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科技部办公厅 财政部办公厅关于开展2023年中央级高等学校和科研院所等单位重大科研基础设施和大型科研仪器开放共享评价考核工作的通知
本次评价考核范围为中央级高等学校和科研院所等单位，以法人单位为考核对象，对其拥有的重大科研基础设施和原值50万元以上的大型科研仪器2022年度的开放共享情况进行评价考核。
科技部办公厅 财政部办公厅
2023-07-01
科技部办公厅 财政部办公厅关于开展2023年中央级高等学校和科研院所等单位重大科研基础设施和大型科研仪器开放共享评价考核工作的通知
为深入贯彻落实《国务院关于国家重大科研基础设施和大型科研仪器向社会开放的意见》，促进科研设施与仪器开放共享，切实提高科技资源配置和使用效率，更好地为科技创新和社会服务，科技部、财政部决定开展2023年中央级高等学校和科研院所等单位重大科研基础设施和大型科研仪器开放共享评价考核工作。
科技部办公厅 财政部办公厅
2023-06-30
科技部办公厅 财政部办公厅关于开展2024年中央级高等学校和科研院所等单位重大科研基础设施和大型科研仪器开放共享评价考核工作的通知
本次评价考核范围为中央级高等学校和科研院所等单位，以法人单位为考核对象，对其拥有的重大科研基础设施和原值50万元以上的大型科研仪器2023年度的开放共享情况进行评价考核。2022年评价考核结果为较差的6家单位已完成整改（整改期1年），参加此次考核。2023年评价考核结果为较差的5家单位尚处于整改期，不纳入此次考核范围。
科学技术部办公厅
2024-05-13
技术需求：机械方面：机械设计、机械制造工艺学、机电一体化技术、机械制造及其自动化等学科。
机械方面：机械设计、机械制造工艺学、机电一体化技术、机械制造及其自动化等学科。电气方面;电气工程及其自动化、机电一体化系统、电气控制与PLC，电机与电器、电力工程等学科。
山东赛瓦特动力设备有限公司
2021-08-19
关于公布国家自然科学基金重大研究计划“战略性关键金属超常富集成矿动力学”2021年度项目评审会评审组名单的公告
根据相关规定，现将国家自然科学基金重大研究计划“战略性关键金属超常富集成矿动力学”2021年度项目评审会评审组名单公布。
国家自然科学基金委员会
2021-12-22
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10
低介低损耗LTCC微波介电材料及流延技术
成果描述：我们研发的低介低损耗LTCC微波介质材料主要参数满足： 烧结温度：900度 介电常数：5.8~6.5可调 Qf：≥50000市场前景分析：该材料可广泛应用于各种LTCC天线、滤波器等微波集成器件领域和LTCC集成模块的封装领域，市场前景非常好。与同类成果相比的优势分析：目前国内还没有该类型的产品问世，相应研究所和企业主要是购买国外的Ferro公司的A6材料。由于A6材料价格昂贵，且主成分为玻璃体系，限制了其推广和应用。本成果材料主要为陶瓷体系，与LTCC工艺的兼容性很好，且成本低廉，优势明显。
电子科技大学
2021-04-10
基于AI技术的对全国疫情扩散情况及高峰期
2月1日，清华大学深圳国际研究生院马兆远课题组首次公布基于AI技术的对全国疫情扩散情况及高峰期预测模型。根据后续一周内国家卫计委公布的疫情实时数据反馈，该模型在一周（2月1日至2月7日）之内的预测结果与真实情况吻合度较高，平均准确率达98%以上。团队比较早地对疫情高峰期及拐点出现时间做出“2月7-12日内达到峰值，疫情拐点最迟于2月16日前后出现，总感染人数或达7万”的预判，该预测与钟南山院士的判断互相印证。虽然预测结果的准确度得到验证，课题组团队并没有因此松懈，而是不断根据最新的数据变化调整参数、优化拟合结果，同时积极联络政府相关科技、数据信息等部门，让预测结果成为施策者有力的决策参考。2月1日，清华大学深圳国际研究生院马兆远课题组首次公布基于AI技术的对全国疫情扩散情况及高峰期预测模型。根据后续一周内国家卫计委公布的疫情实时数据反馈，该模型在一周（2月1日至2月7日）之内的预测结果与真实情况吻合度较高，平均准确率达98%以上。团队比较早地对疫情高峰期及拐点出现时间做出“2月7-12日内达到峰值，疫情拐点最迟于2月16日前后出现，总感染人数或达7万”的预判。
清华大学
2021-04-10
环保型海洋防涂料关键材料及其应用技术
项目成果/简介: 针对海洋防污涂料向环保和高性能发展的前沿，从突破关键基础材料与核心技术入手，研发了7个系列含天然辣素功能结构树脂和4个系列绿色防污剂，并针对近海船舶、快艇、潜标、波浪滑翔器和渔网研发了5种不同性能特点的防污涂料，实现了工程化应用。建立了我国自己的环保型海洋防污涂料技术体系、产品体系以及知识产权保护网，获授权发明专利美国、欧盟、日本各1项、中国28项，相关成果获国家技术发明二等奖、教育部技术发明一等奖和山东省科技进步一等奖各1项。 知识产权类型:发明专利 、 软件著作权知识产权编号:ZL200810139149.2 ZL20050081681.X ZL200510081683.9 ZL201410817103.7 ZL201410515220.8 ZL201410817103.7 ZL201410515220.8 EP1810966B1 特许第4789950号 US7442240B2技术成熟度:通过中试技术先进程度:达到国内领先水平成果获得方式:独立研究获得政府支持情况:无
中国海洋大学
2021-04-11