简介：本发明公开了一种基于氯化胆碱‑木糖醇低共熔溶剂的电镀锡方法，属于电镀技术领域。该方法首先将木糖醇、氯化胆碱和蒸馏水恒温搅拌得到透明的低共熔溶剂，接着将氯化亚锡加入到低共熔溶剂中再恒温搅拌得到含锡的低共熔溶剂，以此作为电镀液；将纯锡板作为阳极，低碳钢作为阴极，浸入到电镀液中进行恒电流电镀。本发明镀锡工艺安全无毒、环保节约，解决了氟硼酸盐镀锡、卤化物镀锡等工艺存在的环境污染问题。

本发明公开了一种均相制备低脱乙酰度羧基甲壳素的方法及其应用。首先将甲壳素加入到氢氧化钠 和尿素的混合水溶液中制得均相甲壳素水溶液，再加入含羧基化试剂的水溶液在均相甲壳素水溶液里搅 拌反应，经后处理得到低脱乙酰度羧基甲壳素。本发明方法制备工艺简单，产品取代度均匀易控，产率 高，且反应条件温和，为环境友好的绿色工艺，利于大规模工业化生产;甲壳素基本上未降解，制得的 一些低脱乙酰度羧基甲壳素具有 pH 敏感性和温度敏感性，可作为药物载体材料使用。本发明制得的水 溶性高粘度产品为天然原材

该成果涉及食品生物等高新技术领域，是一种具有抑制腐败作用的低值鱼蛋白深度酶解的方法。通过创造性地在低值鱼酶解过程中不断通入净化空气或氧气，抑制和杀灭引致水解物腐败变质的厌氧菌；利用内切蛋白酶与外切蛋白酶的协同作用，明显提高了鱼蛋白水解效率，可得水解度大于65%，氮回收率大于85%的低值鱼蛋白深度酶解液，显著降低了低值鱼酶解成本。 该成果避免现有技术采用化学杀菌剂所导致的对蛋白酶活性的抑制、化学杀菌剂残留的问题，以及使用热杀菌方法所导致的降低鱼蛋白水解效率的问题，解决了低值鱼酶解过程易

本发明提出了一种基于鲁棒低秩张量的高光谱图像去噪方法，包括建立高光谱图像噪声的数学模型， 构造高光谱图像鲁棒低秩张量（RLRTR）去噪模型，求解 RLRTR 去噪优化模型。本发明充分利用高光 谱图像（HSI）的先验知识，高光谱图像被不同的噪声污染，如高斯噪声、脉冲噪声、死像素和条带噪 声等。利用干净的高光谱图像数据具有潜在的低秩张量特性以及异常和非高斯噪声具有稀疏性的特性， 同时分别采用核范数和 l2,1 范数来表征低秩和稀疏特性；本发明的技术

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

本项目采用煤渣和废瓷粒等工业废渣为骨料，研制的环境友好型陶瓷透水砖是由底料和面料复合而成，并且以废瓷粒为面料、煤渣作底料，面料与底料的厚度比为1/5~1/7，废料综合利用率达65~85%。该技术具有以下创新点：1）独创了陶瓷透水砖成孔新技术，通过优化骨料的颗粒级配形成透水砖所需的孔隙，突破了现有采用造孔剂的常规成孔技术；2）通过颗粒级配形成的大孔和煤渣颗粒本身可燃物燃烧形成的微孔组成复合的孔结构提高砖体的透水性和保水性，有效解决了透水砖的强度和透水性相互制约的矛盾；3）采用废瓷粒面层和煤渣底层的复合结构，大大提高了砖体的耐磨性；4）开发了与透水砖骨料结合牢固的高温粘结剂配方技术。本项目制备的陶瓷透水砖具有成本低、强度高、透水性好等显著优点。该项目成果取得国家发明专利授权。

