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科技部火炬中心关于开展2022年度国家级科技企业孵化器申报工作的通知
为贯彻落实党的二十大精神，加快实施创新驱动发展战略，加快实现高水平科技自立自强，促进创业孵化机构体系化、专业化建设，推动科技创新创业高质量发展，形成示范带动效应，按照《科技企业孵化器管理办法》（国科发区〔2018〕300号）相关要求组织开展2022年度国家级科技企业孵化器申报工作，有关事项通知如下。
科技部火炬中心
2022-11-22
中国海洋大学工作站、控制终端、服务器等设备采购项目公开招标公告
中国海洋大学工作站、控制终端、服务器等设备采购项目招标项目的潜在投标人应在青岛市市北区敦化路138号甲西王大厦24楼23A01室或者邮件报名获取招标文件，并于2022年06月23日09点00分（北京时间）前递交投标文件。
中国海洋大学
2022-06-01
中国海洋大学服务器、数字逻辑组成实验教学箱等设备采购项目公开招标公告
中国海洋大学服务器、数字逻辑组成实验教学箱等设备采购项目招标项目的潜在投标人应在青岛市市北区敦化路138号甲西王大厦24楼23A01室或者邮件报名获取招标文件，并于2022年06月23日09点00分（北京时间）前递交投标文件。
中国海洋大学
2022-06-01
中国海洋大学服务器、图形工作站、相机等设备采购项目竞争性磋商
中国海洋大学服务器、图形工作站、相机等设备采购项目竞争性磋商
中国海洋大学
2022-05-27
适用于下一代远距离激光雷达的微型化窄线宽激光器
单频窄线宽激光的产生，主要依靠谐振腔的腔长。谐振腔腔长越长，所产生激光线宽越窄。但是由于半导体激光器的腔长天然短，很难产生量级上的变化，因此采用半导体发光的窄线宽激光器多采用外腔的方式实现。最通用的方式是用一段长光纤作为反馈腔，在光纤中用无源光栅作为反射镜。这样做优点是生产较容易，易于实现窄线宽。但是光纤的抗干扰设计难，无法实现大功率输出。研发小尺寸、高可靠、低成本的窄线宽激光器是激光器发展的重要方向之一。本项目研发的微型化、高可靠、高功率、低成本的半导体外腔窄线宽激光器，其微型化指标将满足绝大多数光电系统和光电模块的集成化需求，抗干扰，抗震动，温度适应性满足工业化产品的高要求，低成本性满足消费级光电模块应用，高功率输出满足汽车电子，工业制造等高功率需求。本项目将研发完整的量产工艺，满足单条产线月产50k个激光器的量产需求，从而将窄线宽激光器第一次普及到基础工业领域。 本项目的微型化半导体外腔窄线宽激光器，线宽可控制在2-100kHz，最大输出功率500mW，可产生线性调频信号，波长可定制即可。
北京大学
2021-02-01
关于开展2023年青海省科技企业孵化器和众创空间绩效评价工作的通知
为进一步增强我省科技创新创业服务能力，推进孵化服务机构提质增效，根据《青海省科技企业孵化器和众创空间绩效评价细则》（青科发高新〔2023〕48号)，省科技厅定于7月份开始组织织开展2023年省级科技企业孵化器和众创空间绩效评价工作。
青海省科技厅
2023-07-05
教育系统深入实施2023届高校毕业生就业“百日冲刺”行动
就业是最大的民生工程、民心工程、根基工程。习近平总书记多次强调，要实施就业优先战略，把促进青年特别是高校毕业生就业工作摆在更加突出位置。为抢抓高校毕业生就业冲刺期，5月—8月，教育部在全国范围内组织实施2023届高校毕业生就业“百日冲刺”行动。
教育部
2023-07-18
中南民族大学广播系统采购项目（第二次）竞争性磋商公告
中南民族大学广播系统采购项目（第二次）竞争性磋商
中南民族大学
2022-05-31
非平坦信道下多光源多载波可见光通信系统的优化方法
本发明公开了一种非平坦信道下多光源多载波可见光通信系统的优化方法，包括如下步骤：(1)设置多光源多载波可见光通信系统的参数，包括信道参数、噪声大小和最大光功率，以最大化数据速率R为目标优化；(2)对直流偏置b优化，得到优化后的直流偏置b*；(3)归一化波束成形向量{uk}进行优化，k＝1,...,K?1，其中K是子载波的总个数，得到优化后的归一化波束成形向量(4)根据优化后的归一化波束成形向量得到近似最优的波束成形向量ω*。本发明的优化方法不需要额外改变系统硬件等外部条件，仅通过简单的计算，就能大大提升系统性能；当系统的最大光功率受限时，优化后的系统光强能够保持恒定，可以兼顾照明；本发明优化方法收敛速度快，易于实现，鲁棒性高。
东南大学
2021-04-11
III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统
III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统建立并完善了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元体系的III-V族合金化合物半导体热力学数据库，使之成为当前国际上数据资源相对丰富、可靠程度高的专业型数据库。在此基础上，应用该计算机辅助分析系统，可采用统一的成分空间表达方式，将覆盖四元半导体整个成分空间的光电性能（能量间隙或波长）、与相应衬底匹配的成分条件、以及各种温度下发生溶解间隙的成分范围，投影于一平面，构成III-V族半导体体系综合优化图，用以对金属有机物气相外延工艺进行辅助分析、确定满足优质半导体生长的成分空间、预测外延层半导体的成分等。同时，该系统还发展了非平衡过程分析研究方法：亚稳平衡处理、条件平衡处理和不可逆过程分析处理等，这些方法有助于III-V族半导体液相外延、气相外延和金属有机物气相外延工艺过程的热力学分析。 该项目面向光电子材料和器件的研制与生产 III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统，目前主要是作为应用研究，服务于有关光电子材料和器件的研制与生产过程中工艺条件的辅助设计，以促进III-V族半导体液相外延、气相外延和金属有机物气相外延工艺逐步从经验设计迈向科学设计，在相关领域的高技术产业化方面起积极作用。 Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元体系的III-V族合金化合物半导体热力学数据库；瑞典皇家工学院Thermo-Calc相平衡热力学计算软件。
北京科技大学
2021-04-11