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丁堃
担任国家社会科学基金学科规划评审专家(管理学学科) 中国科学学与科技政策研究会常务理事 中国知识产权研究会第七、八届理事会理事 中国高等教育学会科技服务专家指导委员会委员;中国工程院高级专业技术职务任职资格评审委员会委员 《情报学报》编委。 近五年 围绕科技政策与科技管理、知识产权与创新管理等领域 主持及承担国家自然科学基金、 重大专项、中国工程院咨询重大、重点及一般研究项目、国家重点研发等国家级项目 各类科研经费进款总计 81万元。在《科学学研究》、《情报学报》、《自然辩证法通讯》、《科研管理》、《科学学与科技管理》、《Scicntometrics 》等学术期刊及会议合作发表论文其中, CSSCI 收录 34 篇,重要研究报告 份,开发技术预警系统软件一套。《从科技文献探究装备制造业增长分化明显及相关启示》被大连市委、辽宁省委办公室《辽宁省今日信息》第 60 期收录并报中办综合室予以综合采用。国家知识产权战略实施研究基地信息速递 —《中美德日制造业转型政策比较研究》获得国家知识产权局领导批示,研究报告《制造工程科学的研究进展、竞争态势及我国的对策》获第八届辽宁省哲学社会科学奖二等奖 政策建议被中国工程院机械与运载学部采纳。
丁堃 2023-02-22
丁召
研究范围: 研究砷化镓表面形貌对于极化自旋的电子注入效率的影响; 研究磷化铟表面各种重构相; 研究砷化镓(001)表面自发形成的岛状结构在平衡态下随砷蒸汽压力和温度的演变; 研究砷化镓(001)表面自发形成的岛状结构产生过程的动态演变; 在原子尺度上观察由温度和砷蒸汽压力驱动的砷化镓(001)表面预粗化和粗化过程; 参与构建了分子束外延生长设备与扫描隧道显微镜联合系统。解决了系统联合中的兼容问题 研究铟镓砷在砷化镓表面的生长,粗糙化的静态及动态过程。 学历: University of Arkansas Fayetteville, Arkansas U. S. A. 物理学博士, 1998年8月-2002年8月 导师:Paul M. Thibado 武汉大学 中国 武汉 物理学硕士, 1987年8月-1990年8月 导师:熊传铭 武汉大学 中国 武汉 理学士, 1981年月-1985年8月 工作经历: 博士后研究助理:2002年8月-2005年8月,Department of Physics, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas, U. S. A. 指导教授:Paul M. Thibado 博士生:1998年8月-2002年8月,Department of Physics, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas, U. S. A. 指导教授:Paul M. Thibado 访问学者:1997年9月-1998年5月,Department of Physics, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas, U. S. A. 指导教授:Paul M. Thibado 硕士生:1987年8月-1990年8月,武汉大学物理系 指导教授:熊传铭 教授:贵州大学,2003年- 讲师:贵州大学,1990年-1997年 教师:贵州大学,1985年-1987年 主要贡献 发表文章: 1. 罗子江,周勋,杨再荣,贺业全,何浩,邓朝勇,丁召,在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究, 功能材料 Vol. 41 704 (2010)。 2. 罗子江,周勋,杨再荣,贺业全,何浩,邓朝勇,丁召, InGaAs/GaAs异质薄膜的MBE生长研究,功能材料,Vol.48 846 (2011). 3. 贺业全,罗子江,杨再荣,何浩,邓朝勇,周勋,丁召,不同Ⅴ/Ⅲ束流比对GaAs(001)面重构相的影响,真空,Vol. 47 70 (2010)。 4. 郭祥,罗子江,张毕禅,尚林涛,周勋,邓朝勇,丁召,一种测定GaAs上InAs生长速率的方法。 物理实验,Vol.31(No.1) 11 (2011)。 5. 何浩,贺业全,杨再荣,罗子江,周勋,丁召,自组织InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点生长及退火情况的比较,真空,Vol.48 82 (2011)。 6. 周勋,杨再荣,罗子江,贺业全,何浩,韦俊,邓朝勇,丁召,反射式高能电子衍射仪实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究,物理学报,Vol. 60 016109 (2011)。 7. 杨发顺,林洁馨,马奎,丁召,傅兴华,汽车电压调节器集成电路芯片版图设计,半导体技术,Vol. 34(9), 930 (2009) 8. 杨发顺,林洁馨,马奎,丁召,傅兴华,一种大电流高精度集成汽车电压调节器,微电子学,Vol. 39(4), 491 (2009) 9. 马奎,丁召,吴宗桂,邓爱枝,傅兴华,高性能CMOS集成电压比较器设计,现代电子技术,Vol. 32(14), 7 (2009) 10. 崔英善; 丁召; 张正平; 陆安江,砷化镓表面RHEED图谱的LabView设计,微计算机信息,Vol.25(9) 99 (2009) 11. 黄旭,潘金福,王云,周勋,丁召,MBE系统中GaAs样品的RHEED分析,现代机械,2009年第3期,第77页 12. 