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万深SC-H2型智能种子计数仪
产品详细介绍万深SC-H2型便捷考种计数仪概述：万深SC-H2型便捷考种计数仪由平板电脑、智能种子数粒软件、背光装置组成。主要用在农业上对作物快速测产、考种等场合，以有效替代人工数粒或机械式自动数粒分析。无需另配电脑，是免培训的傻瓜式操作款。功能特点：1、由≥11.6寸的500万像素平板电脑拍照种粒，软件便自动计数和输出种子数量。2、由添加、删除的个别指点修正，可使数粒达100%准确率。3、可查看结果表、导出至EXCEL，以及向指定接收方上传数据。4、高亮LED灯背光装置使种粒识别更稳定，可长时间工作。5、Windows系统环境，操作人性、简洁、智能。技术参数：1、自动数粒大小：1～20mm。适用各类种子计数，如：油菜籽、各种豆类、水稻、小麦、芝麻、玉米粒、花生粒、瓜子等2、★自动数粒速度：1000～15000粒/分钟（每次数粒范围：50～3000粒）3、★自动数粒误差：圆形种子±0.1%，长形种子±0.5%，极少修正后可达100%正确4、由500万像素平板电脑自动对焦拍照，可存储上万张图片及其对应的数据5、★带220V电源适配器的LED背光成像装置6、可无线上网来远程发送图片、结果数据供货清单：≥11.6寸/6G内存/64G固态硬盘/500万像素的品牌平板电脑 1台（含保修卡及USB线）、软件锁1个、带220V电源适配器的LED背光成像装置 1个、透明种盘1个、拍照支架1付
杭州万深检测科技有限公司
2021-08-23
中银（BOCT）55英寸智能白板多媒体触摸查询
产品详细介绍
http://www.boct-lcd.com
深圳市中银科技有限公司
2021-08-23
互联网RFID大数据智能书柜实训系统
产品详细介绍互联网+大数据智能书柜教学实训系统 一、 概述智能书柜是以智慧图书柜或微型智慧图书馆为载体，可以广泛的在校园、公司写字楼、商场、社区、公园等地方使用，比如放置在校园的各个角落，如教学楼每层走廊、每间教室、宿舍楼等地，无需专门的图书管理员，学生可以随时随地快速方便的进行图书借还操作，而且校园内的所有图书可以随意流通借还，是传统图书馆功能在使用空间和时间上的扩展，是实现阅读无处不在、阅读触手可及的基础平台。互联网+大数据智能书柜是以智能书柜为硬件平台，综合了互联网数据传输、云大数据处理功能，通过在图书上粘贴RFID标签，利用智能书柜里面的RIFD读写器和RFID天线对图书标签自动实时识别，实现图书批量自助借还、智能盘点、智慧拣选、图书防盗等一系列智能化的图书管理，结合云平台大数据分析挖掘，实现精准图书采购、个性化指导学生借书种类和阅读时间，构建阅读学习成长模型。互联网+大数据智能书柜基本组成部分如下：第一部分：感知层和控制层，包括RFID图书信息采集模块、RFID人员身份信息采集模块、二维码信息采集、摄像头信息采集和控制、电控锁控制模块等；第二部分：传输层，包括有线网络传输、无线网络传输，如WIFI、4G等；第三部分：应用层，主要是智能书柜应用软件功能；第四部分：云服务器大数据处理，主要是大数据挖掘分析功能。这四部分功能，结合配套的相关设备，使互联网+大数据智能书柜成为用RFID等物联网技术手段改变图书馆传统借阅、阅读环境的典型应用。互联网+大数据智能书柜教学实训系统是用于研究RFID等物联网技术实现典型应用的平台，完成RFID等物联网技术从技术到实现典型应用相关的教学和学习13965501553
泰格瑞德科技有限公司
2021-08-23
Enlogic EN1119 智能PDU电源插座 PDU订制
产品详细介绍Enlogic的EN1000 系列产品---IRMC级别测量系列涵盖了电能测量，功率和环境监测的功能。计费级精度的瓦-时电能测量为用户计费，PUE及效率计量，工程项目规划以及容量管理提供了精准的电能测量数据。持续的为IRMC每相的输入电源和断路器提供实时监测，该实时监测数据能在每个潜在电源问题发生之前提供预警，并保证用户更好的实现输入相和分路之间负荷的平衡，提高设备的可靠性与电源效率。 Enlogic的超薄机身及断路器的设计吻合了用户节约机柜空间的需求。每个Enlogic IRMC上可连接多达6个外置传感器，实现了完整远程监测和报警的解决方案。企业级的网络管理允许您轻松的通过HTTP, HTTPS, SNMP, 或Telnet实现管理功能；而与LDAP/S和AD（活动目录服务）的巧妙整合，允许您轻松的集成到现有的目录服务中。其他显著特点包括带色标识别的输出端口及断路器，标准的锁紧IEC插头，高可视角的OLED 显示屏，以及可现场热插拔的网络管理卡等提高了产品的可靠性并能减少人为错误造成的损失。输入允许输入电压：: 380-415 VAC +6%, -10%每相输入电流：: 16APhase Type: 3-phase, Y最大输入功率(kVA)：: 11.52输入频率(Hz)：: 50输入插头类型：: IEC309 516P6输入电源线长度：: 3.0m输出输出电压：: 220-240 VAC总输出端口数：: 42IEC C13 输出端口数：: 36Total # of IEC C19 Outlets: 6每个输出端口的最大电流：: 10A物理尺寸长,mm：: 1730 mm深,mm：: 44 mm宽,mm：: 55 mm外壳颜色:: Black环境要求：可运行温度：: -5 to 60°C可运行相对湿度：: 5-95% RH, non-condensing最高可运行海拔高度：: 0-3,000 m存储温度：: -25 to 65°C存储相对湿度：: 5-95% RH, non-condensing存储最高海拔高度：: 0-15,000 mCompliance ApprovalsUL: 否EMC: 是安全认证：:环境认证::
