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北京维意真空技术应用有限责任公司
北京维意真空技术应用有限责任公司，原名北京科立方真空技术应用有限公司，创立于2013年6月，主体经营分为真空配件销售、真空设备定制、浅蓝纳米科技三个部分，是北京从事真空产品设计、制造、销售、维修、保养于一体的性的公司，公司拥有一支、产品技术工程师和维修技术工程师，具有丰富的行业经验。
公司于2016年初至2017年末，陆续投入大量研发资金，针对等离子增强化学气象沉积设备、原子层沉积设备和高低温真空探针台设备，以及附属配件进行了系统、深入的研发、改进工作。竭尽所能满足高校、研究所的教学、科研使用，同时减少相关进口设备的市场占有率，并力争创造外汇，打出中国创造的名牌!
我们的客户遍布国内各高校和研究院所、部分军工单位和电力试验所、各级的材料、物理、化学、纳米等研究领域的实验室，期待您就是我们的下一位客户、朋友!
您的满意微笑是我们一直努力追求的经营目标!
维意真空，为您服务，唯你成就是我们的宣传口号!
技术创新、服务诚信是我们一直遵循的经营理念!
我们热诚欢迎国内外先进的仪器制造商及科学工作者与我们联系开展各层面的合作,打造成的真空系统产品、等离子体增强化学气相沉积设备、原子层沉积设备和高低温真空探针台设备供应商。
北京维意真空技术应用有限责任公司
2025-04-25
周维第
周维第，男，1967 年生，中共党员，湖北监利县人，经济学博士（浙江大学博士后）。1990 年 6 月和 1999 年 6 月在华中师范大学取得学士和硕士学位，2005年 5 月在俄罗斯圣彼得堡经济大学获得博士学位，2006-2010 在浙江大学经济学院理论经济学博士后流动站从事博士后研究。现为华中师范大学经济与工商管理学院教授、副院长，教育部人文社科基金和中国博士后科学基金通讯评审专家，教育部第一批优秀创新创业专家库专家，并兼任湖北省世界经济学会理事、新商科实验教学创新与共享联盟（湖北）副理事长、俄罗斯东欧中亚研究会会员、中国高等教育学会科技服务专家指导委员会委员等。
近些年来，主要从事世界经济学、欧亚政治经济学和俄罗斯问题等领域的研究和教学工作，涉猎国际贸易与投资、国别与地区经济、转型经济学等领域。近年来，主持了教育部社会科学基金、留学回国基金和中国博士后科学基金、科技部高端外国专家人才引进国际合作项目和省部级教学改革（产学研协同创新）项目 10 项，并参与其他研究项目 10 多项。在俄罗斯《国立圣彼得堡大学学报》、《国立圣彼得堡经济大学学报》、《现代经济问题》、《科学与实践》、白俄罗斯《国立波罗兹大学》学报、《江汉论坛》、《学术界》及《俄罗斯研究》等国内、外学术刊物上发表 50 余篇研究论文，出版（参编）学术专著（教材）6 本。
周维第
2023-03-02
运维云
面向区域录播管理应用设计的在线运营服务系统，实现所辖录播设备基于网络的统一接入管理，打造智能化、系统化、便捷化、实时化的远程运维服务。
轻松满足：
·信息化设备大数据展示
·所辖前端集中在线运维
优势特点
直观可视的数据中心
通过电子地图的形式，按区域、分层级展现前端设备建设、使用情况，直观展示区域设备数据中心应用成果。
全天候的设备运行监控
系统全天候对接入设备进行状态监控，设备异常信息实时获取，及时跟踪排障。
高效的远程集中运维
接入设备远程参数配置、系统版本在线升级管理，足不出户即可实现整个区域的设备运维。
广州市奥威亚电子科技有限公司
2022-12-21
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
人体三维测量与三维定制
项目简介： 目前，针对衣服和鞋子都推出个性定制，高端时尚领域也为之疯 狂。量体裁衣的难题在于设备昂贵、精确的测量与裁缝的经验不衔接、 服装放宽量大，需要更多的经验、服装式样起主导作用，尺寸的误差 对舒适度影响不大等等；量足制履的难题在于设备比较简单、脚与鞋 贴合紧密和高跟鞋型与脚型不匹配直接影响舒适度和足部健康等等。
南开大学
2021-04-11
人体三维测量与三维定制
背 景特有技术： 彩色编码光栅三维测量技术：技术特点： 单幅照片完成三维测量适用范围： 人体测量量体裁衣 设备昂贵 精确的测量与裁缝的经验不衔接 服装放宽量大，需要更多的经验 服装式样起主导作用，尺寸的误差对舒适度影响不大
南开大学
2021-04-14
二丙二醇生产技术
二丙二醇也称一缩二丙二醇。本技术以丙二醇、环氧丙烷为主要原料，采用低压液相法催 化合成二丙二醇。同现有工艺相比，本技术具有设备投资小，催化剂活性高，操作能耗低，产 品收率高等优点，具有较强的竞争优势。 对于年产3000吨二丙二醇，设备投资约400万元。主要设备包括：反应釜、贮罐、产品精 馏塔等。
华东理工大学
2021-04-13
二丙二醇生产技术
二丙二醇也称一缩二丙二醇，本技术以丙二醇、环氧丙烷为主要原料，采用低压液相法催化合成二丙二醇。同现有工艺相比，本技术具有设备投资小，催化剂活性高，操作能耗低，产品收率高等优点，具有较强的竞争优势。对于年产3000吨二丙二醇，设备投资约240万。主要设备包括：反应釜、贮罐、产品精馏塔等。
华东理工大学
2021-04-13
RSM-SMS(A)三维全场应变测量分析系统
武汉中岩科技股份有限公司
2024-10-29