|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
治疗心血管疾病中药赤芍总苷片
该产品是从中药赤芍中提取的有效成份，主要用于因各种器质性心脏病（冠心病、心绞痛、心肌炎、心肌病、肺心病）引起的心肌损伤，并能用于慢性充血性心力衰竭的治疗。世界卫生组织调查结果显示：全世界每年约有1500万人死于心脏病，占总病死率54％以上。目前国内治疗心血管病的二类中药较少，该药的特点是结构成份清楚，治疗效果和机理明确，毒副作用小，可以满足市场需求，并具有
西安交通大学
2021-01-12
微包裹中药制剂技术及苦味掩味技术
药物微包裹仪项目，利用多轴射流微包裹技术，对药剂等进行实时微粒化包裹，应用在中药方向有效掩盖苦味帮助吞服，并且可以通过缓释原理帮助药物或者营养物质更好的吸收和起作用。
中国科学技术大学
2021-04-14
中药方剂在抗衰老药物中的应用
开发新一代的抗衰老药物，提供原中药方剂在抗衰老药物中的应用，可在制备抗衰老药物中应用。
兰州大学
2021-04-14
一种可控大长径比纳米探针的制备装置与制备方法
本发明提供一种可控大长径比纳米探针的制备装置，通过设置 腐蚀稳压电路、腐蚀电压切断电路、探针浸没判断电路，与单片机配 合实现对腐蚀过程中的腐蚀电压、探针浸没深度、探针提升速度等重 要参数的精确控制，能够制备大长径比、可控长径比、耐磨损、可回 收、成本低的纳米探针。本发明还提供一种可控大长径比纳米探针的 制备方法，采用探针浸入指定深度后不再停留腐蚀，而是一直不断提 起探针，从而形成针尖长、针尖曲率半径平滑变化、长径比大的新型 纳米探针，具有不易磨损、可回收再利用、使用成本低等显著优点， 并通过对腐蚀电
华中科技大学
2021-01-12
一种可控大长径比纳米探针的制备装置与制备方法
本发明提供一种可控大长径比纳米探针的制备装置，通过设置腐蚀稳压电路、腐蚀电压切断电路、探针浸没判断电路，与单片机配合实现对腐蚀过程中的腐蚀电压、探针浸没深度、探针提升速度等重要参数的精确控制，能够制备大长径比、可控长径比、耐磨损、可回收、成本低的纳米探针。本发明还提供一种可控大长径比纳米探针的制备方法，采用探针浸入指定深度后不再停留腐蚀，而是一直不断提起探针，从而形成针尖长、针尖曲率半径平滑变化、长径比大的新型纳米探针，具有不易磨损、可回收再利用、使用成本低等显著优点，并通过对腐蚀电压、探针浸没深度
华中科技大学
2021-04-14
一种糙米酵素酸奶的制备方法
本发明公开了一种糙米酵素酸奶的制备方法.其制备方法主要包括原料预处理,均质,灭菌,冷却,加糙米酵素 及发酵剂,发酵,冷却,灌装,冷藏.加糙米酵素和发酵剂是在100质量份处理后的混合液中加入糙米酵素3～7质量份和发酵剂4～6质量份进行接种;所述的 发酵剂为嗜热链球菌和保加利亚乳杆菌混合培养液,本发明糙米酵素是经糙米发酵而成,在具备糙米营养的同时,会衍生出数十种新的酵素,且富含γ-氨基丁酸, 谷胱甘肽,γ-谷维醇,神经酰胺,米糠脂多糖,矿物质等营养成分.融合了米糠酵素及酸奶双重功能,易于人体吸收,提高人体免疫力,并能活化细胞,是现代膳 食营养的有益补充.
黑龙江八一农垦大学
2021-05-04
ZnO突波吸收器及其制备方法
ZnO突波吸收器及其制备方法,它涉及突波吸收器及其制备方法.为了解决目前的ZnO突波吸收器原料混合均匀性差,粉体粒径大,性能差的问题.ZnO突波吸收器由ZnO瓷片和ZnO瓷片表面的银电极制成;ZnO瓷片由ZnO,Sb
哈尔滨师范大学
2021-05-04
污泥活性炭的制备方法和应用
本发明公开了一种污泥活性炭的制备方法，包括以下步骤：将取自污水处理厂的剩余污泥干燥、粉碎并过筛后，通过热解处理、氧化处理、氨化处理及甲基化处理得污泥活性炭；本发明还涉及按上述方法制得的污泥活性炭处理低浓度高氯酸盐废水的应用。本发明制备方法简单易行，成本低廉，制备的污泥活性炭吸附容量高，可重复利用，能有效处理低浓度高氯酸盐溶液，吸附过程不会造成二次污染。
湖南大学
2021-04-10
一种TiSiTaN涂层刀具及其制备方法
本发明属于机械切削刀具制造技术领域，特别涉及一种TiSiTaN涂层刀具及其制备方法。该刀具基体材料为硬质合金或高速钢，采用多弧离子镀+中频磁控溅射的方法制备，其结构为多层结构，刀具表面为TiSiTaN涂层，TiSiTaN层与基体之间有TiSiN、TiN和Ti过渡层。该刀具表面的TiSiTaN涂层有着非常高的硬度和强度，Ta元素可以改善涂层的韧性，同时可以显著提高涂层的抗氧化性能和热稳定性能。切削过程中TiSiTaN涂层能够有效地提高刀具抗氧化和抗磨损能力，从而提高刀具寿命。该涂层刀具可广泛应用于干切削和难加工材料的切削加工。
东南大学
2021-04-11
一种溴铅铯单晶制备方法
本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法，采用镀有碳膜的具有 圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料，具体包括如下步骤：将安瓿抽真 空密封；对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温， 使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化；对安瓿缓速降温，直到溴铅铯 粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低 0～5℃后保温，完成溴铅铯单晶 生长；对溴铅铯单晶分阶段降温：第一阶段快速降温，使溴铅铯单晶 快速冷却；第二阶段慢速降温，实现溴铅铯单晶晶体相变转化。本发 明提供的上述溴铅铯单晶制备方法，在单晶生长中与单晶降温中采用 了不同的降温速度，且采用了分阶段降温的方法，兼顾了晶体生长质 量与生长周期，有效解决现有技术在单晶制备过程因内应力导致溴铅 铯单晶开裂的问题。
华中科技大学
2021-04-11