邓朝勇,周勋,马凯英,张正平,丁召,傅兴华,高浓度激活剂掺杂钡镁铝酸盐的发光特性研究,中国稀土学报,Vol. 27(2),194 (2009) 13. 周洪练,冯发文,任社华,丁召,R-500B型X线机电源自动调压电路的改进, 中国医疗设备,Vol. 24(1),1 (2009) 14. 杨再荣,潘金福,周勋,王基石,宁江华,丁召,用于MBE中的反射式高能电子衍射仪,现代机械,2009年第1期,第57页 15. 王云,潘金福,黄旭,丁召,MBE系统中砷蒸气压的校准,中国科技信息,2008年第23期,第147页 16. 潘金福; 王云; 黄旭; 丁召,低温扫描隧道显微镜(LT-STM)的调试技术,真空,Vol.46(3) 57(2009) 17. 潘金福,黄旭,王云,丁召,STM探针电化学腐蚀装置的设计及实验研究,现代机械,2008年第5期,第14页 18. J. Yang, S. Wang, F.S. Yang, Z.P. Zhang, Z. Ding and X.H. Fu, In-situ growth of superconducting MgB2 thin films by HPCVD method at lower temperature,Physica C 467,1 (2007) 19. J.F. Xu, P.M. Thibado, Z. Ding, 4 K, ultrahigh vacuum scanning tunneling microscope having two orthogonal tips with tunnel junctions as close as a few nanometers, Rev. Sci. Instrum. 77, 093703 (2006) 20. V.P. LaBella, M.R. Krause, Z. Ding and P.M. Thibado, Arsenic-rich GaAs(001) Surface Structure,Surf. Sci. Rep. 60, 1 (2005) 21. Z. Ding, P. M. Thibado, C. Awo-Affouda, and V. P. LaBella, Electron-beam evaporated cobalt films on molecular beam epitaxy prepared GaAs(001), J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2068 (2004). 22. S. Vezian, F. Semond, J. Massies, D. W. Bullock, Z. Ding and P. M. Thibado, Origins of the GaN(0001) Surface Reconstructio, Surf. Sci. 541, 242 (2003). 23. Z. Ding, D. W. Bullock, P. M. Thibado, V. P. LaBella, and Kieran Mullen, Time-evolution of the GaAs(001) pre-roughening process, Surf. Sci. 540, 491 (2003). 24. Z. Ding, D. W. Bullock, P. M. Thibado, V. P. LaBella, and Kieran Mullen, Atomic-Scale Observation of Temperature and Pressure Driven Preroughening and Roughenin, Phy. Rev. Lett. 90, 216109 (2003). 25. D. W. Bullock,Z. Ding, and P. M. Thibado, V. P. LaBella, Role of Aperiodic Surface Defects on the Intensity of Electron Diffraction Spots, Appl. Phys. Lett. 82, 2586 (2003). 26. Z. Ding, D. W. Bullock, W. F. Oliver and P. M. Thibado, Dynamics of Spontaneous Roughening on the GaAs (001)-(2 x 4) Surface, J. Cryst. Growth 251, 35 (2003). 27. D. W. Bullock, V. P. LaBella, Z. Ding, and P. M. Thibado, Simultaneous Surface Topography and Spin-Injection Probability, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 67 (2002). 28. D. W. Bullock, V. P. LaBella, Z. Ding, and P. M. Thibado, Mapping the Spin-Injection Probability on the Atomic Scale, J. Supercond. 15, 37 (2002). 29. D. W. Bullock, V. P. Labella, T. Clingan, Z. Ding, G. Stewart, and P. M. Thibado, Enhancing the Student-Instructor Interaction Frequency, The Physics Teacher, 40, 535 (2002). 