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在二维极限下的高温超导体中对零能束缚态的研究
通过超高真空分子束外延技术，在SrTiO3衬底上成功制备出宏观尺度的单原胞层（厚度小于1纳米）高温超导体FeSe与FeTe0.5Se0.5单晶薄膜，其超导转变温度大约在60 K左右，并通过原位扫描隧道显微镜和隧道谱技术对其中的超导配对机制进行了深入研究。 原位扫描隧道显微镜观测表明沉积的Fe原子处于薄膜上层的Te/Se原子间隙处。由于沉积密度极低，Fe原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近无近邻Fe原子团簇。系统的原位超高真空（~10-10 mbar）扫描隧道谱实验发现，对特定的吸附原子/单层FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合强度[数量占比约13% (15%)]，Fe吸附原子上可观测到尖锐的零能电导峰（图1）。该电导峰紧密分布在吸附原子附近，衰减长度~3 A，且远离吸附原子时不劈裂。变温实验表明，零能电导峰在远低于超导转变温度时即消失，可初步排除Kondo效应、常规杂质散射态等解释（图2A和图2B）。进一步的控制实验和分析显示，零能电导峰半高宽严格由温度和仪器展宽限制、在近邻双Fe原子情形不劈裂、服从马约拉纳标度方程，这些结果均与马约拉纳零能模的唯象学特征吻合（图2C-图2G）。对沉积于单层FeSe薄膜与FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，结果基本相同。相比于单层FeSe，统计结果表明单层FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中观测到零能束缚态的几率更高且信号更强。波士顿学院汪自强教授和合作者曾在理论上提出，无外加磁场时，强自旋-轨道耦合s波超导体间隙磁杂质可产生量子反常磁通涡旋。理论上如果单层FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空间反演对称破缺而具有较强的Rashba自旋-轨道耦合, Fe原子的磁矩局域破坏时间反演对称，可以使量子反常涡旋“承载”马约拉纳零能模。对单层FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理论也预测存在拓扑非平庸相。在二维拓扑超导体中，马约拉纳零能模也会产生于Fe原子诱导的量子反常涡旋中的束缚态。因此，实验中观测到的零能电导峰可归因于Fe吸附原子引起的局域量子反常涡旋。更深入、具体的理解还有待于进一步的实验和理论探索。这一工作将探索马约拉纳零能模的超导材料从三维拓展到二维、从低温超导拓展到超过40 K超导转变温度的高温超导体系，同时无需外加磁场，观测到的零能束缚态原则上可操纵、“存活”温度明显提升。这些优势为未来实现可应用的拓扑量子比特提供了可能的方案。
北京大学
2021-04-11
一种二氧化碳浓度修正的呼出气多组分检测仪
本实用新型公开了一种二氧化碳浓度修正的呼出气多组分检测仪，该检测仪包括过滤瓶、载气气泵、干燥管、进样气泵、样品环、第一两相三通电磁阀、第二两相三通电磁阀、第三两相三通电磁阀、色谱柱和检测气室，连通后分别构成进样通路、清洗通路和检测通路。所述检测气室为长方体结构，开有PCB板槽、MOS传感器槽、二氧化碳传感器槽、测温孔、气体反应室等。传感器可快速给出响应并恢复基线，输出响应经信号处理与计算后，得出氢气、甲烷浓度，并可根据二氧化碳浓度进行修正，降低样本采集限制条件，减少呼气采集等人为因素造成的误差。该仪器功能完善，体积小，操作简便，准确性、稳定性、重复性较高，用户交互友好，有利于大规模临床应用的推广。
浙江大学
2021-04-13
超临界二氧化碳的萃取及脂质体等纳米颗粒的制备技术
