本发明公开了一种非平衡等离子体产生装置及颗粒状粉末表面 改性处理系统，包括腔体、屏蔽网以及设置在腔体内的高压电极单元 和低压电极单元；高压电极单元设置在高压电极绝缘盖板的下表面， 高压电极单元包括多个均匀阵列排布的高压线电极，在高压电极绝缘 盖板上设置有多个均匀阵列排布的第一通孔；各个高压线电极的一端 与高压电极引线的一端固定；高压线电极的另一端通过高压电极固定 螺栓固定，高压电极引线的另一端通过第一通孔引出；并将各个高压 电极引线连接后作为非平衡等离子体产生装置的脉冲高压输入端。本 发明采用了高压

本发明公开了一种基于静电纺丝工艺制备高比表面积碳纤维布 的方法，包括：(a)将聚丙烯腈溶入到二甲基甲酰胺中并混合均匀，然 后基于静电纺丝工艺生成纳米量级的高分子聚合物细丝；(b)将所生成 的高分子聚合物细丝执行缠绕，并形成微米量级的高分子聚合物细线； 然后采用该高分子聚合物细线作为纬线和经线，交织形成布状结构； (c)在保护气氛下，将布状结构在 800℃～900℃的温度下执行热解，并 使得高分子聚合物碳化生成碳纤维布；(d)使得碳纤维布的表面活化， 由此制得所需的碳纤维布产品。通过本发明，能够制得具

本发明涉及一种大型复杂金属表面等离子体与脉冲放电复合抛 光加工装置，目的是解决常规金属表面精密加工和抛光方法的不足及 加工和抛光效率低、易产生加工应力和表层损伤等问题。该装置包括 射频电源、射频电源匹配器、高压直流脉冲电源、脉冲电源极性调节 装置、高压直流脉冲电源阻抗、等离子体炬、加工保护罩、控制电路 和联动机构；本发明是在大气压下对金属的表面的精密加工和抛光， 不需要真空室和特制的抛光液，可降低设备成本并扩大其使用范围。 加工效率是传统抛光方法的几倍，并且是无应力加工，无表面和亚表 层损伤、无表面污染，抛光工件的表面粗糙度可达到 Ra-0.2μm。 

本发明公开一种基于人工表面等离激元的微波涡旋波发生器。该结构工作在微波频段，由双层人工表面等离激元波导实现对于电磁波的传输，上层波导和下层波导之间的连接通过一个金属过孔实现。该微波涡旋波发生器的辐射部分主要由一系列放置在人工表面等离激元波导旁边的圆形贴片实现，同时这些圆形贴片作为谐振器也提供了产生不同的涡旋波所需的相位。这种微波涡旋波发生器可以在不同频率处实现具有不同轨道角动量模式的涡旋波，而不需要在结构上做出任何改变。

项目简介 一种在钛金属表面制备高质量镍基合金涂层的激光熔覆方法，其特征是它由混合粉 压实片预制和激光熔覆处理二个步骤组成。所述的混合粉压实片预制是指将镍基自熔性 合金粉末、氧化镧粉末先用球磨机混合均匀，然后烘干，最后在压力机上压制成片。所 述的激光熔覆处理是指将压制片放置在经清洁处理的钛合金表面，然后进行激光熔覆加 工。本发明通过添加氧化镧（La2O3），提高了镍基涂层粉末对激光热的吸收性能，提高 了涂层与基体的界面融合性能。 产品性能、指标 本发明熔覆工艺

项目简介 一种在钛金属表面制备 Nb 基多元元素粉末熔合合金涂层的方法，它由预制由 Nb 粉、 Sn 粉、Zr 粉、Ti 粉组成的混合粉压实片和激光熔覆处理二个步骤组成。所述的预制混合 粉压实片是指将一定质量百分比的 Nb 粉（62.2%）、Sn 粉（26.5%）、Zr 粉（10%）、Ti 粉 （1.3%）先用球磨机混合均匀，然后烘干，最后在压力机上压制成片。所述的激光熔覆 处理是指将压制片放置在经清洁处理的钛合金表面，然后进行激光熔覆加工。本发明熔 覆工艺性能优良，涂层组织致密，界

近年来，我国社会工业快速发展，科学技术迅速提高，尤其是石油工业的发展更是突飞猛进，氧化铝作为石油工业中最常用的催化剂载体，其性能越来越受到人们的重视，其中比表面积和孔性质是评价氧化铝性能的主要标准，优质的氧化铝应具备以下优点：比表面积高、孔容大、孔径分布集中，制备具有以上优点的氧化铝成为石油工业的研究热点。拟薄水铝石作为制备各种氧化铝的前驱体以及制备石油工业催化剂的原料也越来越受到企业的重视。在工业上，拟薄水铝石的制备方法主要有酸法、碱法、醇铝法，但以上几种方法自身均有一定的缺陷，如酸法制备的拟薄水铝石比表面积较小，碱法产物中含有Na+杂质，醇铝法生产成本过高。 成果亮点 我们对成本较低的酸法进行改进，成功制备具有高比表面积、大孔容、大孔径且孔径分布集中的拟薄水铝石（比表面积310540 m2/g、孔容0.41.9cm3/g、平均孔径612 nm、最可几孔径520 nm范围内可调），已经获得国家发明专利授权。

实验原理 1、在电磁场的作用下，材料中的自由电子会在金属表面发生集体振荡，产生表面等离激元（Surface Plasmon）； 2、共振状态下电磁场的能量被有效转换为金属表面自由电子的集体振动能。

