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高效率、大面积碳纳米管 - 硅异质结太阳能电池
碳纳米管-硅太阳能电池将具有优异透明导电性能的碳纳米管和高吸光性能的单晶硅完美结合，工艺简单，备受学术界关注。和目前光伏领域所研究的钙钛矿、半导体薄膜、量子点等材料相比，碳纳米管-硅电池将传统硅材料和新型碳纳米材料两者优良的光电性能相结合，有望成为下一代光伏候选技术。和传统晶体硅电池相比， 该电池省略了制备p-n结的热扩散工艺，小面积时无需蒸镀金属栅格，单壁碳纳米管的导电性和载流子迁移率远远高于晶体硅，因此具有低成本、高效率的优点。目前， 该领域的典型结构，无论是碳纳米管-硅还是石墨烯-硅电池，都存在电池效率仍有待提高、电池面积偏小的问题，距离实际应用还比较遥远。
北京大学
2021-01-12
高效率、大面积碳纳米管 - 硅异质结太阳能电池
碳纳米管-硅太阳能电池将具有优异透明导电性能的碳纳米管和高吸光性能的单晶硅完美结合，工艺简单，备受学术界关注。和目前光伏领域所研究的钙钛矿、半导体薄膜、量子点等材料相比，碳纳米管 - 硅电池将传统硅材料和新型碳纳米材料两者优良的光电性能相结合，有望成为下一代光伏候选技术。和传统晶体硅电池相比， 该电池省略了制备 p-n结的热扩散工艺，小面积时无需蒸镀金属栅格，单壁碳纳米管的导电性和载流子迁移率远远高于晶体硅，因此具有低成本、高效率的优点。目前， 该领域的典型结构，无论是碳纳米管 - 硅还是石墨烯 - 硅电池，都存在电池效率仍有待提高、电池面积偏小的问题，距离实际应用还比较遥远。
北京大学
2021-04-13
甲基硅氧烷大气转化导致低挥发性物种及高产率甲醛的形成
该研究发现一种新的过氧自由基自氧化机制，阐明甲基硅氧烷大气转化会生成甲醛，增加其释放的环境风险。该研究不仅拓展了对大气过氧自由基化学的理解，还为甲基硅氧烷环境行为模拟和风险评估提供了重要的基础数据。
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大连理工大学
2021-01-12
一种兼具 pH 值和离子强度响应的光子晶体水凝胶薄膜、其制备 方法及应用
本发明公开了一种兼具 pH 值和离子强度响应的光子晶体水凝胶 薄膜、其制备方法及应用。所述光子晶体水凝胶薄膜包括 Fe3O4 纳米 粒子和聚丙烯酰胺-甲基丙烯酸水凝胶；所述 Fe3O4 纳米粒子均匀分散 于水凝胶中，呈一维链状排列，纳米粒子在薄膜中的浓度为 1～ 50mg/mL。所述的光子晶体水凝胶薄膜的制备方法，包括将 Fe3O4 纳 米粒子和水凝胶单体均匀混合，通过紫外光使其发生固化反应，最后 浸于可溶性碳酸盐水
华中科技大学
2021-01-12
一种含聚偏氟乙烯高分子水凝胶吸附剂的制备方法及应用
本发明公开一种含聚偏氟乙烯高分子水凝胶吸附剂的制备方法及应用。该方法包括以下步骤：（1）将PVDF粉末经KOH/乙醇溶液改性获得含双键的活性基团，（2）通过自由基聚合接枝聚丙烯酸（PAA）形成PVDF‑g‑PAA两亲性聚合物，（3）与丙烯酰胺（AM）交联构建三维互穿网络水凝胶。只需简单的三步就可得到一个高效的锂离子吸附剂，且原料价格低廉，适合大规模制备。该吸附剂实现高效锂吸附，在盐湖卤水碱性环境中对锂离子吸附容量达33.48 mg/g，锂镁选择性系数达45。实验表明该吸附剂在经数次循环后吸附容量仍保持82%，兼具优异机械稳定性和循环再生能力，特别适用于高镁锂比盐湖卤水的锂资源提取。
南京工业大学
2021-01-12
