医学院、教学医院里的临床技能实训中心用于整个中心信息化管理、人员管理、财产管理、教学活动管理、考核管理等。对整个中心数据进行采集、分析、处理等。

随着物联网设备的指数型增长，传统云计算的集中式处理方法已不能满足数据处理和数据安全等需求，边缘计算应运而生。边缘计算可以提升物联网的智能化，促使物联网在各个垂直行业落地生根。但是，一般的应用都默认只支持一种物联网组网协议或使用一种边缘计算框架，且组网协议跟边缘计算框架的接入十分繁琐，用户使用操作不便，耗时长。   一种集成多组网协议多边缘计算框架的边缘计算处理平台可同时兼容多种组网协议和集成多种边缘计算框架，简化接入步骤，大幅度降低用户的操作步骤和时长。同时，部署简单快捷，通过配置文件执行一键启动脚本即可实现平台的自动化部署及统一管理。与现有技术相比，该平台配置变更灵活。针对不同的服务器，不同的设备，只需要修改配置文件就可以直接部署生效。无须重新编译代码，无须重新创建镜像。此外，该平台具有良好的扩展性，极高的并发处理能力和很强的稳定性。可利用硬件加速数据处理，通过对FPGA、GPU和ASIC等的加速算法实现对数据的加速处。

        LGH-DQ01A型 工业机器人自动化综合实训平台主要用于工业机器人电气系统、气动系统的设计、安装、调试、维护维修；工业机器人PLC编程；工业机器人变频、伺服系统的参数调整与编程控制；工业机器人传感器的检测与应用；人机界面编程与应用。         工业机器人自动化综合实训平台为模块化开放式设计结构，主模块可作为独立的实训系统单独使用，也可通过标准接口与电工实操、电气控制、气动控制、伺服步进、传感检测、机械拆装等子模块组合，构成不同功能的自动化控制实训项目。各种电气元器件、机械构部件、系统运行状态具有直观性，功能具有可扩展性，应用具有安全性。工业机器人自动化综合实训平台可用于自动化电气部件、气动部件、伺服电机、步进电机、变频器、传感器、可编程控制器、触摸屏等工业控制系统中最常用的设备的安装、接线、调试，可开展自动化相关控制技术的实训。 一、技术参数 1.单相 AC 220V±10% 50 Hz； 2.整机功耗：≤ 3kW； 3.环境温度：-10～40 ℃； 4.环境湿度：≤90%（25℃）； 5.安全保护措施：具有接地保护、漏电保护功能，安全性符合相关的国家标准； 6.外形尺寸（长宽高）：1800×1200×1500mm。 二、主要配置 序号 名称 主要技术指标 数量 单位 1 主模块（PLC、变频、触摸屏） 钣金喷塑台架，1600X800X1200配脚轮。 输入电源:三相AC380V±10%； 整体功率：<0.6kVA； 气源压力：≥0.4MPa； 工作温度：-5ºC～+40ºC； 工作湿度85%（25ºC）； 整机重量：≤120Kg 由三菱FX3U-48MT，三菱变频器，三相异步电机，7寸触摸屏，三菱cclink通讯模块，台式电脑（自配）、按钮盒等组成 1 套 2 电气控制模块 由交流接触器，继电器，控制按钮，网孔板等组成 1 套 3 气动模块 由2只执行气缸，2个电磁阀，1个调压表，磁开关，网孔板等组成 1 套 4 伺服步进模块 由伺服电机，丝杆，步进电机，网孔板等组成 1 套 5 传感器模块 由电感式接近、电容式接近、光电、光纤、温度、霍尔、磁性、光幕等传感器，网孔板等组成 1 套 6 机械拆装模块 上料模块、下料模块、输送线模块 1 套 7 常用工具 大小一字十字螺丝刀、电工刀、压线钳、剥线钳、电烙铁、焊锡丝、斜口钳、电工胶布、试电笔等 1 套 8 信号线 编程线、触摸屏下载线、触摸屏与PLC通讯线 1 套 三、实训项目 1、基础实训项目： （1）低压电器选型实训 （2）配电工艺实训 （3）点动、长动等控制线路的安装实训 （4）正反转控制线路的安装与调试实训 （5）顺序控制线路的安装与调试实训 （6）降压启动控制路的安装与调试实训 （7）自动往返控制线路的安装、调试实训 （8）PLC编程方法训练实训 （9）PLC指令训练实训 （10）PLC控制电机训练实训 （11）PLC控制变频器训练实训 （12）PLC采集传感器信号训练实训 （13）PLC控制气动装置训练实训 （14）PLC对电机速度控制训练实训 （15）PLC 1:1通讯实训 （16）PLC N:N通讯实训 （17）触摸屏页面设计实训 （18）触摸屏参数设置实训 （19）PLC与触摸屏通讯实训 （20）变频器选型实训 （21）变频器控制线路设计实训 （22）变频器参数设置实训 （23）变频器点动、正转、反转控制实训 （24）变频器7段数控制实训 （25）变频器15段数控制实训 （26）变频器与PLC通讯实训 （27）变频器与触摸屏通讯实训 2、气动实训项目： （1）PLC控制气动系统完成模拟钻床上钻孔动作实训 （2）气动实训系统中搭建自动开关门装置时实训 （3）气动实训系统中搭建气缸给进系统实训 （4）用PLC完成双缸动作回路控制实训 （5）用PLC控制气动系统完成某家具试验机的设计实训 3、传感器模块实训项目： （1）电感式接近传感器应用实训 （2）电容式接近传感器应用实训 （3）光电传感器应用实训 （4）光纤传感器应用实训 （5）温度传感器应用实训 （6）霍尔传感器应用实训 （7）磁性传感器应用实训 （8）光幕传感器应用实训 4、伺服步进模块实训项目： （1）步进电机驱动选型实训 （2）步进参数设置实训 （3）步进电机控制线路设计实训 （4）步进电机控制程序设计实训 （5）伺服电机与驱动选型实训 （6）伺服参数设置实训 （7）伺服电机控制线路设计实训 （8）定位控制实训 （9）转矩控制实训 （10）速度控制实训 5、机械拆装模块实训项目 （1）上料模块拆卸 （2）下料模块拆卸 （3）输送线模块拆卸 （4）输送线模块装配与调试 （5）下料模块装配 （6）上料模块装配

