本发明公开了一种 MTJ 纳米柱阵列的制备方法,包括 S1 在基 底上表面制备电子束光刻对准所需要的定标符;S2 根据定标符在基底 上表面制备底电极层,底电极层包括多条平行的底电极线;S3 在附着 有底电极层的基底上表面涂覆一层 HSQ,通过电子束曝光对 HSQ 层 进行图形化,在每一条底电极线上形成多个绝缘单元;每一个绝缘单 元的中间具有一个孔;S4 依次通过光刻、溅射和剥离工艺在绝缘单元 的孔内形成磁性多层膜层;