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嘉宾观点抢先看 | 李春明：让职业院校成为人才“蓄水池”和产业“助推器”
在第63届高等教育博览会 建设教育强国·高等教育改革发展论坛即将举办之际，中国高等教育学会联合人民网教育频道推出“建设教育强国”系列访谈栏目，重点邀请东北地区高校领导、专家学者，围绕活动主题：融合·创新·引领：服务高等教育强国建设，畅谈思考体会、凝聚发展共识。
人民网-教育频道
2025-05-16
基于 FIR 数字滤波器原理的数字幅频均衡功率放大器装置
本实用新型涉及功率放大器技术，具体涉及基于 FIR 数字滤波器原理的数字幅频均衡功率放大器装 置，包括依次连接的信号预处理模块、前级放大模块、数字幅频均衡模块、DAC 后级滤波模块和功率 放大模块，与数字幅频均衡模块连接的 FPGA 模块，以及与 FPGA 模块连接的触摸屏模块。该放大器装 置基于 FPGA，以嵌入式处理器 NIOSⅡ为控制核心，输出功率可达到 10W，电路效率达 66%，经过数 字幅频均衡处理后，以 10KHz 时输出信号电压
武汉大学
2021-04-14
一种无需考虑参考卫星变换的紧组合RTK定位方法
本发明公开了一种无需考虑参考卫星变换的紧组合RTK定位方法，通过对传统双差模型进行改进，将双差电离层和双差模糊度改写为站间单差的模式，各历元各频率独自选择参考卫星，避免了参考卫星频繁变换对定位解的影响；在分析伪距/载波DISB时变特性的基础上，通过GPS和Galileo系统间重叠频率观测值组成差分观测方程，与常规RTK相比，提供了多余观测，提高观测模型强度，在长基线情况下，可以有效提高模糊度的固定成功率和首次固定时间，尤其是在单个系统共视卫星数目极少或卫星数目急剧变化的情况下，可以有效地实现固定解，提高定位的稳定性与连续性。
东南大学
2021-04-11
一种基于运动学变换的数控砂轮磨削加工方法
本发明公开了一种基于运动学变换的数控砂轮磨削加工方法，包括：生成初始砂轮加工路径并执行离散化处理以产生多个离散点；在砂轮架驱动轴的移动范围内选择位置点，并根据这些位置点网格划分生成多个立方体网格单元；找到分别包含各个离散点的立方体网格单元，然后计算离散点在所处网格单元中的体积误差矢量；利用体积误差矢量对各个离散点执行转换，由此生成新的多个离散点；通过拟合方式生成新的砂轮加工路径并执行相应的磨削处理。本发明中还公开了对计算体积误差矢量和点压缩处理方式的改进。通过本发明，能够有效降低由于数控磨床运动学特性及几何误差所引起的实际磨削轨迹与理想磨削轨迹之间的偏差，相应提高加工的几何精度和尺寸精度。
华中科技大学
2021-04-11
一种基于指波变换和 SVM 的假指纹检测方法
本发明公开了一种基于指波变换和 SVM 的假指纹检测方法，包括以下步骤:1:采集真、假指纹图 像;2:对采集的真、假指纹图像进行指波变换;3:提取采集的指纹图像的指波变换参数作为特征向量; 4:对所提取的特征向量进行归一化处理;5:对归一化的特征向量进行支持向量机训练得到基于支持向 量机(SVM)的分类器;步骤 6:对归一化的待检测指纹的特征向量，使用步骤 5 中得到的 SVM 分类 模型进行分类，得到―真‖或―假‖的&
武汉大学
2021-04-14
一种基于空间变换的自然场景下文本识别方法
本发明公开了一种基于空间变换的自然场景下文本识别方法，首先对训练图像集中的文本图像，获取图像的文本内容，并训练基准点定位网络、图像预处理网络、图像编码器网络以及特征解码器网络等网络模型；然后利用训练得到的网络模型对待识别图像集中图像进行空间变换，得到变换后的待识别图像；然后计算变换后的待识别图像的特征向量以及预测概率序列，最终获取图像识别的结果。本发明方法文本识别准确率高，且能够克服文本排列不规则等不利因素的影响。
华中科技大学
2021-04-11
Si基GaN功率半导体及其集成技术
随着便携式电子设备的快速发展，将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显，如何解决柔性电子设备的储能问题，是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器，其具有制备工艺简单，成本较低，适用于各种粉末状电极材料等特点。
电子科技大学
2021-04-10
Si基GaN功率半导体及其集成技术
电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器
电子科技大学
2021-04-10
大功率 LED 封装及热管理技术
成果的背景及主要用途： 对于大功率白光 LED(半导体发光二极管），由于其工作电流大和工作电压高， 在其工作过程中会产生很多热量，在现有的封装技术下，不能提供足够的散热能 力来维持极限条件下的可靠运行，大功率 LED 连接成为瓶颈，而解决这一问题 的根本方法在于改善芯片级互连材料的散热能力。 技术原理与工艺流程简介： 采用纳米银焊膏的低温烧结技术，利用其纳米银低熔点的性能，使烧结温度 降低到 280℃，而烧结后银连接具有高熔点（960℃）、高导电和高导热性能，非 常适合高温功率电子器件的长期可靠性运行。 以大功率 1W LED 芯片封装为例，测试表明对于三种热界面材料银浆(silver epoxy)，锡银铜焊膏(solder paste)，和钠米银焊膏（silver paste），由于钠米银焊 膏的高导热性，在大电流下发光效率提高 7~10%，说明散热效率提高，有效地 降低了结温。目前课题组已完成 25W 的 LED 模块封装。 技术水平及专利与获奖情况： 获发明专利“以纳米银焊膏低温烧结封装连接大功率 LED 的方法”，发明专 利 ZL200610014157.5，授权日：2008.11.19。 应用前景分析及效益预测： 此项技术可以用于大功率 LED 芯片的封装，具有广阔的市场前景，进一步 可以推广到大功率半导体激光器的封装中。 应用领域：电子封装 技术转化条件： 本项目组在电子器件的热管理方面也具有丰富的经验，可进行电子封装的热 分析及热管理设计。 合作方式及条件：根据具体情况面议 20 耐高温、耐高湿电子封装材料
天津大学
2021-04-11
高频高功率密度GaN栅驱动电路
作为第三代半导体代表性器件.硅基GaN开关器件由于具有更小的FOM.能够把开关频率推到MHz应用范围，突破了传统电源功率密度和效率瓶颈(功率密度提高5-10倍).且具有成本优势，满足未来通信、计算电源、汽车电子等各方面需求,开展相关领域的研究对我国在下一代电力电子器件产业的全球竞争中实现弯道超车,具有重要意义。然而,器件物理特殊性需要定制化栅驱动电路和采用先进的环路控制策略，最大程度提高GaN开关应用的可靠性,发挥其高频优势。
电子科技大学
2021-04-10