30. V. P. LaBella, D. W. Bullock, Z. Ding, C. Emery,and P. M. Thibado, Enabling Electron Diffraction as a Tool for Determining Substrate Temperature and Surface Morphology, App. Phys. Lett. 79, 3065 (2001) 31. V. P. LaBella, D. W. Bullock, Z. Ding, C. Emery, A. Venkatesan, M. Mortazavi, W. F. Oliver, G. J. Salamo, and P. M. Thibado, Spatially-Resolved Spin-Injection Probability for Gallium Arsenide, Science 292, 1518 (2001). 32. V. P. LaBella, Z. Ding, D. W. Bullock, C. Emery, and P. M. Thibado, A Union of the Real Space and Reciprocal Space view of the GaAs(001) Surface, Int. J. Mod. Phys. B 15, 2301 (2001). 33. V. P. LaBella, Z. Ding, D. W. Bullock, C. Emery, and P. M. Thibado, Microscopic Structure of Spontaneously Formed Islands on the GaAs(001)-(2 x 4) Reconstructed Surface, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1640 (2001). 34. V. P. LaBella, D. W. Bullock, Z. Ding and P. M. Thibado, P. Kratzer and M. Scheffler, A Novel STM Imaging Mechanism is Used to Determine the Atomic Structure of the GaAs(001)-(2 x 4) Surface, Omicron Newsletter 4, 4 (2000). 35. V. P. LaBella, Z. Ding, D. W. Bullock, C. Emery, and P. M. Thibado, Reflection high-energy electron diffraction and scanning tunneling microscopy study of InP(001) surface reconstruction, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1492 (2000). 36. V. P. LaBella, D. W. Bullock, Z. Ding, C. Emery, W. G. Harter, and P. M. Thibado, Monte-Carlo Derived Diffusion Parameters for Ga on the GaAs(001)-(2 x 4) Surface: An MBE-STM Study, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1526 (2000). 38. H. Yang, V. P. LaBella, D. W. Bullock, Z. Ding, J. B. Smathers and P. M. Thibado, Activation Energy for Ga Diffusion on the GaAs(001)-(2 x 4) Surface: An MBE-STM Study, J. Cryst. Growth 201-202, 88 (1999). 39. J. B. Smathers, D.W. Bullock, Z. Ding, G.J. Salamo and P.M. Thibado, Enabling In Situ Atomic-Scale Characterization of Epitaxial Surfaces and Interfaces, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 3112 (1998). 会议报告: 1. D. W. Bullock, V. P. LaBella, T. Clingan, Z. Ding, and P. M. Thibado, Hyper Interactive Teaching Methods Using Remote Control Technology, The 8th Hot Springs Educational Technology Institute Conference, June 13–14, 2001, Hot Springs, Arkansas. 