首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。

（2-7层黑磷中（a）激子吸收与层数的关系；（b）带边吸收与层数的关系；（c）二维激子示意图）复旦大学物理学系晏湖根课题组首次在实验上测定了少层黑磷的光吸收强度，发现激子吸收随着层数的减少反而增大。4月15日，相关成果以《少层黑磷光电导的红外光谱研究》为题在

研究了二维铁磁材料VI 3

本实用新型公开了一种薄型电动二维精密平台，包括上平台、下平台以及联接安装在两者之间且整体呈平板结构的中间连接件，其中中间连接件的上表面与上平台底座表面相互平行，并在两者之间保持间隙用于储存润滑介质；该上表面的两侧还分别设置有沿着 X 轴方向分布的导轨副，同时通过设置在外侧凹陷区域的 X 向电机和第一精密螺纹丝杆传动单元，使上平台沿着导轨副在 X 轴方向上移动。该中间连接件的下表面结构与上表面相类似。通过本实用新型，能够在显著减少平台整体厚度的情况下，在 X 轴和 Y 轴两个运动方向上实现高精度和较大

二维层状过渡金属二硫属化物(TMDs)因其独特的电子、机械和化学性质而备受科研人员的关注。在第二项发表的研究中，研究团队制备出一系列二维TMDs材料（MoS 2

研发阶段/n本发明公开了一种基于干涉条纹形状的二维小角度测量装置，属于精密测量技术领域。该装置包括激光器、分光镜、目标反射镜、参考反射镜和四象限接收器，目标反射镜固定在被测物体上。激光调制器对激光器发出的光束进行调制，被调制的光束经分光镜后分为两束，这两束光分别经目标反射镜和参考反射镜反射后再返回分光镜，会聚产生动态干涉条纹，当被测物体绕ｚ轴有角度变化时，动态干涉条纹的宽度将发生变化，当被测物体绕ｘ轴有角度变化时，动态干涉条纹的宽度和方向同时改变。动态干涉条纹用四象限光电接收器接收后转为电信号，该信

分析了m-石英衬底用于二维材料的可控生长，以及其在取向、维度及能带结构等多个方面对单层二硫化钨的调制能力，论文第一作者为程春课题组博士生王经纬。 尽管石英和二硫化钼具有不同的对称性，但是两者奇特的大周期匹配使取向排列的单层二硫化钨外延生长成为可能。通过进一步调节反应条件，课题组实现了对单层二硫化钨形貌从二维到一维的可控调节。同时，由于石英各向异性的热膨胀系数，生长的单层二硫化钨产生了随

石墨烯是材料科学领域的一颗迅速崛起的明星，开启了二维材料的大门。作为纳米光电子器件广泛使用的理想电极材料，石墨烯除了具有优异的弹性和刚度外，还具有最高的载流子迁移率(104-105 cm2 V-1 s-1)。然而，石墨烯作为一种典型的半金属材料，它的零带隙极大地限制了其在半导体工业的应用。自石墨烯被发现以来，它的零带隙一直是世界范围内最具挑战性的难题之一。  多年来，人们一直致力于解决这一关键问题，最主要的打开石墨烯带隙方法可以概括为下面两种。第一种是通过掺杂、吸附、衬底相互作用、外加电场、应变、建立二维异质结等方法直接打开石墨烯的带隙。不幸的是，在打开石墨烯带隙的同时，保持其具有超高载流子迁移率的线性电子色散的多种尝试，至今仍未成功。第二种方法是开辟新的路径，寻找新的具有超高载流子迁移率（线性色散）的二维材料，如二硫化钼、硅烯、锗烯和磷烯等，它们构成了新的二维材料家族。遗憾的是，迄今还没有发现任何具有类似石墨烯线性电子色散和超高载流子迁移率的二维半导体。 北京大学物理学院史俊杰教授及其研究团队注意到：钙钛矿材料具有多样的组成和结构，如ABX3(具有三个不同原子位置的三维结构)、A'2[An-1BnX3n+1] (二维Ruddlesden-Popper型结构)、A'[An-1BnX3n+1] (二维Dion-Jacobson型结构)、A'2An-1BnX3n+3(二维111型结构)和AnBnX3n+2(二维110型结构)等，为材料设计提供了一个理想和庞大的平台。此外，钙钛矿结构中阳（阴）离子价态的劈裂和置换，阳（阴）离子的混合等，为组分工程提供了更多的可能性，从而极大地调节了所设计的钙钛矿材料的电子结构（带隙和电子色散）及物理、化学性质，为寻找具有新奇性质的材料开辟了一条新的道路。图注：左图为二维Ca3Sn2S7钙钛矿结构示意图，中图为它的三维线性色散能带图（带隙0.5 eV），右图为它的光吸收系数，并与光伏明星材料MAPbI3及Si的光吸收系数作对比。 最近，他们在硫化物钙钛矿的研究中，意外发现了一种新奇的稳定且环境友好的二维钙钛矿半导体Ca3Sn2S7材料，它具有类似石墨烯的线性Dirac锥电子色散，直接的本征准粒子带隙0.5 eV，超小载流子有效质量0.04m0，室温下载流子迁移率高达6.7×104 cm2V-1s-1，光吸收系数高达105 cm-1（超越钙钛矿光伏明星材料MAPbI3）, 从一个全新的角度实现了打开石墨烯带隙的梦想。该研究将会为二维钙钛矿材料的设计和研发提供新的思路，并进一步促进半导体产业的发展。

项目成果/简介:本发明公开了一种二维码的风险预警方法,其特征是按如下步骤进行:1,生成溯源码;2,生成前缀码;3生成Y位验证码;4将溯源码,前缀码和Y位验证码存入防伪数据库中,并将溯源码和前缀码进行合并后利用条码生成器生成初始二维码;将Y位验证码嵌入初始二维码的中间位置,从而形成二维码.本发明能够快速,稳定的生成大量具有高防伪性,难以被仿造的二维码,从而有效保证二维码的唯一性,防止被复制或者重复使用.

本发明公开了一种二维码的风险预警方法,其特征是按如下步骤进行:1,生成溯源码;2,生成前缀码;3生成Y位验证码;4将溯源码,前缀码和Y位验证码存入防伪数据库中,并将溯源码和前缀码进行合并后利用条码生成器生成初始二维码;将Y位验证码嵌入初始二维码的中间位置,从而形成二维码.本发明能够快速,稳定的生成大量具有高防伪性,难以被仿造的二维码,从而有效保证二维码的唯一性,防止被复制或者重复使用.