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一种钇铁石榴石单晶薄膜及其制备方法
专利内容是本发明针对背景技术存在的缺陷，提出了一种钇铁石榴石单晶薄膜及其液相外延制备方法，本发明得到的钇铁石榴石单晶薄膜的铁磁共振线宽很窄，达到了1Oe以下（0.4Oe），薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、应力、含铅量、杂相等都得到了较大的改善。
电子科技大学
2021-02-01
用于单晶生长装置的结晶区温度梯度调节器
一种用于单晶生长装置的结晶区温度梯度调节器,由保温隔热材料制作的座板和保温隔热材料制作的动板组成;座板上设置有一底部为平面的凹槽,凹槽的中心部位开设有大于坩埚套外径的通孔I,凹槽的环面上开设有调温孔I;动板的形状和径向尺寸与座板上设置的凹槽相匹配,动板中心部位开设有与通孔I尺寸相同的通孔II,动板环面上开设有调温孔II,调温孔II与调温孔I形状、尺寸、数量、间距相同;动板放置在座板所设置的凹槽中,其与凹槽为动配合,座板固定在坩埚下降法单晶生长装置炉体上。此种调节器结构简单,使用方便,调节单晶生长炉结晶区温度梯度时灵敏度高,使结晶区温度梯度可在大范围内调整,易于获得窄温区、大温梯的温场分布。
四川大学
2021-04-11
可视化各向异性、分步记忆压致变色MOF单晶
提出了一种配位空间双配体定向配置策略，分别将刚性三角配体和具有柔性动态压敏变色属性的四角配体定向配置于微晶格的“基座”和“立柱”方位。这种设计赋予三维MOF框架单向形变的特征，并由此带来各向异性压力响应的荧光分步变色性能。利用微米尺度的MOF单晶，首次可视化观察到独特的各向异性压致变色效应，即沿六棱柱状单晶的上下底面施压，荧光颜色由蓝色变为黄绿色，而沿侧面施压则无变色效应。该压致变色特性同时具有超敏感（Pa~MPa压力范围）、分步化和信号记忆与逐级放大的效果，为多色压敏荧光纸、高等级防伪条形码、单向压敏荧光开关、程序性压力-荧光信号收集和放大器等微材料与器件构造提供了相关的模型基础，在微纳光电子学等材料和信息产业领域具有重要的应用前景。
中山大学
2021-04-13
航空用新一代镍基高温合金及其单晶叶片
项目目标产品是航空用新一代镍基高温合金及其单晶叶片，基于国际先进的超纯净熔炼和镍基单晶涡轮叶片制造技术，广泛应用于航空发动机领域。以江苏省优秀科技创新团队为依托，以国际合作为桥梁，以国家急需、国际前沿为宗旨，通过产学研联合，瞄准航空发动机用单晶高温合金涡轮叶片生产的国际先进水平，以国产大飞机项目为导向，实现具有自主知识产权的航空发动机用镍基单晶高温合金涡轮叶片生产共性关键制造技术突破。本项目所开发的航空用新一代单晶叶片具有在高温度下拥有优异综合性能，适合长时间在高温下工作，能够抗腐蚀和磨蚀，长寿命
江苏大学
2021-04-14
航空用新一代镍基高温合金及其单晶叶片
项目简介项目目标产品是航空用新一代镍基高温合金及其单晶叶片，基于国际先进的超纯净熔炼和镍基单晶涡轮叶片制造技术，广泛应用于航空发动机领域。以江苏省优秀科技创新团队为依托，以国际合作为桥梁，以国家急需、国际前沿为宗旨，通过产学研联合，瞄准航空发动机用单晶高温合金涡轮叶片生产的国际先进水平，以国产大飞机项目为导向，实现具有自主知识产权的航空发动机用镍基单晶高温合金涡轮叶片生产共性关键制造技术突破。本项目所开发的航空用新一代单晶叶片具有在高温度下拥有优异综合性能，适合长时间在高温下工作，能够
江苏大学
2021-04-14
一种利用含二氧化碳的硫化氢酸气制备硫氢化钠的方法
（专利号：ZL 201310697615.X） 简介：本发明公开一种利用含二氧化碳的硫化氢酸气制备硫氢化钠的方法，属于脱碳技术领域。该方法首先将含有氢氧化钠和碳酸氢钠的缓冲溶液与未脱碳的硫化氢酸气进行混合反应吸收酸气中的二氧化碳和部分硫化氢，得到脱碳富液，然后加热脱碳富液，使脱碳富液中的硫氢化钠发生水解反应，转化成氢氧化钠，水解反应生成的氢氧化钠与脱碳富液中的游离碱和碳酸氢钠反应生成碳酸钠；将脱除二氧化碳后的硫化氢酸气进入管式混合反应器，
安徽工业大学
2021-01-12
二丙二醇生产技术
二丙二醇也称一缩二丙二醇。本技术以丙二醇、环氧丙烷为主要原料，采用低压液相法催化合成二丙二醇。同现有工艺相比，本技术具有设备投资小，催化剂活性高，操作能耗低，产品收率高等优点，具有较强的竞争优势。
对于年产3000吨二丙二醇，设备投资约400万元。主要设备包括：反应釜、贮罐、产品精馏塔等。
华东理工大学
2021-04-13
二丙二醇生产技术
二丙二醇也称一缩二丙二醇，本技术以丙二醇、环氧丙烷为主要原料，采用低压液相法催化合成二丙二醇。同现有工艺相比，本技术具有设备投资小，催化剂活性高，操作能耗低，产品收率高等优点，具有较强的竞争优势。
对于年产3000吨二丙二醇，设备投资约240万。主要设备包括：反应釜、贮罐、产品精馏塔等。
华东理工大学
2021-04-13
III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统
III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统建立并完善了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元体系的III-V族合金化合物半导体热力学数据库，使之成为当前国际上数据资源相对丰富、可靠程度高的专业型数据库。在此基础上，应用该计算机辅助分析系统，可采用统一的成分空间表达方式，将覆盖四元半导体整个成分空间的光电性能（能量间隙或波长）、与相应衬底匹配的成分条件、以及各种温度下发生溶解间隙的成分范围，投影于一平面，构成III-V族半导体体系综合优化图，用以对金属有机物气相外延工艺进行辅助分析、确定满足优质半导体生长的成分空间、预测外延层半导体的成分等。同时，该系统还发展了非平衡过程分析研究方法：亚稳平衡处理、条件平衡处理和不可逆过程分析处理等，这些方法有助于III-V族半导体液相外延、气相外延和金属有机物气相外延工艺过程的热力学分析。 该项目面向光电子材料和器件的研制与生产 III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统，目前主要是作为应用研究，服务于有关光电子材料和器件的研制与生产过程中工艺条件的辅助设计，以促进III-V族半导体液相外延、气相外延和金属有机物气相外延工艺逐步从经验设计迈向科学设计，在相关领域的高技术产业化方面起积极作用。 Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元体系的III-V族合金化合物半导体热力学数据库；瑞典皇家工学院Thermo-Calc相平衡热力学计算软件。
北京科技大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11