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维意真空多靶高真空磁控溅射镀膜机支持定制
MS-450高真空多靶磁控溅射镀膜机
真空腔室：直径450✕H400mm，1Cr18Ni9Ti优质不锈钢材质，氩弧焊接，前开门结构；
真空系统：机械泵+分子泵（进口和国产可选）；
极限真空：优于5✕10-5Pa（经烘烤除气后）；
真空抽速：大气～8✕10-4Pa≤30min；
升降基片台：2～6英寸基片台，靶基距60～120mm连续在线自动可调，旋转0～20r/min可调，可加热至500℃（可选水冷功能），可选配偏压清洗功能；
磁控靶：直径3英寸2～4只（可升级成直径4英寸靶2～3只），兼容直流和射频，可以溅射磁性材料的靶材；
溅射电源：直流脉冲溅射电源、全自动匹配的射频溅射电源可任选；
质量流量计：2～3路工艺气体，可根据工艺要求增加；
膜厚监控仪：可选配国产或进口单水冷探头膜厚仪；
控制方式：PLC+触摸屏控制系统，具备漏气自检与提示、通讯故障，实现一键抽停真空。
北京维意真空技术应用有限责任公司
2025-04-25
维意真空手套箱金属有机蒸发镀膜机支持定制
SEV-400手套箱金属有机蒸发镀膜机
真空腔室：采用立式方形结构，前门为水平滑开式，位于手套箱体内部，前开门便于蒸发材料和样片在保护环境下装卸，后开门便于真空室的清理维护（后门带锁紧装置在充气条件下保持腔室密闭与大气环境隔离），整机位于手套箱体下面，节约占地面积；
真空系统：国产分子泵作为主抽泵，真空极限高达2.0✕10-5Pa，另可选进口磁悬浮分子泵或是低温泵作为主抽泵，真空极限高达3.0✕10-6Pa；
真空抽速：大气～5✕10-4Pa≤30min（手套箱环境中）；
基片台：最大120mm基片/15～25mmITO/FTO玻璃25片，可定制一体化高精度刻蚀掩膜板，基片台公转，转速0～20r/min可调，衬底可选择加热（室温～300℃可调可控）或水冷，基片台可选升降，源基距最大350mm；
蒸发源及电源：4～6组欧美技术金属或有机束源炉蒸发源可选，多元共蒸获得复合膜/分蒸获得多层膜，功能强大，性能稳定；真空专业蒸发电源，恒流/恒功率控制，电流、功率可以预先设置，可实现一键启动和停止的自动控制功能；
膜厚监控仪：采用国产或进口膜厚监控仪在线监测和控制蒸发速率、膜厚；
控制方式：PLC+触摸屏控制系统，具备漏气自检与提示、通讯故障，实现一键抽停真空。
北京维意真空技术应用有限责任公司
2025-04-27
一种扭摆式叉指微机电磁场传感器
本发明公开了一种用于测量磁场方向的微机电系统磁场传感器，包括从下向上依次叠加设置的玻璃衬底，深掺杂硅层，掺杂硅层的中部为扭转叉指结构，扭转叉指结构的正对位置设置有静态叉指结构。静态叉指结构的两端设有锚区，中间扭转可动叉指的的支撑梁的两端都设有锚区；静态叉指与中间扭转叉指形成第一电容和第二电容。该磁场传感器结构简单，可以实现磁场方向以及幅度的测量。
东南大学
2021-04-11
一种扭摆平移式微机电磁场传感器
本发明公开了一种用于测量磁场方向的微机电系统磁场传感器，包括从下向上依次叠加设置的衬底、底电极层、牺牲层、氧化硅层及金属层，牺牲层的中部空心，氧化层的中部为扭转板，金属层的顶面设有锚区，金属层位于扭转板上方；扭转板的上方设置第一电容、第二电容，第三电容和第四电容，扭转板的顶面布设有第一电容引线、第二电容引线、第三电容引线，第四电容引线和沿扭转板边缘布设的金属线；金属线的两端分别与一个焊盘连接；底电极层与金属层连接；在氧化硅层的边部上方设置焊盘，金属层与焊盘连接。该磁场传感器结构简单，可以实现磁场方向以及幅度的测量。
东南大学
2021-04-11
基于铜耗最小的轴向磁场磁通切换容错电机容错控制方法