半导体纳米线是一种独特的准一维纳米材料。它不仅是电荷的最小载体，也是构建新的复杂体系和新概念纳米器件的基元。在该领域中，新现象和新概念层出不穷，推动着材料、物理、化学等交叉学科的发展，并将对未来电子、光电子、通讯等产业产生重大影响。在这一当今最前沿的研究领域中，国际上尤其是发达国家集中了最精锐的研发力量，以期望在纳米器件的实用化方面有所突破，在未来高科技争夺战中，保持领先并居于主导地位。在纳米研究领域，美国政府仅在2005年就投入10亿美元，而日本在同一年的投入约12亿美元。 我国的《国家中长期科技发展规划纲要》中也已经把纳米科技作为基础研究重大研究计划，列入重点支持范围。其中一维功能纳米材料的控制合成、性能调控及应用研究是目前纳米材料研究的世界热点。 张跃教授承担了973、863、重大国际合作、自然科学基金杰出青年基金和面上项目等各类纳米研究方向的课题，通过创新合成方法、优化合成工艺，实现了多种形貌的一维功能纳米材料的可控制备，利用等多种手段对纳米材料的形貌、结构进行了表征，并对其生长机理、力学性能以及光致发光、场发射、导电性等物理性能进行了系统和深入的研究，特别是在碳纳米管及ZnO纳米阵列的实际应用领域取得了重要突破，其代表性成果包括： 1.改进了ZnO和掺杂ZnO一维纳米材料的制备方法。采用化学气相沉积法，在较低温条件下，通过不同工艺成功制备了纯ZnO及In、Mn、Sn等掺杂ZnO纳米棒、纳米线、纳米带、纳米电缆、纳米阵列、四针状纳米棒、纳米梳、纳米盘等多种形貌结构的纳米材料，实现了一维ZnO纳米材料较低温度条件下形态和尺度控制生长，产物品质纯净、产率高、质量好，易于工业化生产。制备方法受到国际同行的高度评价，认为是半导体制造领域中氧化物纳米结构集成方法的重大进步，不仅对从事纳米材料研究的科学家，而且对半导体产业意义重大。有关双晶ZnO纳米带的论文发表在国际知名期刊Chemical Physics Letters (2003，375：96-101)上，论文被引用60余次，位列该期刊2003至2007年被引用前50名之内。 2.提出了一维氧化锌纳米材料新的生长机理。首次合成四针状纳米氧化锌材料并揭示了该结构的八面体孪晶核生长的理论模型，该研究结果的论文发表在Chemical Physics Letters (2002,358:83-86)上，被他引更是达到了130 余次。首次发现和论证了一维氧化锌纳米结构中的螺旋位错诱导晶体生长机理，观察到了一维氧化锌纳米材料存在的大量螺旋位错、周期性的位错及生长台阶，发现生长是沿着位错进行，且与其伯格斯矢量的方向一致。 3.原位研究单根ZnO和In-ZnO纳米线的力学行为。利用TEM对单根纳米线加载交变电压使其发生共振，原位测量其本征共振频率，通过计算得出氧化锌纳米线的弯曲模量。氧化锌纳米线可以构建纳米悬臂梁和纳米谐振器，通过氧化锌纳米线构建的纳米秤，测量了黏附在纳米线自由端的纳米颗粒质量。该研究论文发表在英国物理协会的期刊J. Phys.: Condens. Matter( 2006, 18 (15), L179-L184)上，被评为该期刊2006年度的顶级论文(Top paper)，位列其中第九名，是该年度该期刊22篇Top papers研究论文中唯一由中国研究人员完成的成果。 4.合成了多种ZnS准一维纳米材料，并提出了四针状ZnS纳米结构的生长机理，指出其生长过程由立方相形核和六方相孪晶生长机制共同控制。同时率先报道了ZnS四针状纳米材料的光致发光性能，发光波长相对其它ZnS 纳米材料发生蓝移4.8~32.8nm。该研究论文发表在国际著名期刊Nanotechnology (18 (2007) 475603)上，在发表后的第一个季度内，下载量就超过250次，成为该期刊排名前10％的热点文章。 5.碳纳米管及ZnO纳米阵列的实际应用取得了重要突破。采用涂敷和CVD两种方法成功制备了多种大面积碳纳米管阴极，采用水热合成法制备了大面积一维纳米ZnO阵列阴极。首次研究了纳米阴极的强流脉冲发射性能，其中碳纳米管阴极的发射电流密度高达344 A/cm2，ZnO阴极的发射电流密度达到123A/cm2。系列研究成果发表在Carbon、Appl. Phys. Lett.等国际著名期刊上。研制的多种纳米阴极在线性感应加速器上已经得到成功应用，阴极的发射电流强度及发射电子的均匀性远远高于现有的阴极性能指标。 张跃教授有关纳米材料的研究成果获教育部高等学校科学技术奖（自然科学奖）二等奖1项（2006-052），完成专著1部，另合作出版专著1部，发表论文80 余篇（其中SCI 40余篇、EI 近20 篇），重要成果发表在Appl. Phys. Lett.、Carbon、Advan. Funct. Mater.、 J. Physical Chemistry C、Chemical Physics Letters、J. Phys.: Condens. Matter、J. Physics D: Applied Physics、J. Nanosci. Nanotech.等国际知名期刊上，申报12项发明专利（已授权5项）。发表研究论文中的4 篇代表性论文，已被引用300余次，单篇他引超过130次。