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50G 波特率 DFB 半导体激光器
项目背景:DFB 半导体激光器是光通信领域中最为重要 的器件之一,目前已经有工业级温度(-40°C-85°C)25G 波特率 DFB 大规模量产。但是,从 2000 年至今,DFB 激光器 的 3dB 带宽在全世界范围内几乎没有明显提高,传统的基于 载流子和光子响应的 DFB 激光器在传统的制造工艺下已经趋 近其速率的物理极限,需要用新的物理本质来实现更高速率 的器件,从而进一步提升 DFB 芯片的调制速率和整个光通信 应用的传输速率。本项目研发的 50G 波特率 DFB 半导体激光 器将达到国际领先水平,填补国内空白,打破国外垄断本项 目的实施,应对美国对中国高端材料和芯片的禁售风险。该 产品可在光通信系统中应用广泛,可以承担接入网、数据中 心网络、无线网络、传输网络等多个方面的主力传输工作。 所需技术需求简要描述:本项目期望突破当前 DFB 调制 速率的瓶颈,在目前大规模量产的 25G 波特率 DFB 的基础上, 将速度翻一番,到达 50G 波特率。(1) 两个背靠背 DFB 激 光器产生的光子-光子谐振效应(PPR)研究。(2) 背靠背 DFB 激光器的高速陶瓷载体设计。(3) 50G 波特率 DFB 芯片 和高速陶瓷载体的测试  对技术提供方的要求:1.光电子器件设计领域国际知名 专家,熟悉 50G 波特率 DFB 激光器基本设计。2.完善的 DFB 器件基础知识和模拟能力。3.国内 985 高校教授,技术方案成熟可靠稳定有创新思维,不涉及知识产权侵犯。 
青岛海信宽带多媒体技术有限公司 2021-09-13
氧化物抑制层辅助二维MoX2 (X=S, Se, Te)单层的可控生长
高质量钼系硫族化合物单层材料的CVD生长一直受限于难以控制的化学动力学条件,其中最为重要的是对于Mo蒸汽释放的合理调控。近日,课题组在传统的MoO 3
南方科技大学 2021-04-14
中国科学技术大学在二维材料固态自旋色心研究中取得新进展
我校郭光灿院士团队在二维范德瓦尔斯材料固态自旋色心领域取得重要进展。该团队李传锋、唐建顺研究组与匈牙利魏格纳物理研究中心AdamGali教授等人合作,实验研究并理论解释了六方氮化硼(hexagonalboronnitride,hBN)中带负电硼空位(VB-)色心受磁场调制的自旋相干动力学行为,揭示了hBN中VB-色心电子自旋与核自旋之间的相干耦合和弛豫机制,对发展基于二维范德瓦尔斯材料的相干自旋系统及低维量子器件具有重要意义。
中国科学技术大学 2022-10-17
分体彩屏水控机,二维码水控机,4G水控机
产品详细介绍产品介绍:1、脉冲流量计、电磁阀、刷卡收费控制器分体式设计,可灵活安装;2、安装方便简单,适合浴室、澡堂、公寓等高湿度及各种恶劣环境使用;3、可以设定一张卡的用水量,超过额度拒绝用水;4、在冷水和热水环境下均可使用;5、1.77寸彩屏显示,可直观显示用户姓名、卡号、余额、消费情况等信息;6、脱机工作可通过管理卡进行费率、参数等设置;7、自动识别持卡人的合法性,根据卡内账户信息决定是否允许消费;8、可控制电磁阀及电动阀;9、控水器为12v电压,保证使用者安全;10、IC卡可以扩展为一卡通,兼容考勤、门禁、消费、停车场等系统;11、可扩展补补贴功能,可对用户进行补贴。产品参数:外形尺寸:110mm*145mm*45mm卡片类型:M1卡计费方式:计时、计量、计次屏幕显示:1.77寸彩屏显示系统发卡数量:可达100万  工作频率:13.56MHz卡操作距离:0-50mm卡读写速度:<0.3s机器颜色:白色通讯方式:脱机、RS485、TCP/IP、无线433、WIFI、4G供电电压:DC12V 1A记录存储容量:最大可存储6万条断电数据保存时间:>10年存储挂失卡数目:>100万张                工作环境: -10℃ ~ +100℃
广州野马电子科技有限公司 2021-08-23
一种宽光束、可调送粉角的高效半导体装置
本发明属于激光表面改性技术领域,公开了一种宽光束、可调送粉角的快速高效半导体激光熔覆装置,包括半导体激光器(1)、光束整形与菲涅尔聚焦系统(2)、可调宽光带送粉头(3)、送粉器(6)、高速机床(5)、六轴联动机器人(4)及中央控制系统(9),光束整形与菲涅尔聚焦系统(2)用于将激光整形并聚焦成宽光带激光;可调宽光带送粉头(3)用于向待处理的大型轴型工件表面输送粉末及宽光带激光;工件直径大于1000mm,长度不低于10m。
华中科技大学 2021-04-10
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学 2021-04-11
基于金属氧化物的复合半导体光催化剂
将纳米级尺寸石墨烯量子点修饰到超薄ZnO纳米片表面,同样可大提高ZnO纳米片的光催化性能。
上海理工大学 2021-04-10
一种半导体脉冲激光器热电阶梯冷却方法
本发明公开了一种半导体脉冲激光器热电阶梯冷却方法,包括以下步骤:1)根据半导体脉冲激光器的额定工作温度 Ts 选择热电模块,将热电模块安装在半导体脉冲激光器内并使用可编程直流电源控制其电压;2)半导体脉冲激光器在 jt0 时刻释放热量 Qc 使半导体脉冲激光器内的温度上升,可编程直流电源在 jt0 时刻相应地由恒定电压 Us 调整为阶梯电压并施加在热电模块上,以使半导体脉冲激光器的实际工作温度降低到 Ts±2℃;其中,j 为大于零的正整数。本发明通过给热电模块施以合适的阶梯电压,使热电模块冷端温度呈现出衰减振荡过程,能减小过冷温度和增益温度,保证半导体脉冲激光器的温度要求。
华中科技大学 2021-04-13
一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法。气 体传感器包括绝缘衬底、信号电极和气敏层;气敏层由半导体纳米晶 复合材料和石墨烯构成。利用胶态法合成半导体纳米晶溶液,能在室 温下直接成膜,不需要经过高温处理,能耗小,且不会造成纳米颗粒 的团聚,能够最大限度地发挥纳米颗粒比表面积大的优势,有利于气 体吸附,提高传感器的灵敏度,使传感器能在较低的工作温度甚至常 温下检测低浓度目标气体。制备方法简单,易于实现大规模批
华中科技大学 2021-04-14
全国半导体行业产教融合共同体在青岛成立
10月12日,全国半导体行业产教融合共同体成立仪式在山东青岛顺利举行。
中国高等教育学会 2023-10-25
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