本仪器系统由：电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件。为本仪器系统专门研制的JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。 实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier oncentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！  可变温霍尔效应实验仪高低温磁场型测试系统 技术指标: *  磁 场：10mm间距为2T 、 30mm间距为1T *  样品电流：0.05uA~50mA(调节 0.1nA) *  测量电压：0.1uV~30V *  提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同） *  分辨率极小值：0.1GS *  磁场范围：0-1T * 配合高斯计或数采板可计算机通讯 * I-V 曲线及 I-R 曲线测量等 *  霍尔系数、载流子浓度等参数随温度的变化曲线 * 电阻率范围：5*10-5～5*102Ω.cm *  电阻范围：10 m Ohms~ 6MOhms *  载流子浓度：5*1012～51*1020cm-3 * 霍尔系数：±1*10-2～±1*106cm3/C *  迁移率：0.1~108cm2/volt*sec *  温度调节 0.1K *  温区：78K-475K,室温-773K（选配） *  测试全自动化，一键处理 *  可实现相同温差间的连续测量 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 可变温霍尔效应实验仪高低温磁场型测试系统 锦正科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务，对内承接科研生产任务，对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换，形成了科学管理的现代化经营模式，专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售各类型超低温测试设备（液氮 液氦）制冷机系统集成 ，定制 ，高低温真空磁场发生系统，Helmholtz线圈（全套解决方案），电磁铁（全系列支持定制），螺线管，电子枪（高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm），高低温磁场真空探针台，霍尔测试系统，电输运测量解决方案，磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全，性能可靠，至今已有近10余年的历史，是国内（较早）生产探针台，电输运，电磁铁的厂家之一。  

实验内容 1、测量扭摆在自由振荡状态下的固有频率； 2、测量扭摆在自由振荡状态下的阻尼系数； 3、观察阻尼振荡现象，测量阻尼系数与阻尼电压的变化关系；并做出阻尼系数随阻尼电压变化关系曲线； 4、观察共振现象，测量调速旋钮位置与简谐力矩频率之间的变化关系并作图，通过计算作出幅频特性和相频特性曲线； 5、观察不同条件下（自由 / 阻尼 / 共振）系统的能量转换及相图； 6、观察共振中“拍”的现象，以及在不同阻尼电压下“拍”的不同变化。

执行标准：SL352-2006，DL/T5150-2001，TBT 3275-2011 硬化混凝土气泡间距系数分析仪，适用于研究混凝土引气剂对混凝土气泡特征参数的影响、气泡特征参数与材料配比的关系以及气泡间距系数与抗冻耐久性指标的关系的研究等。 北京耐尔得公司研发的硬化混凝土气泡间距系数分析仪，采用直线法和面积法，分别测试硬化混凝土的气泡的各项参数。产品工作性能强，软件界面友好，操作简捷，测试精度高，深受国内科研单位的欢迎。

用各种物理手段（电场、磁场、压力、掺杂等）创造新的物态或调控不同量子物态是凝聚态物理领域广受关注的研究前沿，并有巨大的应用前景。而超短脉冲激光的飞速发展使得光激发调控复杂量子材料的晶体结构和电子性质成为可能。层状过渡金属二硫化物MoTe2可以形成几种不同的晶体结构并具有不同的物理性质或拓扑能带结构，为调控或切换不同结构相变提供了可能性。最近量子材料科学中心王楠林课题组和合作者利用超快泵浦探测和时间分辨的二次谐波探测技术，研究了MoTe2中两个半金属相之间激光诱导的亚皮秒时间尺度的结构相变。 MoTe2是由MoTe6八面体结构单元构成的原子层沿c方向堆叠形成的二维材料系统，不同的堆叠方式具有不同晶体对称性。1T-MoTe2在室温时是单斜的1T’相，随着温度降低在250K时发生结构相变，转变成正交的T_d相，其中可以存在第二类外尔费米子。王楠林课题组通过实验发现高强度的近红外激光脉冲可以在亚皮秒时间尺度内将中心反演对称性破缺的T_d相驱动到具有中心反演对称的1T’相。该相变发生的最明显的特征是时间分辨的反射率变化中横向剪切振荡声子的消失和二次谐波强度的急剧下降。通过选择和改变激发脉冲的脉宽和波长，从实验上排除了激光加热效应。该项研究首次在超快亚皮秒尺度内实现了激光诱导的非加热效应引起的MoTe2晶体中第二类Weyl半金属相与正常半金属相的超快结构相变。它为超快激光控制固体的拓扑特性开辟了新的可能性，使超快激光激发的拓扑开关器件具有潜在的实际应用价值。 该工作于2019年5月22日在线发表于著名学术期刊Physical Review X（Phys. Rev. X 9, 021036 (2019)），第一作者为量子材料中心博士生张梦瑶，王楠林教授和其研究组的董涛博士是通讯作者，量子材料科学中心王健教授研究组为该工作提供了样品。该项研究得到国家自然科学基金委员会、国家重点研究开发项目等项目的支持。