2. C. Emery, D. W. Bullock, Z. Ding, M. Filipkowski, V. P. LaBella, M. Mortazavi, G. Salamo, and P. M. Thibado, Electron Spin Scattering Across a p-type GaAs(110) Step Using a Ferromagnetic-Metal STM Tip, The 85th Annual Meeting of the Arkansas Academy of Sciences, April 13–14, 2001, Conway, Arkansas. 3. D. W. Bullock, C. Emery, Z. Ding, V. P. LaBella, and P. M. Thibado, Hyper Interactive Teaching Methods Using Remote Control Technology, The 85th Annual Meeting of the Arkansas Academy of Sciences, April 13–14, 2001, Conway, Arkansas. 4. V. P. LaBella, D. W. Bullock, M. Anser, Z. Ding, C. Emery, L. Bellaiche and P. M. Thibado, The Structure of Spontaneous Formed Islands on the GaAs(001)-(2 x 4) Reconstructed Surface, 28th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces, January 7–11, 2001, Lake Buena Vista, Florida. 5. V. P. LaBella, D. W. Bullock, Z. Ding, C. Emery, A. Venkatesan, W. F. Oliver, M. Mortazavi, G. Salamo and P. M. Thibado, Spatially-Resolved Spin-Injection Probabiliy for GaAs using a Half Metallic Ferromagnet, 28th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces, January 7–11, 2001, Lake Buena Vista, Florida. 6. V. P. LaBella, D. W. Bullock, M. Anser, Z. Ding, C. Emery, L. Bellaiche and P. M. Thibado, The GaAs(001)-(2 x 4) Reconstructed Surface and the Ising Model, The 60th Annual Physical Electronics Conference, June 21–23, 2000, Baton Rouge, Louisiana. 7. D. W. Bullock, Z. Ding, C. Emery, M. Filipkowski, V. P. LaBella, M. Mortazavi, G. Salamo and P. M. Thibado, Electron Spin Scattering Across a p-type GaAs(110) Step Using a Ferromagnetic-Metal STM Tip,2000 Arkansas Space Grant Consortium Meeting, April 14, 2000, Russellville, Arkansas. 8. D. W. Bullock, Z. Ding, C. Emery, M. Filipkowski, V. P. LaBella, M. Mortazavi, G. Salamo and P. M. Thibado, Electron Spin Scattering Across a p-type GaAs(110) Step Using a Ferromagnetic-Metal STM Tip, The 84th Annual Meeting of the Arkansas Academy of Sciences, April 7–8, 2000, Hot Springs, Arkansas. 9. D. W. Bullock, Z. Ding, C. Emery, M. Filipkowsi, V. P. LaBella, M. Mortazavi, G. Salamo and P. M. Thibado, Simultaneous Topography and Electron Spin-Injection Probability Across a p-Type GaAs(110) Step Using a Ferromagnetic-Metal STM Tip, 27th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces, January 16–20, 2000, Salt Lake City, Utah. 10. V. P. LaBella, D. W. Bullock, M. Anser, Z. Ding, C. Emery, L. Bellaiche and P. M. Thibado,Spontaneous Island Formation on the GaAs(001)-(2 x 4) Reconstructed Surface, 27th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces, January 16–20, 2000, Salt Lake City, Utah. 11. Z. Ding, V. P. LaBella, D. W. Bullock, P. M. Thibado, The Surface Reconstructions of InP(001), 46th National Symposium of the American Vacuum Society, October 25–29, 1999 Seattle, Washington. 