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在拓扑外尔半金属晶体中观测到非平庸的超导特性
通过电输运、扫描隧道谱、比热、抗磁性等系统的实验研究并结合第一性原理计算，在掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中发现了非平庸超导态的特征。实验中所使用的硫掺杂的高质量二碲化钼晶体是通过化学气相输运的方法合成的，掺杂比例约为0.2。 首先通过准粒子干涉实验与第一性原理计算相结合，在样品表面探测到了费米弧拓扑表面态的存在。最后通过扫描隧道谱学和比热的测量对比，发现样品表面态的超导能隙远大于体态的超导能隙，而且该样品表面态的能隙与临界温度的比值（Δ/kBTc）约为8.6，远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值（约为1.76），表明了表面态具有非常规超导库珀对配对机制，极可能是拓扑超导的普适特征。然后通过电输运测量和比热测量，发现这种材料为s波超导体，且它的超导能隙的带间耦合很强，超导对称性应为s+- 对称性。这可能是继铁基高温超导之后，又一种新的s+-超导体。而且根据理论预言，拓扑外尔半金属中s+-对称性的超导态会形成拓扑超导态。掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中拓扑超导特征的发现，证实了外尔半金属中实现拓扑超导的可行性，推动了拓扑超导相关领域的进一步发展，也为拓扑量子计算机的最终实现奠定了前期的科研基础。图一. 电磁输运实验观测到的s+- 超导的证据，揭示拓扑超导的可能性。 (A) 电磁输运实验的测量示意图。 (B) 超导转变温度附近的电阻率-温度关系。(C) 各个温度和磁场下的电阻率。(D) 超导上临界磁场和温度的关系。红色的线是两带超导模型的拟合曲线，拟合结果发现带间耦合比较大，表明该超导行为是s+- 超导。图二. 扫描隧道显微镜观发现表面态的超导能隙远超过体态的超导能隙，揭示出拓扑超导的可能性。(A) 4 K和0.4 K下样品表面的微分电导dI/dV谱。在0.4 K下，超导能隙是1.7 meV，远大于体态的超导能隙，且能隙与临界温度的比值约为约为8.6，远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值（1.76）。4 K时样品处于非超导态。(B) 0.4 K超导dI/dV谱和各向同性BCS超导谱的对比。(C) 0.4 K时，不同磁场下的超导dI/dV谱，超导能隙被外加磁场所抑制。
北京大学
2021-04-11
一种光子晶体纳米流体传感器、其制备方法及应用
本发明属于传感器领域，并公开了一种基于微电子机械系统的 光子晶体纳米流体传感器，包括光刻胶层、硅晶片基底、第一折射率 材料薄膜层、第二折射率材料薄膜层和聚合物材料封接层，所述第二 折射率材料薄膜层的顶端设置有方波形的光栅结构，所述光栅结构包 括多个通槽和多个凸起并且它们交替排列，所述光刻胶层、硅晶片基 底、第一折射率材料薄膜层和第二折射率材料薄膜层共同构成传感器 基体层，所述传感器基体层上设置有进流口和出流口本。本传感器为 基于光子晶体的纳米流体传感器，成功解决了传统的光子晶体传感器 消耗检测物过多
华中科技大学
2021-04-14
一种结合光子晶体的分支滚环扩增检测miRNA的方法
项目成果/简介:本发明公开了一种结合光子晶体的分支滚环扩增检测miRNA的方法。该方法由四个部分组成：a.制备点状光子晶体；b.5’端磷酸化的锁式探针的两末端与靶标miRNA互补配对后利用T4RNA ligase 2连接成环；c.以成环的锁式探针作为模板，靶标miRNA作为引物，在phi29DNA聚合酶的作用下发生线性滚环扩增，通过加入二级引物，使线性滚环扩增沿着支链方向扩增，达到信号进一步放大；d.往
武汉大学
2021-01-12
一种自发成核过程可控式的DAST晶体生长装置
本技术属于溶液法晶体生长设备技术领域，涉及一种有机非线性光学晶体的溶液降温生长方法，特别是一种方形四棱锥底式DAST晶体自发成核生长装置，通过生长装置和底部载晶斜板的特殊设计，大幅增加可用来生长晶体的载晶斜板有效面积，提高DAST晶体生产效率，同时可消除载晶斜板外的自发成核晶体生长，有效提高晶体生长的稳定性，进而大幅改善斜板式自发成核法生长DAST晶体的质量。本发明与现有技术相比，其选用的生长装置结构简单，成本低，组装简便，操作方便，可大幅增加晶体生长缸中用以生长晶体的有效面积，提高DAST晶体生产效率；同时有效控制聚四氟乙烯四棱锥外的自发成核晶体生长，提高晶体生长的稳定性，进而大幅改善自发成核法生长DAST晶体的质量，有效解决了传统斜板式自发成核法中，在斜板之外其它位置容易出现无效的自发成核杂晶生长问题，提高晶体生长的稳定性和生长效率。可望应用于有机晶体的自发成核生长。
青岛大学
2021-04-13
