一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法

高端装备制造

本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制

备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道：采用

双离子束沉积技术，一束离子轰击靶材，使材料原子发生溢出，原子

沿轨迹沉积到深孔中，一束离子轰击深孔表面，使沉积的材料无法覆

盖深孔顶部，从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U

型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出，减小了电极的接触

面积，同时U型半导体存储器件的NAND串可以包

未应用