纳米增韧管道于上世纪70年代首先在欧洲发起并开始大量在工业与民用中推广应用， PPR 以其耐热、耐压、热熔连接、施工方便、价格适中等忧点深受市场欢迎。 1979年前后，我国工业与民用建筑给水与采暖用管开始用PPR塑料管道。然而，PPR管道 在应用上存在耐热温度低 (0～70℃) 、热水下耐压强度低、低温脆性大、高温蠕变大使用寿命 短、弹性模量大不能盘卷而无法满足埋地板下无接头的标准要求等缺点，阻碍了PPR在高温采 暖领域 (80～95℃) 的应用。为了扩大PPR管材的应用领域，必须对PPR进行改性。 项目设计研发的NFPP-RCT (NFβ晶型PP-R) 管道系统是由三层材料复合而成，内外层材料 通过改性具有阻隔、耐候、抗冲功能的β晶无规共聚聚丙烯PP-RCT (βPP-R) ，中间层为βPP-R与 纳米级镁盐复合而成的长效阻氧增刚增强层，具有阻氧、耐候、耐高温、耐高压、抗蠕变、抗 冲击的特点。总体材料设计水平先进，产品结构设计合理，能够大幅度提升产品质量。 采取的技术路线如下：采用纳米CaCO3作为载体制备负载型β晶型成核剂，并加入弹性体 和助剂，用DSC和XRD研究载体纳米CaCO3用量和负载型β晶型成核剂用量对成核PP结晶与熔 融行为和β晶含量的影响，并与传统β晶型成核剂庚二酸钙 (CaHA) 成核PP比较。 NFPP-RCT (NFβ晶型PP-R) 管道系统的优点包括：环境友好；节约能源；使用安全、寿命 长；性价比优；安装方便、美观大方；可修可补、维修方便。

属于通用型的保护、控制、测量、通信一体化装置，以32位微处理器为核心，可提供低压线路保护及电容器保护功能，以及测量监视功能、事件记录及故障录波功能、人机接口功能及远程通信功能。符合EMS检测要求。预计近几年国内市场的用量将逐年增加，尤其是农电，单台售价4000元左右，投资规模约150万元。

"华中8型高档数控系统是华中数控研发的新一代全数字总线式高档数控系统，突破了一批关键核心技术，如：NCUC高速现场总线，多通道、多轴联动控制技术，纳米插补技术,前瞻预读功能，小线段高速平滑，双轴同步控制，刀具空间长度补偿（RTCP），复合加工，误差补偿，对话式式编程等。2016年4月10日，华中8型通过中国机械工业联合会组织的科技成果鉴定，鉴定委员会专家一致认为“该系统各项功能、性能、可靠性达到国外同类系统水平，可替代进口”。2018年，华中8型高档数控系统荣获国家科技进步二等奖。 目前，华中8型数控系统已实现数万台销售。其中，既包括量大面广的数控车床、车削中心、数控铣床、立式加工中心、卧式加工中心、钻攻中心等中、高档数控机床，还包括与重大专项配套的近千台高档数控机床，产品覆盖十余类规格的机型，领域涉及航空航天、军工、能源装备、汽车制造、3C加工等，是配套最多的国产高档数控系统。"

目前由于建筑、装饰和家具造成居室内空气污染严重危及人们身体健康，其污染物主要为甲醛和苯系物。室内空气的污染越来越引起人们的关注,而关于空气清新剂的制备与成为许多学者研究的热点。其中纳米级光触媒作为一种新型的无机材料，具有光催化活性，能利用太阳光催化降解很多有毒、有害的物质（如：室内装饰用的人造板，地毯等合成织物，化妆品、清洁剂、杀虫剂、防腐剂的使用也能释放出甲醛、苯系物），具有广阔的应用前景。纳米级光触媒作为空气净化材料可有效地降解室内外有机污染物，氧化除去大气中苯系物、甲醛等污染物。若用阳光作为光源来激发反应发生，大约一星期能消除空气中的苯系物、甲醛等污染物；若用紫外光作为光源来激发反应发生，大约两天能消除空气中的苯系物、甲醛等污染物，效果理想。更有价值的是该产品可加工成各种形态，便于包装和使用。例如：可制成薄膜贴附于车窗上，用于消除车内空气的污染。该产品生产成本较低，在目前家装、购车非常热门的时期，尤其具有商业价值。