附着 有底电极层的基底上表面涂覆一层 HSQ，通过电子束曝光对 HSQ 层 进行图形化，在每一条底电极线上形成多个绝缘单元；每一个绝缘单 元的中间具有一个孔；S4 依次通过光刻、溅射和剥离工艺在绝缘单元 的孔内形成磁性多层膜层；
华中科技大学
2021-04-14
一种纳米铜磷化物的制备方法
本发明公开了一种纳米铜磷化物的制备方法，包括 S1 将纯度大 于 98％的红磷与经表面处理的铜网密封在充满惰性气体的容器中；S2 对所述步骤 S1 的容器进行烧结，所述烧结温度为 250℃～450℃，烧 结时间为 1h～10h，即可获的纳米尺寸的铜磷化物。红磷质量比铜网 质量为 0.1～0.5 时，可获得 Cu3P。红磷质量比铜网质量为 0.51～1.5， 可获得 CuP2。本发明方法过程简单、原料价格低廉易得，对设备要求
华中科技大学
2021-04-14
一种谷胱甘肽纳米缓释胶囊的制备方法
本发明公开了一种谷胱甘肽纳米缓释胶囊的制备方法。采用生物酶法制备纳米淀粉颗粒，制备的纳米淀粉产率高，成本低，方法更加安全环保，用其作为谷胱甘肽的包埋材料，制备谷胱甘肽纳米缓释胶囊。测定纳米缓释胶囊的粒径大小、包埋率、吸热特性、结晶度以及消化性等特性，发现纳米淀粉包埋谷胱甘肽之后在胃内的消化率低，主要在肠道内释药。
青岛农业大学
2021-04-13
关于高密度高纯半导体阵列碳纳米管材料的研究
北大科研团队在《科学》杂志发表的成果，标志着碳管电子学领域、以及碳基半导体工业化的共同难题被攻克。科研团队表示，如果碳基信息器件技术，可以充分利用碳管在物理、电子、化学和机械方面的特殊优势，就有希望生产出性能优、功耗低的芯片。课题组采用多次聚合物分散和提纯技术得到超高纯度碳管溶液，并结合维度限制自排列法，在4英寸基底上制备出密度为120 /μm、半导体纯度高达99.9999%、直径分布在1.45±0.23 nm的碳管阵列，从而达到超大规模碳管集成电路的需求。基于这种材料，批量制备出场效应晶体管和环形振荡器电路，100nm栅长碳管晶体管的峰值跨导和饱和电流分别达到0.9mS/μm和1.3mA/μm（VDD=1 V），室温下亚阈值摆幅为90mV/DEC。
北京大学
2021-04-11