一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法
本发明提供一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法，包括：（1）准备可弯曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡胶基板表面涂覆粘合剂；（3）在所述基板上沉积栅极；（4）在经步骤（3）处理后的器件上沉积有机介电层单元；（5）在所述有机介电层单元上分别沉积源极单元层和漏极单元层；（6）基板松弛，释放作用在基板上的载荷，并进行热处理，以消除界面应力和器件的压应力；（7）沉积有机半导体层单元。本方法通过一种机械拉伸基板的方法减小器件的沟道宽度，有效提高了制造精度，提升了柔性电子器件的分辨率。
华中科技大学
2021-01-12
混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件
本发明提供了一种混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，包括鳍型栅场效应晶体管、第二源区与第二漏区；鳍型栅场效应晶体管包括衬底、鳍型沟道区、第一源区及第一漏区；第二源区的高度不低于第一源区与第一漏区之间的衬底的高度；第一源区与第一漏区中掺杂有第一离子；第二源区形成于衬底与第一源区之间，第二漏区形成于衬底与第一漏区之间，第二漏区与第二源区中分别掺杂有第一离子与第二离子。该方案解决了鳍型栅场效应晶体管的底部电流泄漏的问题，且通过增设第二源区和第二漏区，相当于在鳍型栅场效应晶体管的底部并联隧穿场效应晶体管器件结构，可以实现鳍型沟道扩散漂移电流和底部沟道带带隧穿电流混合导通，从而获得更优的超陡开关特性。
复旦大学
2021-01-12
复合氧化锆电子承烧板
多层电容器作为电子线路中不可缺少的元件，得到了越来越广泛的应用。多层电容器在烧制过程中，为了确保电气性能，必须在氧化锆承烧板上进行烧制，由于氧化锆承烧板属于易耗品，且价格较贵，所以电容器生产厂家迫切需要一种质量可靠，使用寿命长，价格低廉的承烧板。本项目提供一种质量可靠，使用寿命长，价格低廉的复合氧化锆承烧板以弥补现有技术之不足。 目前，高品质复合氧化锆电子承烧板多为日本进口产品，采用火焰喷涂技术在氧化铝基材表面制备氧化锆涂层。该技术存在的主要问题是设备投资较大，并且对氧化铝基材要求较高，国产氧化铝基材由于质量相对较差，在喷涂过程中容易造成断裂。而本项目采用液相制备技术，设备投资少，有效的解决了涂层附着力问题，对基材要求低，原料易得，具有良好得应用前景。
北京科技大学
2021-04-11
负载型氨氧化铂催化剂
成果描述：目前硝酸工业生产中氨氧化过程通常采用的铂网催化剂，具有选择性高、使用寿命长、可回收再生等优点。但铂在高温下易生成挥发性的PtO2造成铂耗，是硝酸工业中除原料费用外的最大成本消耗，成为硝酸行业发展的瓶颈。将铂负载于载体上形成高分散的铂催化剂，可在提高铂催化剂的活性和增大催化剂比表面积的基础上降低铂的用量，是一条可能的解决硝酸行业瓶颈问题的途径。本成果利用光催化过程将铂负载于光催化剂如二氧化钛表面形成负载型催化剂，从而实现单质金属活性组分低用量高分散的负载，是一种可有效提高贵金属催化活性降低贵金属用量的方法。通过光催化法制备的Pt/TiO2催化剂，活化后可在二氧化钛表面形成厚度为3 nm左右的铂金属薄膜。150-250 μm的Pt/TiO2催化剂，其铂负载量为0.2 gPt/ gTiO2，比表面积可以达4.422 m2/ g。以该催化剂催化氨氧化反应，能有效的降低反应温度，氨转化率在600~700 oC即可达100 %，低于目前硝酸工业中氨氧化反应温度800~ 900 oC，也低于PtO2升华温度850 oC。该催化剂经400 h连续反应，其铂载量及催化活性均无降低，是一种可靠的氨氧化催化剂，具有工业应用前景。市场前景分析：化工市场。与同类成果相比的优势分析：1：铂负载量为0.2 gPt/ gTiO2，比表面积可以达4.422 m2/ g； 2：反应温度区间为600~700 oC，氨转化率可达100 %； 3：连续反应400小时以上，催化剂性能无变化
四川大学
2021-04-10
功能化四氧化三铁纳米颗粒
该磁性纳米颗粒主要由四氧化三铁为主体，以具有良好生物相容性的可生物降解聚酯类材料为辅助剂，通过控制聚合物结构，如：侧基官能团的种类和数量，共聚物组成，序列结构及分子量等因素，获得表面带有不同活性官能团，大小及性能可控，稳定性良好的生物磁性纳米颗粒。
电子科技大学
2021-04-10
氧化铝微晶陶瓷磨料磨具
本项目以溶胶凝胶技术为基础，辅以其他技术手段，在技术及产品质量指 标上完全达到了世界上最先进的诺顿（法国圣戈班）、3M 公司的水平，实现工 业化生产后，可以打破国外的技术封锁和产品垄断，并解决国内关键加工行业 受国外制约的困难，从而提升国内整体的机械加工水平。
山东大学
2021-04-13