一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法

电子信息

本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制

备方法；栅电极包括 n 个依次成阶梯状排列的栅电极单元，每个栅电

极单元为柱状结构，由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构

成；所述连通电极的上表面用于连接栅层，下表面用于连接字线。本

发明适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电

极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层，对叠层中非相对应

的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离

试用