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用于提高三维音频空间感距离感的参数编解码方法及系统
本发明提供了用于提高三维音频空间感距离感的参数编解码方法及系统,编码时输入三维音频的音 频信号和三维音频的空间边信息,将有向性音频信号下混并提取相应的下混边信息,对无向性散射音频 信号、下混后的有向性音频信号、提取的下混边信息、及输入的空间边信息分别进行编码;解码时提取 空间边信息的码流等分别进行相应解码并还原。本发明采用音频信号的强度参数和距离参数来共同表达 声像距离,提高三维音频的空间感和距离感,可以得到更好的三维音频重放效果。
武汉大学 2021-04-14
一种基于伺服驱动加载的三维力传感器动态响应标定装置
本实用新型公开了一种基于伺服驱动加载的三维力传感器动态响应标定装置,包括标定装置工作台、传感器固定盘、传感器加载件、伺服加载系统和加载装置固定平台。所述装置工作台由顶板、立柱和底板组成,立柱底部设有调平器,顶板上部设有水平仪、下方安装传感器固定盘;三维力传感器的顶部和底部均具有螺孔,用于连接传感器固定盘和传感器加载件;标定装置工作台的X、Y、Z方向各具有一套伺服加载系统,分别安装在加载装置固定平台和工作台底板上;伺服加载系统包括伺服电机、减速器、联轴器、丝杆、轴力计和加载头。本实用新型装置适用于不同量程的力传感器,精度高,实现荷载的连续动态加载测量,使用效果好,便于推广使用。
浙江大学 2021-04-13
创想三维Ender-3S千元级3D打印机
深圳市创想三维科技股份有限公司 2021-08-23
空间多波束光延迟网络
空间多波束延迟网络主要应用于光控相控阵天线内部的波束形成网络,通过分组多抽头延迟,使相控阵天线在空间形成多个空间波束。 该延迟网络通过微波光子技术,在光域对微波信号进行高精度多路分组延迟及多路合成,通过光延迟技术克服了电延迟技术(同轴电缆延迟线、声表面波延迟线、微波PIN二极管延迟线等)在延迟移相上存在的固有技术缺陷,可满足高频宽带信号的延迟移相及空间波束形成需求。同时,该技术还可应用于其他需要实现射频信号精确延迟及分配的系统当中。
电子科技大学 2021-04-10
空间光波束智能开关
该项目以大规模集成电路液晶硅处理器作为核心器件以及基于其空间光波束智能开关功能设计建造了两个准样机实验系统,其一是针对高性能计算机应用的高速集成光互连组件,其二是光通信网络中使用的节点开关 ROADM(可重构光上下路复用器)。互连损耗~6dB、 串扰≤-36dB、 传输数据率 10Gbps、 高稳定性、 高性价比。
扬州大学 2021-04-14
.基于三维数字化信息管理系统的健康管理和3D打印云平台
基于三维数字化信息管理系统的健康管理和3D打印云平台 卫生行业信息化建设已经走过了二十多个年头,IT 技术的应用越来越成为卫生行业前进必不可少的助推器,IT 技术的应用正在走向如何利用信息化技术提高医疗质量减少医疗差错,如何利用信息化技术进行医疗服务的创新,如何将分散的医疗资源整合,为人民提供更安全更完整的医疗服务。基于远程影像会诊(
南京大学 2021-04-14
一种高精度的航空发动机叶片自动三维测量方法和系统
本发明公开了一种高精度的航空发动机叶片自动三维测量方法, 包括以下步骤:1)配准:将设计模型所处的设计坐标系与工件实体所 处的测量坐标系进行配准;2)路径规划:通过数据处理装置规划距离 传感器在测量过程中的运动路径,以使工件实体上的被测区域一直处 于距离传感器的测量范围内;3)自动测量:距离传感器对工件实体的 正面区域和反面区域进行采样,得到工件实体的完整表面轮廓。本发 明使用距离传感器作为测量终端,可以获得被测区域
华中科技大学 2021-04-14
利用冷冻电镜三维重构技术解析流感病毒聚合酶调控RNA合成机制
首次系统性地研究了流感病毒聚合酶与不同RNA启动子的相互作用机制,阐明了RNA启动子结合构象在合成不同RNA时所发挥的作用。团队还提出了聚合酶合成RNA起始阶段的工作模型,推动了人们对流感病毒聚合酶调控不同RNA合成机制的理解,为抗病毒药物开发提供了新靶点。 为了深入研究流感病毒聚合酶合成RNA的分子机制,研究人员利用冷冻电镜三维重构技术,解析了D型流感病毒聚合酶与不同RNA启动子结合
南方科技大学 2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制 备方法;栅电极包括 n 个依次成阶梯状排列的栅电极单元,每个栅电 极单元为柱状结构,由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构 成;所述连通电极的上表面用于连接栅层,下表面用于连接字线。本 发明适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电 极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层,对叠层中非相对应 的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离
华中科技大学 2021-04-14
一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制 备方法,包括由多个垂直方向的三维 NAND 存储串构成的存储串阵列; 每个三维 NAND 存储串包括半导体区域以及围绕半导体区域的四层包 裹结构;半导体区域包括沟道以及分别与沟道两端连接的源极和漏极; 源极与漏极串联连接;沟道为方柱形结构;四层包裹结构从里到外依 次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极;阻 隔电介质层在不同的方向具有不同的厚度,
华中科技大学 2021-04-14
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