本发明公开了一种二维纳米 SnSe2 晶体材料的制备方法,采用 化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的 SnSe2 晶 体;其中,沉积设备为水平管式炉,顺序设有上游低温区、中心温区 以及下游低温区,所述单质硒和卤化锡分别独立但紧靠放置于上游低 温区,所述衬底放置于下游低温区;利用不同温区的温度差,单质硒 蒸汽和卤化锡蒸汽形成于上游低温区;两者反应生成 SnSe2,并通过 沉积载气带入下游温区,在衬底上沉