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台式抽气罩(二节)|吸风罩
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咨询电话：0577-67473999
温州市育人教仪制造有限公司
2021-08-23
调频调幅二波段收音机套件
产品详细介绍
产品特点
CXA1691集成块、FM/AM两波段、便携式。
本电路是采用日产CXA1691集成块为收音核心，自带功放，声音清晰、静噪处理，灵敏度高、质量稳定、选择性好、耗电省，有电源指示功能，带耳插输出座。配3W8Ω大磁钢喇叭，声音响亮，大外壳制作容易。适合初中级电子爱好者自制。
产品参数
AM调幅部分
频率范围：535－1605KHz；
中频频率：465KHz
灵敏度：≤3mV/m（26dB S/N）
FM调频部分
频率范围：64－108MHz
中频频率：10.7MHz
灵敏度：≤30μV/m
工作电压：3V（2节5号电池)
静态电流：无讯号时≤20mA
输出功率：≥180mw（10%失真度）
外型尺寸：124×76×27mm
深圳市奥迪声电子经营部
2021-08-23
植宝素第二代
植宝素二代为浅绿色液体，含有机质、氮、磷、钾、铜、锰、锌、硼、钼等10余种营养元素。产品质量符合Q/ZB 11-2018标准。
本品通过叶面渗透到植物体内，能直接补充植物所需养分，增强细胞活力和促进新陈代谢，提高作物对养分的运转和吸收能力，以达到增加产量和提高品质的效果。
1.高浓缩有机无机营养液，富含10余种养分。
2.富含多种螯合态微量元素，作物更容易吸收。
3.特别添加有机硅表面活性剂，瞬间渗透，使作物快速吸收养分，提高肥料吸收率。
佛山市植宝生态科技有限公司
2021-11-02
二氧化氮球
产品详细介绍
泰州市江南教学仪器设备有限公司
2021-08-23
亚油酰乙醇胺在提高植物灰霉病和细菌性叶斑病抗性中的应用
本发明公开了亚油酰乙醇胺在提高植物灰霉病和细菌性叶斑病抗性中的应用以及在制备提高植物灰霉病和/或细菌性叶斑病抗性的制剂中的应用。本发明以亚油酰乙醇胺为主要有效成分制备的制剂，通过诱导植物体内的茉莉酸、水杨酸以及乙烯的信号路径，可显著增强植物对灰霉病和细菌性叶斑病的抗性，减少因灰霉病和细菌性病害给植株带来的经济损失。采用本发明制剂防治植物灰霉病和细菌性叶斑病简单易行，成本较低，可显著延迟和抑制灰葡萄孢、丁香假单胞菌单一或复合病原菌在叶片上的生长及病害的扩散，大大提高了植株对灰霉病和细菌性叶斑病的抗性。
浙江大学
2021-04-13
用于草酸二甲酯加氢制取乙二醇的铜硅催化剂及制备方法
本发明公开了一种用于草酸二甲酯加氢制取乙二醇的铜硅催化剂及制备方法。所述催化剂是以正硅酸酯为硅源,在以醇作为共溶剂的条件下,通过一锅法制备得到的。具体为正硅酸酯在铜氨络合物的水醇混合溶液中水解、陈化,然后通过蒸发水分、醇和氨使铜氨溶液中的铜组分均匀沉淀,最后经过水洗、干燥、焙烧和还原而得到的。所述催化剂由铜和二氧化硅组成,其中铜与二氧化硅的物质的量之比为0.05～0.4∶1。该催化剂在草酸二甲酯加氢制乙二醇的反应中,在较宽的温度范围内,都显示了很高的反应活性和选择性,易于操作,有利于工业化应用。
浙江大学
2021-04-11
2,5-二羟甲基-3,6-二甲基吡嗪的合成与精制方法
【发 明 人】李伟；文红梅；王天麟；周莹；陈磊【摘要】本发明公开了一种2，5-二羟甲基-3，6-二甲基吡嗪(liguzinediol)的合成和精制方法，该方法以2，5-二甲基吡嗪为原料，通过自由基反应直接生成liguzinediol。此工艺仅一步反应，反应温和，操作简便，反应时间短，成本低，收率高，易分离纯化，适于工业化生产。
南京中医药大学
2021-04-13
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用
本发明公开了一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用。在惰性气氛中，借助常见 的可与硫族单质(S，Se)反应的金属和氢气辅助控制体系中 S 或 Se 的浓度，以达到控制过渡金属层硫化 或硒化程度的目的，利用化学气相沉积方法可控地生长 TMDs 单晶;将沉积时的温度控制为 750°C至 850°C，并且沉积时间控制为 5 至 15 分钟，完成 TMDs
武汉大学
2021-04-14