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天然气余压利用高效除湿器
根据 GB50521《输气管道工程设计规范》规定，进入输气管道的气体水露点应比输送条件下最低环境温度低 5℃，烃露点应低于最低环境温度，这样方可防止在输气管道中形成水合物和析出液烃。传统的天然气脱水除湿工艺需要加热及消耗化学药品，且设备所占空间大、投资高、设备维护工作量大等缺点。
西安交通大学
2021-04-11
54309天气和气候教学软件
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
GC-9217II 气相色谱仪
产品详细介绍GC-9217Ⅱ型智能网络化气相色谱仪主要技术指标：●操作显示：192*64点阵汉化液晶●温控区域：6路●温控范围：室温以上8℃～450℃，增量： 1℃， 精度：±0.1℃●程序升温阶数：8阶●程升速率：0.1～39℃/min（普通型）；0.1～80℃/min（高速型）●外部事件：4路；辅助控制输出4路●进样器种类：填充柱进样、毛细管进样、六通阀气体进样、自动顶空进样任选●检测器数目：3个（最多）；FID、TCD、ECD、FPD和NPD任选●启动进样：手动、自动任选●通信接口：以太网：IEEE802.3 GC-9217Ⅱ型智能网络化气相色谱仪检测器技术指标智能网络化气相色谱仪氢火焰离子化检测器（FID）●检测限：Mt≤3×10-12g/s （正十六烷）；●噪音：≤5×10-14A●漂移：≤1×10-13A/30min●线性范围： ≥106●最高使用温度：≤450℃智能网络化气相色谱仪热导检测器（TCD）●灵敏度：S≥4000mV?ml/mg（正十六烷）（放大1、2、4、8倍任选）●噪声：≤10μV●基线漂移：≤30μv/30min智能网络化气相色谱仪电子捕获检测器（ECD）●检测限：≤1×10-14g/s●线性范围：104●放射源：63Ni
上海本昂科学仪器有限公司
2021-08-23
GC9217I气相色谱仪
产品详细介绍GC-9217Ⅰ型智能网络化气相色谱仪主要技术指标：●操作显示：192*64点阵汉化液晶●温控区域：6路●温控范围：室温以上8℃～400℃，增量： 1℃， 精度：±0.1℃●程序升温阶数：8阶●程升速率：0.1～39℃/min（普通型）；0.1～80℃/min（高速型）●外部事件：4路●进样器种类：填充柱进样器、毛细管进样器任选 ●检测器数目：1个；FID、TCD，可选 ●启动进样：手动、自动任选●通信接口：以太网：IEEE802.3GC9217I检测器技术指标 氢火焰离子化检测器（FID）●检测限：Mt≤3×10-12g/s （正十六烷）；●噪音：≤5×10-14A●漂移：≤1×10-13A/30min●线性范围： ≥106●最高使用温度：≤450℃热导检测器（TCD）●灵敏度：S≥4000mV?ml/mg(正十六烷)（放大1、2、4、8倍任选）●噪声：≤10μV●基线漂移：≤30μv/30min
上海本昂科学仪器有限公司
2021-08-23
AB-1v单轴气浮平台
产品详细介绍技术指标： 外形尺寸：250*130*140mm 设计行程：70mm 定位分辨率：1um或0.5um 重复定位精度：2um 矩形空气轴承，直线电机驱动 预留试验装置安装接口SM-1A直线电机伺服控制原理教学示范平台 SM-1A直线电机平台是直线伺服系统的集成，主要包括直线电机、导轨、光栅编码器和控制驱动器。可以实现高速直线运动，体积小，重量轻，速度快，精度高。 技术指标： 平台的重复定位精度±3微米，定位精度±10um 最大运行速度1m/s 有效行程280mm 系统最大加速度2G（无负载情况） 运行环境：10度-40度 所需电源配置：24vdc，10A
北京慧摩森电子系统技术有限公司
2021-08-23
一维手动测高仪(内置气浮)
■ 可预置9组参考值, 快速切换
■ 安装指示表后, 可用于垂直度测量
■ 可手动快速移动测头
■ 内置气浮系统, 使移动轻便
■ 控制器带触摸按键
■ 显示屏带背景灯
■ 内置可充电电池, 一次充电可以连续使用40小时
■ 测量结果可输入到Excel/Word中, 相当于键盘输入方式
苏州英示测量科技有限公司
2021-12-15
一种基于光学天线的片上无线光通信系统
本发明公开了一种基于光学天线的片上无线光通信系统，现有关于光学频段天线的发明与研究多是基于诸如透镜、反射镜等传统光学器件，这些设计只适用于较大的光学范围。本发明利用金属光学天线自身的定向辐射特性，采用片上系统集成的方式，将光学天线发射基站、反射单元、光学天线中继单元以及光学天线接收终端构成基于光学天线的片上无线光通信系统。该系统能够大大降低通信网络中器件的串扰与功耗，同时使得系统空间响应大大减小达到亚波长量级，进而提高整个光纤通信网络的传输带宽与响应速度。
浙江大学
2021-04-11
一种光伏太阳能硅片上料设备及其系统
本实用新型公开了一种光伏太阳能硅片上料设备，包括：机架；安装在机架上用于将硅片沿着 X 轴方向输送路径可调换方向地输送至下位机的硅片输送机构；分别设置在输送路径的两侧用于贮存硅片的料盒；处于输送路径的上方，通过 Y 轴和 Z 轴方向的移动拾取硅片并将其释放至输送路径上执行输送的机械手，该机械手还具备硅片分离装置，由此在拾取硅片的过程中使得相邻硅片予以分离以便逐一拾取；用于对整体工况提供控制指令的电气控制系统；以及根据电气控制系统的控制指令对相应功能元件执行驱动的气动模块。本实用新型还公开了相应的上料系统。通过本实用新型，能够取得上料效率高、降低硅片破损率以及灵活设定传送方向等方面的优点。
华中科技大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
植物乳杆菌产细菌素研究及其在发酵香肠上的应用
一、成果简介 该课题受北京市自然科学基金项目“植物乳杆菌素对肉源李斯特氏病原菌作用机理研究”的资助，鉴于化学防腐剂在食品防腐应用中的不安全性，重点开展了新型生物防腐剂乳酸菌细菌素产生菌株的筛选，活性细菌素的分离纯化，细菌素及其产生菌株的应用研究。二、技术指标 从传统宣威火腿中分离筛选出一株高产
中国农业大学
2021-04-14