关于召开全国设计教育论坛暨第八届两岸新锐设计竞赛·华灿奖宣介会的通知
为深入贯彻落实党的十九届历次全会精神和全国教育大会精神，推动设计专业人才培养，加强设计与相关产业的深度融合，深化高校设计专业实施创新创业教育改革，增进海峡两岸暨香港、澳门青年设计人才的交流互动，经研究，决定举办全国设计教育论坛暨第八届两岸新锐设计竞赛·华灿奖宣介会。该论坛是2022年8月4-6日在西安举办的第57届中国高等教育博览会的组成部分。
中国高等教育学会
2022-07-22
含硫、氮和过渡金属元素大孔碳氧化原催化剂的制备方法
本发明涉及氧还原催化剂的制备方法，旨在提供一种含硫、氮和过渡金属元素大孔碳氧化原催化剂的制备方法。该方法是：将硫脲溶液加入葡萄糖溶液，于水浴中滴加盐酸，反应得到葡萄糖硫脲预聚体溶液；将含过渡金属盐和纳米CaCO3粉末的悬浊液加入其中，加热反应后喷雾干燥，得到催化剂前驱体；然后升温进行深度聚合、碳化；冷却球磨，再使用盐酸去除模板，漂洗后干燥，得到产品。本发明将过渡金属元素在多孔材料形成前加入，能够形成更多的催化中心，是催化中心的分布更加均匀。得到的催化剂比表面积大，导电性好，具有极高的催化活性，特别适用于大电流工作状况。合成的非贵金属催化剂可用于多种燃料电池，也可作为空气电池的阴极催化剂，成本低廉。
浙江大学
2021-04-13
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道：采用 双离子束沉积技术，一束离子轰击靶材，使材料原子发生溢出，原子 沿轨迹沉积到深孔中，一束离子轰击深孔表面，使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部，从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出，减小了电极的接触 面积，同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学
2021-04-14
基于环境孔压静力触探探头的重金属污染物浓度的测试方法
本发明提供一种基于环境孔压静力触探探头的重金属污染物浓度的测试方法，通过X射线能谱分析装置和电阻率测试装置完成重金属污染成分及浓度的测定。X射线能谱分析装置包括X射线发射器，X射线探测器以及高性能滤波片。通过X射线探测分析，检测土壤中重金属污染成分。电阻率测试装置由外周的四个环形电极组成，环形电极之间通过绝缘层隔离，中间两个环形电极为测试电极，上下两个环形电极为发射电极，发射电极用于向土体发射电流，测试电极用于测量电位差，再结合根据欧姆定律可以计算电极周围土体的电阻率大小，通过特定重金属元素的浓度电
东南大学
2021-04-14
一种锂、铈、钽共掺铌酸铋钙基压电陶瓷材料及其制备方法
本发明公开了一种锂、铈、钽共掺铌酸铋钙基压电陶瓷材料及其制备方法，其特点是该压电陶瓷材料由通式Ca1-x(Li, Ce)x/2Bi2Nb2-yTayO9表示，0.02≤x≤0.15，0.01≤y≤0.3，其中X表示A位锂、铈元素的摩尔分数，Y表示B位钽元素的摩尔分数。采用固相法制备A位锂、铈(Li，Ce)，B位钽(Ta)不同掺杂量的铌酸铋钙(CBN)陶瓷粉体材料；再通过造粒、压片、排胶、烧结、被银、极化的工艺制备锂、铈、钽共掺杂CBN基压电陶瓷材料。结果表明在较低的烧结温度（～1100）℃下制备得到的锂、铈、钽共掺杂CBN基压电陶瓷材料，其晶粒比较致密、晶粒均匀，提高了烧结活性及陶瓷的致密性，使得烧结效果更好；压电性能大大提高，并降低其介电损耗。
四川大学
2021-04-11