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超大尺寸单晶铜箔库制备
在超大尺寸单晶金属箔库的制备领域再次取得重要进展，研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制，在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。 发现氧化物衬底释放的游离氧可以把石墨烯单晶畴的生长速率提高150倍（Nature Nanotech
南方科技大学
2021-04-14
一种半导体激光器泵浦的克尔透镜锁模钛宝石激光器
本发明公开了一种半导体激光器泵浦的克尔透镜锁模钛宝石激 光器，包括：第一半导体激光器，用于发射蓝绿波段的连续激光来泵 浦谐振腔内的钛宝石晶体；谐振腔用于使近红外波段的激光发生振荡 和锁模输出飞秒脉冲激光；干涉仪使飞秒脉冲激光产生拍频信号得到 载波包络偏移频率；反馈调节单元用于调节谐振腔端镜的前后位置和 倾斜度以及半导体激光器输出激光的功率，从而保持重复频率和载波 包络偏移频率的稳定。本发明可以输出重复频率和载波包络偏
华中科技大学
2021-04-14
西安交大研究人员在二维材料中发现层间滑移诱发铁电-反铁电相变新机制及其潜在应用
二维铁电材料因其自发的铁电极化和天然的纳米厚度，在微纳尺度的铁电功能器件中具有广泛的应用前景。非共价的层间范德华力使得二维材料能够较为容易地滑移和旋转，从而产生了一系列新奇的物理现象，为其铁电性质提供了新的调控维度。
西安交通大学
2022-03-25
23041球形导体
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
关于组织申报2023年度山西省重点研发计划（半导体与新材料领域）项目的通知
为全面深入学习贯彻习近平新时代中国特色社会主义思想，党的二十大精神，以及习近平总书记关于新时代科技创新的重要论述重要指示精神，围绕重点产业链部署创新链，瞄准攻关半导体与新材料领域关键核心技术与共性理论问题，为我省重点产业链和特色专业镇建设提供创新支撑。根据《山西省科技计划项目管理办法》（晋政办发〔2021〕42号），现将凝练形成的2023年度山西省重点研发计划（半导体与新材料领域）重点支持方向予以发布，请根据要求组织项目申报工作。
山西省科技厅半导体与新材料科技处
2023-08-08
一种具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈半导体激光器
本发明提供的具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈(DFB)半 导体激光器，是由自下而上依次排列的 N 型电极(1)、衬底(2)、下包层 (3)、下分别限制层(4)、应变多量子阱有源层(5)、上分别限制层(6)、缓 冲层(7)、光栅层(8)、上包层(9)、第一脊条(10)、第二脊条(11)、第一 脊条上的 P 型电极(12)、第二脊条上的 P 型电极(13)组成。本发明通过 在单个半导体激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的两个
华中科技大学
2021-04-14
FEP薄膜
产品详细介绍
南京瑞尼克科技开发有限公司
2021-08-23
殡化铅单晶体生长技术
项目简介： 殡化铅 ( PbI2) 是制作室温半导体核辐射探测器的材料之一。山于提纯困难、化学配比难于控制等原因，使得该材料没有得到应用。我们研究出了一种生长碟化铅等静压的新方法，以 分析纯的殡化铅多晶为原料， 可生长出接近理想化学配比、直径 15mm、长度 300
西华大学
2021-04-14
一种高取向二氧化钒薄膜的液相制备方法
本发明公开了一种高取向二氧化钒薄膜的液相制备方法，属于化学功能材料领域。该制备方法以三异丙醇氧钒为溶质制备前驱液，将所得前驱液涂于蓝宝石衬底制备前驱物薄膜，最后将前驱物薄膜置于真空环境中烧制而成。本发明在液相法的基础上，通过控制真空烧结条件制备二氧化钒薄膜，所获得的薄膜均具有良好的生长取向，相变温度为60°C左右，相变前后电阻率的变化在三个量级以上；且制备工艺简单，适合大范围推广。
安徽建筑大学
2021-01-12
一种耐高温纳米硅薄膜二极管及其制备技术
该成果是一种用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法进行低成本的耐高温二极管制备的技术，它采用高熔点的钨或钽丝作为催化分解热丝，对通入生长腔体中的气体进行快速分解，通过控制热丝温度、H2稀释比、衬底温度和生长气压等参数，可以实现不同导电类型的纳米硅薄膜的沉积和相关二极管的制备，制备的纳米硅薄膜大面积均匀，载流子浓度和迁移率可控性好。 该成果主要面向微电子器件制造行业，如集成电路、大功率器件、特种环境探测器和传感器、光伏产业、发光器件等相关领域。 该成果
南京航空航天大学
2021-04-14