12. P. M. Thibado, V. P. LaBella, M. Anser, Z. Ding, D. W. Bullock, Spontaneous Island Formation on the GaAs(001)( 2 x 4) Reconstructed Surface, 46th National Symposium of the American Vacuum Society, October 25–29, 1999 Seattle, Washington. 13. D.W. Bullock, V.P. LaBella, Z. Ding, and P.M. Thibado, The Effect of As4 Flux on the Ga Diffusion on the GaAs(001)-(2 x 4) Surface, 46th National Symposium of the American Vacuum Society, October 25–29, 1999 Seattle, Washington 14. Z. Ding, H. Yang, D. W. Bullock, P. Thibado, The Surface Reconstructions of InP, 1999 March Meeting of the American Physical Society, March 20–26, 1999, Atlanta Georgia. 15. P. M. Thibado, H. Yang, V. P. LaBella, D. W. Bullock, Z. Ding, J. B. Smathers, In Situ Study of Ga Diffusion on the GaAs(001)-(2 x 4) Surface Reconstruction, 10 th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, August 31 – September 4, 1998, Palais Des Festivals - Cannes, France. 16. Z. Ding, P. M. Thibado and V. P. Labella, E-beam evaporated cobalt films on MBE prepared GaAs(001) for spintronice, PCSI-31st Cneference on The Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces, January 18-22, 2004, Hawaii, U. S. A. 17. “超微粒SnO2薄膜的制备”,1991年全国薄膜科学技术年会,北京 18. “超微粒SnO2薄膜型高灵敏度氢气传感器”,1995年全国传感器学术年会,上海
丁召 2021-06-23
丁霞
多年来一直工作在中医药学科医疗、教学、科研的第一线,围绕中西医结合防治消化系统疾病及中药抗肿瘤研究方向,开展持续深入的基础和临床研究。主要研究领域包括中医药防治消化系统疾病的基础与临床研究、非可控性炎症恶性转化的分子机制及逆转炎癌转变的中药成分研究、肿瘤细胞亚性增殖的分子机制及抗肿瘤中药筛选等方面。 致力于中西医结合防治消化系统重大、难治疾病的基础与临床研究,取得了系列原创性成果。率先揭示了中医药防治酒精性肝纤维化的作用靶标网络,首创酒精性肝纤维化病证结合动物模型,被“新药研发指南”采纳;聚焦胃“炎癌转化”关键致病因子幽门螺杆菌(Hp),首次发现了Hp介导胃“炎癌转化”的新机制;率先建立了模拟胃“炎癌转化”多个阶段的“动物一类器官一细胞”集成技术体系和平台,得到广泛应用和高度评价;率先建立了中医药防治胃“炎癌转化”的理论与技术体系,研发有效药物“慢痞消”并应用于临床。 先后入选教育部“新世纪优秀人才支持计划”,科技部“中青年科技创新领军人才”、国家高层次人才特殊支持计划领军人才、中医药传承与创新“百千万”人才工程(岐黄工程)。兼任北京中医药大学学术委员会委员兼秘书长、中医脾胃病研究中心主任;中华中医药学会健康管理分会副主任委员、北京中西医结合学会消化内镜委员会副主任委员、中国高等教育学会科技服务专家指导委员会委员等。
丁霞 2023-02-22
丁德科
丁德科,男,汉族,出生于1962年,陕西铜川人,中共党员,博士,研究员,二级教授,博士生导师。 曾任陕西省科学技术协会副主席。 社会兼职 陕西省国防科技与经济发展研究中心学术委员会常务副主任; 陕西省人大代表; 渭南市临渭区人大代表; 全国优秀社科普及专家; 国防教育专家; 教育部哲学专业教学指导委员会委员; 全国高校流通理论与教学研究会副会长; 中国人民解放军军事经济研究中心研究干事; 西安交通大学、中国人民解放军军事经济学院兼职教授,国防经济专业博士生导师; 陕西省国防科技与经济发展研究中心主任; 《西安财经学院学报》编委会副主任和主编; 全国高校流通理论与教学研究会副会长; 中国和平利用军工技术协会常务理事; 中国人民解放军军事经济研究中心研究干事。 陕西省电子商务与电子政务重点实验室和全国高校电子商务与电子政务联合实验室副主任; 甘肃省产业竞争力战略咨询委员会专家; 中国博士后科学基金评审专家; 陕西省公众科学素质发展联盟理事长; 中国高等教育学会科技服务专家指导委员会副主任委员。
