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咔唑桥基新型荧光菁染料探针及其制备方法
本发明提供一种咔唑桥基荧光菁染料探针,该菁染料探针结构包括有咔唑桥基分别键合在噻唑橙及噁唑黄的苯并噻(噁)唑和4-甲基喹啉盐之间而形成的菁染料探针;所述咔唑环的3位侧链一端与苯并噻(噁)唑的2位碳相连,咔唑另一端的6位甲酰基与4-乙烯基喹啉盐化合物相连。本发明同时还提供一种咔唑桥基荧光菁染料探针的制备方法。本发明的效果是该荧光染料生物探针制备方法简单,原料易得,使得新合成的荧光染料探针的最大发射波长发生红移,荧光强度增大,Stocks位移增大,荧光量子产率提高,光稳定性增强。本发明保留了噻唑橙和噁唑
天津城建大学
2021-01-12
一种原子力探针位姿调节装置
本发明公开了一种原子力探针位姿调节装置,包括探针座，调节 机构和连接头。其中探针座用于原子力探针的安装固定；调节机构包 括由下至上的第一调节部件、第二调节部件、第三调节部件、第四调 节部件以及第五调节部件，分别用于原子力探针的里外水平偏摆、左 右水平、上下旋转、上下俯仰以及上下竖直位姿调节；连接头用于与 原子力探针测量系统的显微物镜相连。本发明能够实现原子力探针任 意姿态的细微调节，各个调节动作相互独立，互不影响，提高了探针 姿态的调节精度；且能够对调节后的位姿进行锁定，使其保持稳定， 进一步保证原子力探针测量系统的稳定性和精度。
华中科技大学
2021-04-11
具有保偏特性的光纤探针及其制备方法
本发明公开了一种具有保偏特性的光纤探针及其制备方法。该 光纤探针包括裸光纤探针和金属薄膜，裸光纤探针由去除保护层后的 椭圆芯保偏光纤制得，其一端为针尖结构，针尖下端面为椭圆形，针 尖顶部沿针尖下端面的长轴方向存在凹槽，将针尖顶部分割成对称的 两瓣，金属薄膜覆盖除凹槽外的裸光纤探针的表面，在针尖顶部形成 两瓣金属薄膜，两瓣金属薄膜与凹槽形成表面等离子体增强结构。本 发明能显著提高探针顶端偶极子体的辐射率，提高相干信噪比，制备 过程容易精确控制，且可重复性好。该光纤探针除能应用于近场光学 显微镜外，还能应用于拉曼光谱、白光纳米椭偏仪和超快泵浦的探测。
华中科技大学
2021-04-11
第五届教创赛同期活动预告：教师教学能力提升系列交流活动之三 高校创新创业教育学术活动
提升高校创新创业教育质量，以创新创业教育培育壮大国家战略科技力量，为国家培养更多创新创业拔尖人才。
高等教育博览会
2025-08-01
第五届教创赛同期活动预告：教师教学能力提升系列交流活动之四 高水平中外合作办学学术活动
高水平中外合作办学 助力“双一流”建设
高等教育博览会
2025-08-01
第五届教创赛同期活动预告：教师教学能力提升系列交流活动之六 工程硕博士人才培养学术活动
国防特色高层次人才培养实践
高等教育博览会
2025-08-05
用于爆破孔装药的松紧袋
本实用新型公开了一种用于爆破孔装药的松紧袋，该松紧袋为一种带有松紧圈的柔性袋，柔性袋内 径略小于炮孔内径;松紧圈为弹性材质，内径略小于药包直径;柔性袋底部设一个松紧圈，相邻两个松 紧圈之间间隔一定距离，柔性袋和松紧圈可采用拉链、纽扣或粘接方式连接;该松紧袋使用时先将第一 节药包放置在柔性袋底部松紧圈上，利用药包自重将柔性袋缓慢下放，充满炮孔，再陆续装药，装药过 程中不断提升柔性带，结束后将柔性袋拉出炮孔回收利用。本实用新型松紧袋，作为爆破孔装药的辅助 工具可对下落的药包消能减速，避免药包以较高速度下坠;同时该工具易于制取，可进行多次使用，从 一定程度上减小了工程所需劳动力，可以平稳、安全、快速进行装药。
武汉大学
2021-04-13
机器人自动制孔系统
大型机械零部件的机器人自动制孔系统能够完成大型钛合金、铝合金、碳纤维复合材料及传统金属材料的自动钻孔、铰孔及锪孔等加工任务。该系统主要由工业机器人、视觉检测单元和制孔执行器三部分组成。目前已完成原理样机，技术性能已在飞机大型壁板的自动制孔中得到验证。 主要性能指标：1. 可加工孔直径范围为Φ3～Φ8mm，孔径公差H9级；2. 制孔效率为15个/h；3. 孔定位精度为±0.3mm，重复定位精度为±0.2mm；制孔执行器的重量约为45kg，安装方式灵活，具有同轴式、悬挂式以及侧面式三种安装方式。
北京航空航天大学
2021-04-13
侧面六孔可互换牵开器
该器由齿条板、固定臂、活动臂、摇柄把、活动档板、拨轮组成。固定臂和活动臂的侧面各有三只孔。四只活动档板可根据病人不同年龄、不同体重的需要在孔与孔之间调节距离。手术野暴露明显，四点撑开胸骨，不易使胸骨骨折，共有二套4个不同型号档板，钛合金制作。
西安交通大学
2021-01-12
硅通孔结构及其制造方法
本发明公开了一种硅通孔结构的制造方法，包括以下步骤：将硅片的厚度减薄至 5 微米至 20 微米；去除硅片表面的所有绝缘层；在硅片的导电区表面和绝缘区表面制作掺杂掩膜，以对导电区和绝缘区分别进行粒子掺杂，绝缘区与导电区掺杂的粒子的极性相反；在粒子掺杂完成后去除掺杂掩膜；在导电区表面覆盖金属电极；在硅片的表面除金属电极之外的区域覆盖绝缘层。本发明的方法制造工艺简单，可避免刻蚀、绝缘处理等工艺对硅片的破坏，并能够提高制造硅通孔结构的成品率。本发明还公开了一种硅通孔结构。
华中科技大学
2021-04-11