本发明公开了一种基于六维力传感器和双目视觉的机器人打磨装置及打磨方法，打磨装置包括机械臂、传感器固定座、六维力传感器、工业相机、柔性连接件、电机固定座、打磨电机和双轴加速度传感器；六维力传感器通过传感器固定座与机械臂的末端关节固定连接；六维力传感器通过柔性连接件与电机固定座柔性连接，打磨电机安装在电机固定座上；工业相机对称设在柔性连接件的两侧；双轴加速度传感器分别设在机械臂的末端关节和打磨电机上。打磨方法包括步骤1，深度点云图生成；步骤2，打磨时机控制；步骤3，PI控制打磨和步骤4，机械臂位置补偿。本发明简单稳定，易于控制，打磨效果好，效率高；同时，还能补偿打磨过程中的位置偏移，提高加工质量。

通过超高真空分子束外延技术，在SrTiO3衬底上成功制备出宏观尺度的单原胞层（厚度小于1纳米）高温超导体FeSe与FeTe0.5Se0.5单晶薄膜，其超导转变温度大约在60 K左右，并通过原位扫描隧道显微镜和隧道谱技术对其中的超导配对机制进行了深入研究。 原位扫描隧道显微镜观测表明沉积的Fe原子处于薄膜上层的Te/Se原子间隙处。由于沉积密度极低，Fe原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近无近邻Fe原子团簇。系统的原位超高真空（~10-10 mbar）扫描隧道谱实验发现，对特定的吸附原子/单层FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合强度[数量占比约13% (15%)]，Fe吸附原子上可观测到尖锐的零能电导峰（图1）。该电导峰紧密分布在吸附原子附近，衰减长度~3 A，且远离吸附原子时不劈裂。变温实验表明，零能电导峰在远低于超导转变温度时即消失，可初步排除Kondo效应、常规杂质散射态等解释（图2A和图2B）。进一步的控制实验和分析显示，零能电导峰半高宽严格由温度和仪器展宽限制、在近邻双Fe原子情形不劈裂、服从马约拉纳标度方程，这些结果均与马约拉纳零能模的唯象学特征吻合（图2C-图2G）。对沉积于单层FeSe薄膜与FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，结果基本相同。相比于单层FeSe，统计结果表明单层FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中观测到零能束缚态的几率更高且信号更强。波士顿学院汪自强教授和合作者曾在理论上提出，无外加磁场时，强自旋-轨道耦合s波超导体间隙磁杂质可产生量子反常磁通涡旋。理论上如果单层FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空间反演对称破缺而具有较强的Rashba自旋-轨道耦合, Fe原子的磁矩局域破坏时间反演对称，可以使量子反常涡旋“承载”马约拉纳零能模。对单层FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理论也预测存在拓扑非平庸相。在二维拓扑超导体中，马约拉纳零能模也会产生于Fe原子诱导的量子反常涡旋中的束缚态。因此，实验中观测到的零能电导峰可归因于Fe吸附原子引起的局域量子反常涡旋。更深入、具体的理解还有待于进一步的实验和理论探索。这一工作将探索马约拉纳零能模的超导材料从三维拓展到二维、从低温超导拓展到超过40 K超导转变温度的高温超导体系，同时无需外加磁场，观测到的零能束缚态原则上可操纵、“存活”温度明显提升。这些优势为未来实现可应用的拓扑量子比特提供了可能的方案。

本发明属于光催化技术领域，具体为一种制备高催化活性天然沸石负载一维TiO2纳米线复合材料的方法和相关工艺参数。该制备方法为溶胶凝胶/水热合成法。首先，以钛酸丁酯(Ti(OC4H9)4)为前驱体，二乙醇胺为络合剂，无水乙醇为溶剂，配制TiO2溶胶；然后，采用浸渍法，在经酸处理的天然沸石上负载TiO2溶胶，干燥、煅烧；最后，将负载TiO2的沸石放置NaOH水溶液中，在一定温度下进行水热反应；所得产物用去离子水洗涤并置于稀HCl溶液中浸渍一定时间；再将所得产物洗涤、烘干、煅烧，即可得到天然沸石负载一维纳米

高质量钼系硫族化合物单层材料的CVD生长一直受限于难以控制的化学动力学条件，其中最为重要的是对于Mo蒸汽释放的合理调控。近日，课题组在传统的MoO 3

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