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基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性半导 体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电 区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化 层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括 SiCx 织构和横纵向均匀分布于 SiCx 织构中的硅量子点。本发明有效利用硅 量子点-SiCx 织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx 织构-Si 量子点-SiC
华中科技大学
2021-04-14
一种电容缓冲式混合高压直流断路器及其控制方法
本发明公开了一种电容缓冲式混合高压直流断路器及其控制方 法，该断路器包括机械开关单元、电流转换单元、电容缓冲单元和机 械开关供能单元。机械开关单元由至少一个机械开关子单元串联构成， 机械开关子单元由机械开关、均压模块和吸能限压模块并联构成；电 流转换单元由电力电子开关模块和限压模块并联构成，电力电子开关 模块包括至少一个电力电子器件；电容缓冲单元由电容器组构成，为 故障电流提供换流缓冲支路；机械开关供能单元为机械开关提供电能， 保证其动作的快速性和协同性。本发明提供的电容缓冲式混合高压直 流断路器及
华中科技大学
2021-04-14
一种模块化多电平换流器功率运行区间的获取方法
本发明公开了一种模块化多电平换流器功率运行区间的获取方 法，包括下述步骤：(1)根据已知的模块化多电平换流器的基本参数， 建立旋转坐标系下模块化多电平换流器的稳态数学解析模型；(2)确定 要考虑的运行约束条件；(3)根据稳态数学解析模型计算各约束条件下 功率运行区间；(4)将各约束条件下的功率运行区间取交集，获得考虑 多重运行约束条件下模块化多电平换流器的功率运行区间。本发明考 虑的运行约束条件，通过建立一套旋转坐标系下模块化多电平换流器 的稳态数学解析模型，并通过取交集得到考虑多重约束条件下的功率
华中科技大学
2021-04-14
一种具有高传输效率可快速连续调节能量的降能器
本发明公开了一种具有高传输效率可快速连续调节能量的降能 器，包括碳化硼能量粗调单元、石墨能量精调单元、束流准直器组、 运动控制模块、真空模块；碳化硼能量粗调单元实现能量的初级步进 调节，提高了束流传输效率；石墨能量精调单元可实现束流能量的连 续精准调节；准直器组可对束流发射度进行有效抑制，通过改变孔径 实现了发射度的选择；运动控制模块可分别对碳化硼和石墨能量调节 单元进行快速运动控制，保证了能量的快速调节；真空模块创造并维 持了真空环境。本发明的降能器可以实现束流能量的高传输效率、快 速、连续调节，
华中科技大学
2021-04-14
一种回旋加速器等时性磁场垫补方法及系统
本发明公开了一种回旋加速器等时性磁场垫补方法及系统。首 先通过有限元建模与计算得出回旋加速器磁极不同半径处单位边缘切 削面积磁场沿径向改变量，利用若干组改变量计算出表征切削向量同 整体磁场改变量的相关矩阵。在对加工的主磁铁进行测磁后，根据等 时场偏差和相关矩阵可逆向计算出所需要切削的边缘沿半径分布向 量，在通过插值得到连续加工坐标后，利用数控机床对磁极边缘进行 加工。本发明所提供的磁场垫补方法考虑了垫补过程中径向边缘场效 应，同时结合了有限元计算与实际测磁结果，具有可预测、高精度特 点，并基于相关矩
华中科技大学
2021-04-14
一种 H 桥三电平有源电力滤波器的控制方法及系统
本发明公开了一种 H 桥三电平有源电力滤波器的控制方法及系 统。在进行直流母线电压相间平衡控制时，通过检测各相直线母线电 压与直流母线平均电压之间的偏差，确定基波负序电流的给定量，是 一种双闭环结构，因此系统的鲁棒性更高。与传统的基于负序电压注 入的方法相比，不会影响电流环的性能；与传统的基于零序电压注入 的方法相比，其相间平衡控制的能力更强。在进行负载电流谐波检测 时，在双 dq 轴坐标系下分别检测基波正序分量和基波负序分量，因此 谐波检测的精度更高。由于在负序 dq 轴坐标系下检测了基波负序电
华中科技大学
2021-04-14
一种动平台对空目标双色红外异构并行自动目标识别器
本发明公开了一种动平台对空目标双色红外异构并行自动目标识别器，所述目标识别器包括：交换式网络与至少一个处理部件，所述处理部件与所述交换式网络之间通过输入 FIFO 接口、同步存储器输出接口以及控制线连接，所述交换式网络用于动态链接不同的所述输入 FIFO 接口和所述同步存储器输出接口，所述处理部件用于完成自动目标识别过程中所需的各种算法功能，所述输入 FIFO 用于缓存输入的待处理图像数据，所述同步存储器输出接口用于
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的可编程模拟电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的可编程模拟电路及其操作方法， 可编程模拟电路包括：阻变元件、第一电阻、第二电阻、N 型 MOS 管 和 P 型 MOS 管；第一电阻的一端作为可编程模拟电路的第一端口，阻 变元件的一端与第一电阻的另一端连接，阻变元件的另一端作为可编 程模拟电路的第二端口；N 型 MOS 管的漏极和 P 型 MOS 管的漏极均 连接至阻变元件的另一端，N 型 MOS 管的源极和 P 型 MOS 管的源极 均
华中科技大学
2021-04-14
氨式法HCN固定床反应器计算机优化控制技术
Ø 氨式法HCN固定床反应器是当前应用较多的由天然气生成HCN的生成装置，利用金属铂作催化剂，在1600℃高温下反应合成HCN。该反应器对反应温度、气体纯度、气体配比和流速等都有很高的要求。国际上先进的氨式法反应器的收率一般都在78~82％，而国内该种反应器在2000年之前的收率基本都只有45％左右，操作稳定性差，存在一定的安全隐患。低收率造成该种反应器在当时使用普及度不高，也同时使HCN产品链主要依靠石化副产物的HCN，从而对产能有很大的约束。氨式法HCN固定床反应器计算机优化控制技术通
北京理工大学
2021-04-14
表征太赫兹量子级联激光器多模效应的电路建模仿真方法
本发明涉及一种表征太赫兹量子级联激光器多模效应的电路建模仿真方法，首先建立表征 THzQCL 有源层内部载流子输运特性的多模速率方程组；接着建立表征ThzQCL内部多模态效应的物理方程模型； 然后通过变量代换和化简得到相应的等效电路模型；建立表征 THzQCL 输入端电气特性的等效电路模型； 建立表征 THzQCL 输出端光功率特性的等效电路模型；最后建立电路宏模型，包括一个电气端口和一个 光功率输出端口，基于电路宏模型进行光电性能仿真和输出光谱性能测试。本发明可测试温度对 THzQCL 各种光电性能的影响；可支持实现对 THzQCL 光电性能和输出多模效应的模拟和仿真。
武汉大学
2021-04-13