该技术运用反应器原理，将具有完全混合流特征的单阶反应器串联组成具有推流特征的阶式反应器，大幅度提高了氨氮、可生物降解有机物、藻毒素的去除效率和生物除藻效果，并可减少后续工艺中混凝剂与消毒剂的用量，提高了饮用水的安全性。

简介：本发明公开了一种三相无电解电容LED电源的拓扑电路及其控制方法，属于LED驱动电源技术领域。本发明包括三相交流电源、EMI滤波器、单相整流桥、单相PFC电路和控制单元，三相交流电源的A相输出端依次与EMI滤波器、单相整流桥、单相PFC电路相连；所述的控制单元采样单相PFC电路的输入电压、输入电流以及输出电流，经过计算产生占空比信号控制单相PFC电路；三相交流电源的B相、C相与A相设置相同，三个单相PFC电路的输出端并联后连接LED负载。本发明适用于大功率的三相LED驱动电源，具有较高的功率因数，且无需大容量的电解电容。

（专利号：ZL 201510552708.2） 简介：本发明提供一种起重机箱形主梁三自由度移动焊接机器人，属于机器人焊接技术领域。该焊接机器人包括底座、纵向移动机构、焊枪升降机构、焊枪旋转机构、焊接设备及电缆卷筒等，焊接设备包括送丝机、焊机、气瓶座、二氧化碳气瓶，焊枪旋转机构通过升降台安装在焊枪升降机构上，齿轮齿条传动与直线导轨副相配合实现长位移移动的精确定位，通过三台伺服电机联合控制焊枪位姿实现长距离平面曲线连续光滑平角焊缝的自动焊接。本发明所提供的焊接机器人具有结构简单、传动链短、位置准确、工作可靠、焊接质量稳定等技术特点。

成果的背景及主要用途： 该成果属于高端装备制造业领域，内容涉及数控技术创新与自主数控系统及 其产业化应用，是在已完成天津市数控系统技术重点攻关项目成果的基础上，通 过进一步深化研究取得的。实施期限为 5 年，自 2006 年 10 月至 2011 年 12 月。 该成果针对复杂数控装备的集成监控、可重构数控系统流水线架构和三级加工自 优化与控制等方面进行系统的研究。 技术原理与工艺流程简介： （1）针对数控系统内多任务调度及实时并行化执行的特点，提出基于可重 构的数控流水线架构。该架构由数控主控流水线线程、驱动程序和数控微代码实 时执行单元构成数控流水线体系，可实现软件乃至于硬件的多重可重构。 （2）针对数控系统因功能集成造成的核心运动控制实时性差、结构复杂等 问题，提出一种新的多层次集成监控数控的系统架构。该监控系统架构通过底层 数控系统监控层、监控管理层、远程诊断监控层进行分级式地故障分析与诊断， 实现数控装备的监控与维护。 43天津大学科技成果选编 44 （3）提出一种具有三级加工自优化功能的智能控制方法，实现通过数控系 统对数控机床的智能控制。 技术水平及专利与获奖情况： 该成果在国内外首次提出并研究基于可重构、多层次集成监控和三级加工自 优化的数控流水线架构，并开发了全新的 2-6 轴联动控制可重构数控系统，已获 得三项国家发明专利和两项软件著作权，并发表重要论文 12 篇。经专家组鉴定， 达到了国际领先的水平。 应用前景分析及效益预测： 鉴于该成果的独特技术特征及数控产业的国家需求和巨大市场潜力，依托该 成果的“天大精益数字化制造产业园”项目已于 2011 年在天津海河科技园区奠基 建设，占地面积 100 亩，可实现年产值 10 亿元以上的规模。 应用领域：高端装备制造业 技术转化条件： 该成果已实现产业化运作，并推广到福建威诺数控、鑫菱机床厂、威海东云 数控机床、天地股份有限公司等企业，取得了很好的经济社会效益。 合作方式及条件：根据具体情况面议

第三代半导体氮化镓和碳化硅因其禁带宽、稳定性好等优点，已广泛应用于电子和光电子等领域。各种氮化镓和碳化硅基器件是5G技术中的关键器件。将半导体晶片制成器件，其中的一个关键加工步骤是晶片表面的抛光。然而，氮化镓和碳化硅的化学性质极其惰性，半导体工业目前常用的化学机械抛光方法无法对其实现高效加工。对此，我们从原理上创新发展了一种光电化学机械抛光技术，不仅可快速加工各种化学惰性半导体晶片（如:加工氮化镓的材料去除速率可达1.2 μm/h，比目前的化学机械抛光的高约10倍），而且可加工出原子台阶结构的平滑表面。设备简单，技术具有完全的自主知识产权。