深圳市鸿佳宇信息技术有限公司
2021-08-23
基于六维力传感器和双目视觉的机器人打磨装置及打磨方法
本发明公开了一种基于六维力传感器和双目视觉的机器人打磨装置及打磨方法，打磨装置包括机械臂、传感器固定座、六维力传感器、工业相机、柔性连接件、电机固定座、打磨电机和双轴加速度传感器；六维力传感器通过传感器固定座与机械臂的末端关节固定连接；六维力传感器通过柔性连接件与电机固定座柔性连接，打磨电机安装在电机固定座上；工业相机对称设在柔性连接件的两侧；双轴加速度传感器分别设在机械臂的末端关节和打磨电机上。打磨方法包括步骤1，深度点云图生成；步骤2，打磨时机控制；步骤3，PI控制打磨和步骤4，机械臂位置补偿。本发明简单稳定，易于控制，打磨效果好，效率高；同时，还能补偿打磨过程中的位置偏移，提高加工质量。
东南大学
2021-04-11
在二维极限下的高温超导体中对零能束缚态的研究
通过超高真空分子束外延技术，在SrTiO3衬底上成功制备出宏观尺度的单原胞层（厚度小于1纳米）高温超导体FeSe与FeTe0.5Se0.5单晶薄膜，其超导转变温度大约在60 K左右，并通过原位扫描隧道显微镜和隧道谱技术对其中的超导配对机制进行了深入研究。 原位扫描隧道显微镜观测表明沉积的Fe原子处于薄膜上层的Te/Se原子间隙处。由于沉积密度极低，Fe原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近无近邻Fe原子团簇。系统的原位超高真空（~10-10 mbar）扫描隧道谱实验发现，对特定的吸附原子/单层FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合强度[数量占比约13% (15%)]，Fe吸附原子上可观测到尖锐的零能电导峰（图1）。该电导峰紧密分布在吸附原子附近，衰减长度~3 A，且远离吸附原子时不劈裂。变温实验表明，零能电导峰在远低于超导转变温度时即消失，可初步排除Kondo效应、常规杂质散射态等解释（图2A和图2B）。进一步的控制实验和分析显示，零能电导峰半高宽严格由温度和仪器展宽限制、在近邻双Fe原子情形不劈裂、服从马约拉纳标度方程，这些结果均与马约拉纳零能模的唯象学特征吻合（图2C-图2G）。对沉积于单层FeSe薄膜与FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，结果基本相同。相比于单层FeSe，统计结果表明单层FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中观测到零能束缚态的几率更高且信号更强。波士顿学院汪自强教授和合作者曾在理论上提出，无外加磁场时，强自旋-轨道耦合s波超导体间隙磁杂质可产生量子反常磁通涡旋。理论上如果单层FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空间反演对称破缺而具有较强的Rashba自旋-轨道耦合, Fe原子的磁矩局域破坏时间反演对称，可以使量子反常涡旋“承载”马约拉纳零能模。对单层FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理论也预测存在拓扑非平庸相。在二维拓扑超导体中，马约拉纳零能模也会产生于Fe原子诱导的量子反常涡旋中的束缚态。因此，实验中观测到的零能电导峰可归因于Fe吸附原子引起的局域量子反常涡旋。更深入、具体的理解还有待于进一步的实验和理论探索。这一工作将探索马约拉纳零能模的超导材料从三维拓展到二维、从低温超导拓展到超过40 K超导转变温度的高温超导体系，同时无需外加磁场，观测到的零能束缚态原则上可操纵、“存活”温度明显提升。这些优势为未来实现可应用的拓扑量子比特提供了可能的方案。
北京大学
2021-04-11
一种制备高催化活性天然沸石负载一维TiO2纳米线的方法
本发明属于光催化技术领域，具体为一种制备高催化活性天然沸石负载一维TiO2纳米线复合材料的方法和相关工艺参数。该制备方法为溶胶凝胶/水热合成法。首先，以钛酸丁酯(Ti(OC4H9)4)为前驱体，二乙醇胺为络合剂，无水乙醇为溶剂，配制TiO2溶胶；然后，采用浸渍法，在经酸处理的天然沸石上负载TiO2溶胶，干燥、煅烧；最后，将负载TiO2的沸石放置NaOH水溶液中，在一定温度下进行水热反应；所得产物用去离子水洗涤并置于稀HCl溶液中浸渍一定时间；再将所得产物洗涤、烘干、煅烧，即可得到天然沸石负载一维纳米
天津城建大学
2021-01-12
氧化物抑制层辅助二维MoX2 (X=S, Se, Te)单层的可控生长
高质量钼系硫族化合物单层材料的CVD生长一直受限于难以控制的化学动力学条件，其中最为重要的是对于Mo蒸汽释放的合理调控。近日，课题组在传统的MoO 3
南方科技大学
2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14