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人力资源社会保障部 中国科协 科技部 国务院国资委关于表彰第三届全国创新争先奖获奖者的决定
近年来,广大科技工作者坚持以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导,坚决贯彻执行新时代党的路线方针政策和党中央重大决策部署,矢志创新创造,积极投身建设世界科技强国的伟大征程,为推动我国科技创新事业跨越式发展、努力实现高水平科技自立自强作出了重要贡献,涌现出一大批先进典型和模范人物。
人力资源社会保障部 2023-05-30
【第57届高博会系列报道之十二】全国设计教育论坛暨第八届两岸新锐设计竞赛·华灿奖宣介会在西安举办
8月5日,以“融合创新 推进设计教育高质量发展”为主题的全国设计教育论坛暨第八届两岸新锐设计竞赛·华灿奖宣介会在西安国际会展中心举办。
中国高等教育学会 2022-08-10
人力资源社会保障部等八部门联合印发文件启动实施重点群体创业推进行动
具体包括八项计划
人力资源社会保障部 2022-12-13
国家知识产权局等17部门关于加快推动知识产权服务业高质量发展的意见
知识产权服务业贯穿于知识产权制度运行全链条,是推动知识产权高质量创造、高效益运用、高标准保护、高水平管理的重要支撑。
国家知识产权局 2023-01-12
山东省人力资源和社会保障厅等11部门关于实施“创业齐鲁十大推进行动”的通知
创业齐鲁·乐业山东”行动提档升级,促进大众创业万众创新纵深发展,最大限度释放全社会的创新创造潜能,决定在全省实施“创业齐鲁十大推进行动。
山东省人力资源和社会保障厅 2023-02-06
工业和信息化部等八部门关于推进IPv6技术演进和应用创新发展的实施意见
到2025年底,IPv6技术演进和应用创新取得显著成效,网络技术创新能力明显增强,“IPv6+”等创新技术应用范围进一步扩大,重点行业“IPv6+”融合应用水平大幅提升。
工业和信息化部 2023-04-23
中南民族大学广播系统采购项目(第二次)竞争性磋商公告
中南民族大学广播系统采购项目(第二次)竞争性磋商
中南民族大学 2022-05-31
东北大学智能制造综合实验平台建设竞争性磋商(二次公告)
东北大学智能制造综合实验平台建设竞争性磋商
东北大学 2022-05-27
金钟团队在高倍率镁二次电池正极材料领域取得新进展
金属镁可以用于二次电池的负极材料,具有资源丰富、环境友好、理论体积容量高、镁沉积/溶解过程不易形成枝晶等优点,在大规模储能体系中具有很大的应用潜力。然而,由于二价镁离子的电荷半径比大、极化率高,导致其与常规储镁正极材料中的晶格阴离子之间发生强的静电相互作用,阻碍Mg2+离子在正极活性材料中的嵌入和扩散动力学,导致充放电速度缓慢。因此,镁二次电池非常欠缺高性能的正极材料,严重阻碍了该领域的研究发展与应用。 近日,南京大学化学化工学院、介观化学教育部重点实验室、江苏省先进有机材料重点实验室金钟教授带领的“清洁能源材料与器件机制”研究团队研发了基于一种特殊的置换反应机制、非化学计量比的立方相硒化铜,用于高倍率的镁二次电池正极材料。以该硒化铜为正极、金属镁为负极组装的镁电池能够在100 mA g-1下表现出222 mAh g-1的最大放电比容量,在1000 mA g-1大电流密度下放电比容量仍可达155 mAh g-1,此外,在1000 mA g-1大电流密度下,电池循环500次之后,容量保持率约为84.3%。 该团队通过简单的一步溶剂热法合成了一种高结晶度的非化学计量比的立方相Cu2-xSe纳米片(图1)。以Cu2-xSe为正极组装镁电池在100 mA g-1下循环25次后,放电比容量达到最大222 mAh g-1,在300、500和1000 mA g-1下,放电比容量分别可保持为182、166和155 mAh g-1,表现出优异的倍率性能(图2)。此外,该工作从正极和负极两方面对电池经历较长的活化过程给予了一定的解释(图2f)。具体而言,随着Mg2+的嵌入和脱出,Cu2-xSe电极材料的尺寸会逐渐减小,而适当减小活性材料的尺寸可以有效地缩短Mg2+的扩散路径,便于活性材料与电解液充分接触,从而使容量增加。对于Mg负极来说,电解液中具有腐蚀性的氯离子会腐蚀Mg负极表面的氧化物等钝化层,从而使Mg负极表面暴露出更多具有活性的金属镁表面,从而利于容量的提升和稳定。最后,通过非原位表征技术(包括XRD、XPS、TEM和EDX等)对不同充/放电状态的电极片进行详细表征,实验结果表明非计量比Cu2-xSe正极材料的储镁机制为一种特殊的镁/铜离子置换反应。该研究为基于可逆离子置换反应机制的新型高性能多价离子电池电极材料的设计提供了新的思路。
南京大学 2021-02-01
一种碳化硅/二氧化硅同轴纳米电缆的制备方法
本发明涉及一种同轴纳米电缆的制备方法领域,具体为碳化硅/二氧化硅(内芯/外 层)同轴纳米电缆的制备方法领域。本发明中碳化硅/二氧化硅(内芯/外层)同轴纳米 电缆的制备方法如下:将硅油、硅脂或硅氧烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内,将刚玉坩埚或 刚玉舟放在耐高温板上面,然后把耐高温板推入高温炉,排出炉内氧气,并以 6-15sccm 的速率通入惰性气体保护,以 5-15℃/min 的速度将炉温升到 1000-1100℃,保温 1- 5 小时后自然降到室温。利用本发明所说的方法生成产物均为碳化硅/二氧化硅(内芯/ 外层)同轴纳米电缆,且长度比现有的方法制备的提高了 2 个量级,是迄今为止报道的 最长的纳米电缆,且制备方法简单,原料便宜易得,设备要求简化,成本低,产率高。
同济大学 2021-04-11
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