成果介绍利用超临界二氧化碳技术制备载药脂质体以及实施萃取工艺，应用萃取行业及脂质体制备。1、茶叶加工残留物中茶多酚、富含茶多酚的茶油、含紫苏叶营养素的紫苏籽油、含南瓜营养成分的南瓜籽油以及虎杖、丹参等中药中活性物的提取解决方案2、维生素C、儿茶素等，以及典型的憎水性，如维生素E药物的脂质体制备方案3、提高药物药效的细粒化方案以及聚乳酸、聚醋酸乙烯酯等掺杂药物的纳米缓释颗粒的制备方案4、物料中活性物的萃取和制剂一体化解决方案。技术创新点及参数1、超临界二氧化碳共萃取技术2、超临界二氧化碳技术制备载药脂质体技术市场前景为行业龙头企业提供完整的工艺方案，采用合作方式落地商业化。另外，可为客户企业提供目标物质的脂质体成品，采用成品销售。医药、食品、农业的脂质体载体制备领域的广泛应用。
东南大学
2021-04-13
用于高效催化水解二硫化碳和羧基硫的多核钯簇合物催化剂
北京工业大学
2021-04-14
通过分子工程调控实现高选择性二氧化碳电还原转化
基于MDE具有明确活性中心结构的特点，团队进一步结合原位/在线X射线吸收光谱和理论计算深入揭示了取代基调控催化剂性能的机理（图3）。研究团队发现，NiPc MDEs的CO2还原起峰电位与Ni中心的部分还原紧密相关，而不简单取决于理论计算中的反应能垒。氰基（CN）取代可以使分子更容易被还原，因此具有更正的起峰电位。此外，OMe取代可以提高催化过程中Ni-N键强度并促进CO中间体脱附，从而提高催化剂稳定性。
南方科技大学
2021-04-14
氧化物抑制层辅助二维MoX2 (X=S, Se, Te)单层的可控生长
高质量钼系硫族化合物单层材料的CVD生长一直受限于难以控制的化学动力学条件，其中最为重要的是对于Mo蒸汽释放的合理调控。近日，课题组在传统的MoO 3
南方科技大学
2021-04-14
纳米银包裹二氧化硅纳微米球导电粉末及其制备方法和应用
本发明公开了一种纳米银包裹二氧化硅纳微米球导电粉末及其制备方法和应用。采用二氧化硅纳微米球表面预处理法，通过―晶核-生长‖理论控制纳米银颗粒在二氧化硅纳微米球表面的沉积:先将二氧化硅纳微米球在 SnCl2·2H2O/CF3COOH 溶液中进行表面处理;然后将处理后的 SiO2 纳微米球分散在乙醇中，倒入新配制的硝酸银和三乙醇胺的络合溶液中;最后，加入甲醛水溶液进行还原。所用的二氧化硅纳微米球，粒径大小在 0.
武汉大学
2021-04-14
一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管
本发明公开了一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管，包括：由下而上依次设置的衬底、ｎ型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、ｐ型氮化物层、ｐ型氮化物欧姆接触层，所述ｎ型氮化物层上设置的ｎ型电极和所述ｐ型氮化物层上设置的ｐ型电极；其中电子阻挡层由由下而上依次设置的ｐ型掺杂氮化物势垒层，非掺杂氮化物势阱层、利用共振隧穿效应增大空穴透过率的非掺杂势垒层联合
东南大学
2021-04-14
一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管
本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管，包括：由下至上依次设置的衬底，AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源区、AlzGa1?zN电子阻挡层，其中z>y>x，p型AlGaN层和透明导电层，在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型
东南大学
2021-04-14
一种激光打印机高质量文字输出的二位半色调方法
本发明公开了一种激光打印机高质量文字输出的二位半色调方法，以用户输入的待打印文件作为输 出源文件，与调幅阈值矩阵做第一次对比，生成只有两种曝光状态的半色调文件。第二次对比前先取特 征边缘点，然后待打印文件相应位置的灰度值与灰度等级的中值做第二次对比，生成四种曝光状态的半 色调文件。最后根据半色调文件控制半曝光激光打印机进行输出。本发明有效地改善在输出时文字边缘 的显示效果，二位半色调方法调整效果显著。
武汉大学
2021-04-14