丁德科 2023-03-10
可溶性几丁聚糖
【项目来源】江苏省科技厅科技兴海项目“可溶性几丁聚糖的生产工艺研究”,编号:BL98326。 【成果鉴定】经江苏省科技厅组织专家鉴定,达到国内领先水平。 【类    别】新辅料。 【功    用】药用辅料(并具有促进伤口愈合抗感染);用于废水处理。 【主要技术指标】 1.应用水解法有效控制脱乙酰度,并得到了不同脱乙酰度的几丁聚糖。 2.应用双氧水氧化降解法将几丁聚糖部分解聚制得可溶性几丁聚糖,并进行了放大试验,为工业化生产提供了实验依据,该方法是一种制备低分子量可溶性几丁聚糖简便、有效的方法。并对合成工艺进行了优化,工艺采用的原料价廉,反应条件温和,操作简便,对工业化生产和推广应用具有重要价值。 【推广应用前景】近年来,几丁聚糖已在众多领域被应用,但由于溶解性能很差,其应用很大程度上受到限制;可溶性几丁聚糖解决了其溶解性问题,应用范围得到进一步扩展。 1.由于可溶性几丁聚糖具有良好的成膜性,可制为凝胶、膜剂、生物敷料等,在制药领域具有广阔的应用前景,如可制成缓释胃漂浮片,也可将药物与几丁聚糖等辅料混合直接压片,制成缓释片。 2.以壳聚糖为成膜材料,以多孔性材料为支撑物,可制成由控释层和药物层组成的烧伤生物敷料,与目前常用的油纱布、动物皮、以及合成高分子材料相比,具有对人体无毒、无刺激、不过敏、透气透湿等特点,且具有一定的抗感染和促进伤口愈合作用。 3.水溶性几丁聚糖衍生物能有效地吸附重金属,并可抑制细菌生长,对汞、隔、铅和砷等有显著的过滤作用,是高性能的重金属离子捕集剂,可有效地除去工厂废水中有毒的重金属离子以及核工业废水中的放射性核素,也可作为阴离子凝集剂使用,用于活性污泥的凝集,脱水,尤其是用于食品厂的废水处理。 4.由于几丁聚糖的降解性,可取代目前使用的合成高分子材料,制成可生物降解的日用品;水溶性几丁聚糖衍生物可作为日用化妆品添加剂等。 【进展情况】已完成制备工艺、质量标准等研究工作。  
南京中医药大学 2021-04-13
丁达尔现象实验器
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
丁达尔现象实验器
产品详细介绍
廊坊市师范教学仪器厂 2021-08-23
考布他丁 A-4 的雾化剂
成果与项目的背景及简介: 此药在 III 期临床研究中由于经考布他丁 A-4 合成考布他丁 A-4 磷酸酯的盐 为多步合成反应,增加了药物的成本。而且,前药降解为考布他丁 A-4 需要一定 时间,此时前药表现出不良反应如短暂的心电图改变,高血压及心律不齐。如果 将考布他丁 A-4 直接给药将克服上述缺点。 将考布他丁 A-4 做成了可以吸入肺部的雾化剂,降低了合成前药的成本,同 时将克服前药带来的不良反应,更重要的是将对肺癌起到局部给药的作用。本发 明溶解考布他丁 A-4 所用溶剂水、1,2-丙二醇、二甲亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、 乙醇和特戊醇均为常用的医药辅料,无毒副作用。超声雾化器和市售的各种型号 的电子烟如格兰蒂雅 ECHO 电子烟,如烟电子烟,易星电子烟,均可将考布他 丁 A-4 吸入肺中,超声雾化器与电子烟均为商品化的超声雾化装置。 技术水平及优势: 已建立合成克级考布他丁 A-4 的路线及考布他丁 A-4 雾化剂制备方法。 应用前景分析及效益预测 1、该药的前药(考布他丁 A-4 磷酸酯的单氨丁三醇盐)已进入 III 期临床, 所表现的副作用为前药所致。而考布他丁 A-4 无副作用,因此发展成为新剂型的 药物是很有可能的。 2、考布他丁 A-4 的烟雾剂制剂简单,易于应用,通过类似吸烟的方式即可 应用,且作用于病处——肺部,治疗非小细胞肺癌,因此该药市场较大。 合作方式:合作进行临床前研究。 
天津大学 2021-04-11
生物法生产2,3-丁二醇
由于2,3-丁二醇结构较为复杂,化学合成2,3丁二醇成本较高,而不像1,4-丁二醇用乙炔合成那样具有成熟简单的工艺,所以一直很难实现大工业化生产。用生物法来制备2,3丁二醇既符合绿色化工的要求,又可避免化学合成的困难,受到了广泛的关注。本项目从2,3-丁二醇生物合成途径和整体代谢调控网络着手,在系统分析粘质沙雷氏菌(Serratia marcescens)细胞代谢网络的基础上,运用代分子生物学技术合理修饰细胞代谢途径,使整体代谢网络与中心代谢有机结合,提高代谢途径的物质定向流量,提高2,3-丁二醇的生物合成量,最后根据基因工程菌株的细胞特点,确定了大规模发酵生产2,3-丁二醇新型工业化发酵调控策略。我们通过基因改造、培养基及调控策略的优化,目前发酵水平BD的产量达到130g/L,达到国际先进水平。同时我们采取萃取/高真空精细分馏的分离方法已获得了纯度达95%结构为内消旋的2,3-丁二醇。该项目?00?年获国家科技部“863”产品导向课题资助。
华东理工大学 2021-04-13
全国科技工作会议在京召开 丁薛祥出席会议并讲话
全国科技工作会议13日在京召开。中共中央政治局常委、中央科技委员会主任丁薛祥出席会议并讲话。
新华社 2025-01-14
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