本发明公开了一种基于铜耗最小的轴向磁场磁通切换容错电机容错控制方法，使轴向磁场磁通切换容错电机发生单相断路故障时能够运行在容错状态，并使电机的铜耗最小化。逆变器采用三相四桥臂容错拓扑，根据相电流判断故障状态。当正常运行时，逆变器工作在三相三桥臂模式下，轴向磁场磁通切换容错电机控制系统采用ｉｄ＝０的ＳＶＰＷＭ控制策略，分配ｄ轴、ｑ轴电流；当发生单相故障时，进行容错控制，逆变器工作在两相三桥臂模式下，并通过控制容错绕组电流给电机增磁，使电机整体的铜耗最小化。本发明在单相断路情况下，以铜耗最小为优化目标，
东南大学
2021-04-14
一种多气隙轴向磁通-磁场调制永磁电机
本发明公开了一种多气隙轴向磁通-磁场调制永磁电机，该永磁 电机包括依次在轴向方式上交错设置的若干定子和若干转子.其中永 磁电机的两端为两个表贴式永磁转子，其余转子为内嵌式永磁转子； 若干定子结构尺寸相同，双边开槽并采用环形绕组，沿圆周方向上相 对于其上一个定子依次偏移半个槽距机械角度。按照本发明实现的多 气隙轴向磁通-磁场调制永磁电机，能够在保留了磁场调制电机的优良 性能的基础上，综合性地解决了磁场调制电机转矩密度受限和功率因 数较低的固有问题。
华中科技大学
2021-04-14
一种基于磁场触发的超晶格相变单元的逻辑门电路
本发明公开了一种基于磁场触发的超晶格相变单元的逻辑门电 路，包括磁场发生模块，超晶格相变模块、分压电阻以及可控开关元 件；通过给超晶格相变模块施加脉冲磁场与电压脉冲来控制其阻态切 换；分压电阻与超晶格相变模块连接，其连接点作为逻辑门电路的输 出端；可控开关元件设于超晶格相变模块与分压电阻之间的连接线上； 通过闭合可控开关元件，在超晶格相变模块施加高电压或低电压脉冲 信号实现逻辑写入；通过断开可控开关元件，在逻辑门电路的输出端 读取逻辑运算结果；可实现与、或、非、或非、与非、同或、异或、 蕴涵、逆蕴涵
华中科技大学
2021-04-14
二维DDA程序
不连续变形分析（DDA)是与有限元平行的数值计算方法，由美籍华人石根华博士创立。该方法对于模拟固体材料的大位移、大变形及破坏过程具有独到的优势。本成果来自有重大应用前景的横向项目，项目组历时两年，依据DDA理论独立开发了二维DDA核心计算程序，具有完全的自主知识产权，处于国内领先水平，得到DDA创始人的首肯。宏观方面，程序可以模拟滑坡、滚石等地质灾害现象。微观方面，可以模拟材料的裂纹形成与扩展的全过程。上述两方面仅是举例，程序应用领域不受限制。附图表明，程序已克服DDA中的最大难点，能处理块体间复杂的接触关系。
西南交通大学
2016-06-27
一种基于双频磁场磁纳米磁化强度的温度测量方法
本发明公开了一种基于双频磁场磁纳米磁化强度的温度测量方法，属于磁纳米测试技术领域。本发明将磁纳米样品放置在待测对象处，对放置磁纳米样品的区域施加双频激励磁场，采集双频磁场激励下磁纳米样品的磁化强度信号，然后从中提取出各次谐波幅值，最后根据谐波与温度的关系构建方程组求解温度。本发明可以快速准确的测量物体温度，特别适用于非接触式温度测量。
华中科技大学
2021-04-14
一种平顶脉冲磁场产生装置及平顶脉冲电流产生装置
本发明提供了一种平顶脉冲磁场产生装置及平顶脉冲电流产生 装置，其中平顶脉冲磁场产生装置包括变压器，由变压器的原边线圈、第一电容器、第一开关和磁体依次串联构成的第一回路，以及由变压 器的副边线圈、第二电容器和第二开关依次串联构成的第二回路；第 一回路还包括并联在第一电容器两端的第一续流回路；第二回路还包 括并联在第二电容器两端的第二续流回路。第一续流回路包括依次连 接在第一电容器两端的第一电阻和第一单向导通元件。第二续流回路 包括依次连接在第二电容器两端的第二电阻和第二单向导通元件。本 发明通过电压器
华中科技大学
2021-04-14