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借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
一种银铋卤化物单晶及其制备方法与应用
本发明属于光电半导体材料技术领域，具体为一种银铋卤化物单晶及其制备方法与应用。本发明改进的溶液蒸发结晶工艺，通过控制溶液浓度、溶剂挥发速率和退火温度，有效提升单晶的尺寸完整性，控制缺陷密度；具体包括：配制合适浓度前驱体溶液；量取前驱体溶液滴至柔性疏水基底上；将液滴蒸干批量获得单晶；进行热退火以释放晶格应力；所得高品质Cs<subgt;2</subgt;AgBiBr<subgt;6</subgt;单晶，元素分布均匀，具有(111)晶面择优取向和优异热稳定性。本发明方法显著缩短生产周期并提升工艺重复性。所述银铋卤化物单晶可用作高效稳定光电探测器的核心功能材料，在光探测领域具有巨大应用潜力。
复旦大学
2021-01-12
人体三维测量与三维定制
项目简介： 目前，针对衣服和鞋子都推出个性定制，高端时尚领域也为之疯 狂。量体裁衣的难题在于设备昂贵、精确的测量与裁缝的经验不衔接、 服装放宽量大，需要更多的经验、服装式样起主导作用，尺寸的误差 对舒适度影响不大等等；量足制履的难题在于设备比较简单、脚与鞋 贴合紧密和高跟鞋型与脚型不匹配直接影响舒适度和足部健康等等。
南开大学
2021-04-11
人体三维测量与三维定制
背 景特有技术： 彩色编码光栅三维测量技术：技术特点： 单幅照片完成三维测量适用范围： 人体测量量体裁衣 设备昂贵 精确的测量与裁缝的经验不衔接 服装放宽量大，需要更多的经验 服装式样起主导作用，尺寸的误差对舒适度影响不大
南开大学
2021-04-14
维意真空小型桌面磁控溅射镀膜机支持定制
MS-246小型多靶磁控溅射镀膜机
真空腔室：1Cr18Ni9Ti优质不锈钢材质，氩弧焊接，上开盖和前开门结构；真空系统：机械泵+分子泵（进口和国产可选）；极限真空：优于8✕10-5Pa（设备空载抽真空24h）；真空抽速：大气～8✕10-4Pa≤30min；升降基片台：尺寸直径100mm，高度60～120mm可调，旋转0～20r/min可调，可加热至300℃（可选水冷功能），可选配偏压清洗功能；磁控靶：直径2英寸2只（可升级成3只），兼容直流和射频，可以溅射磁性材料的靶材；溅射电源：直流脉冲溅射电源、全自动匹配的射频溅射电源可任选；质量流量计：10sccm、50sccm质量流量控制器各1套；膜厚监控仪：可选配国产或进口单水冷探头膜厚仪；控制方式：PLC+触摸屏控制系统，具备漏气自检与提示、通讯故障，实现一键抽停真空；整机尺寸：L60cm✕W60cm✕H96cm机电一体化机架，预留1个CF35法兰接口。
北京维意真空技术应用有限责任公司
2025-04-25
维意真空小型桌面热蒸发镀膜机支持定制
EV-246小型电阻蒸发镀膜机真空腔室：1Cr18Ni9Ti优质不锈钢材质，氩弧焊接，上开盖和前开门结构；真空系统：机械泵+分子泵（进口和国产可选）；极限真空：优于8✕10-5Pa（设备空载抽真空24h）；真空抽速：大气～8✕10-4Pa≤30min；基片台：可拆卸式，尺寸60✕60mm，旋转0～20r/min可调，可加热至300℃（可选水冷功能）；蒸发源及电源：水冷铜电极3组，逆变式蒸发电源，功率2KW，配源间防污隔板；膜厚监控仪：采用国产或进口膜厚监控仪在线监测和控制蒸发速率、膜厚；控制方式：PLC+触摸屏控制系统，具备漏气自检与提示、通讯故障，实现一键抽停真空；整机尺寸：L60cm✕W60cm✕H96cm机电一体化机架，预留1个CF35法兰接口。
北京维意真空技术应用有限责任公司
2025-04-25
三维配管（三维设备管道）设计
三维设备管道设计工作即工艺流程参数化设计后进行的三维设备布置、三维管道设计（三维配管）。
1、项目简介
化工、食品、生物、制药、环境保护、太阳能等相关的流程工业，工艺装置包含大量的设备、管道、阀门等，常规的是以平面图的形式反映工厂的情况，作为施工、生产和员工培训。以计算机三维模型方式体现工厂实际，实现计算机下的虚拟工厂。采用设备、管道（阀门）三维 CAD 技术，通过设计流程图、三维设备建模、设备的布置、三维配管等一系列工作，实现整个项目的三维设计。使用高效、快捷的正版软件进行设计，可获得真实的设计信息（设备、管道、管件、阀门的规格数量等），实现拟建工厂或装置的效果图。
2、创新要点
工艺安装 (配管)的设计与施工是工程设计中重要环节,其水平对装置总投资、装置运行、装置外观、实际操作、检修保养和系统安全等均有决定性作用。采用计算机辅助配管工程设计、建立三维模型、自动出图和自动进行各类统计造表。
3、效益分析
本技术为提供企业建设、文件存档以及企业员工培训三维设计，可以加快工厂建设进度，为设计院配套服务，具有很大的经济效益。
4、推广情况
浙江万向控股动力电池萃取项目，山东博兴创意化工发展有限公司叔胺项目，完美（中国）有限公司化妆品项目等。
江南大学
2021-04-13
三维配管（三维设备管道）设计
化工、食品、生物、制药、环境保护、太阳能等相关的流程工业，工艺装置包含大量的设备、管道、阀门等，常规的是以平面图的形式反映工厂的情况，作为施工、生产和员工培训。以计算机三维模型方式体现工厂实际，实现计算机下的虚拟工厂。采用设备、管道（阀门）三维 CAD 技术，通过设计流程图、三维设备建模、设备的布置、三维配管等一系列工作，实现整个项目的三维设计。使用高效、快捷的正版软件进行设计，可获得真实的设计信息（设备、管道、管件、阀门的规格数量等），实现拟建工厂或装置的效果图。
江南大学
2021-04-13
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学
2021-05-10
英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化
金刚石半导体集热、电、声、机械等特性于一体，在禁带宽度、击穿场强、迁移率和热导率等方面远高于其他半导体，被称为“终极半导体”。英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化，可以极大地推进我国半导体的革命性变革，实现我国微电子行业的跨越式发展，达到国际先进水平。本项目在国家“千人计划特聘专家”王宏兴的推动下，已经完成了两种微波等离子体CVD设备的设计和制造，利用这些设备已经完成了英寸级单晶金刚石衬底的工程样品，实现了克隆衬底工艺的全线贯通，具有小批量产业化能力。按照日本相关公司的预测，随着金刚石半导体的发展，在2030年，中国的市场规模达到100亿美元。由于金刚石生产中的主要成本是甲烷、氢气和消耗电力的费用，成本较低，经济效益显著。 金刚石半导体特性 关键设备-MPCVD 克隆技术 单晶金刚石衬底
西安交通大学
2021-04-11