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P66.XYZ—纳米定位台-芯明天科技
产品详细介绍纳米定位台纳米定位台  电话:0451-86268790  芯明天科技——压电纳米定位行业领导者!产品定制服务我们更专业!每年参加展会:LASER World of PHOTONICS CHINA慕尼黑上海光博会、北京光电周ILOPE、深圳光博会CIOE。哈尔滨芯明天科技有限公司专业致力于压电纳米定位系统的研发生产与销售。十余年的行业经验、专业的研发团队、雄厚的研发实力、完善的管理体系、可靠的品质保障为您提供最佳压电纳米定位技术解决方案!主营产品包括压电陶瓷材料、压电陶瓷片、叠堆压电陶瓷、精密压电促动器、压电马达、压电直线电机、纳米定位台、压电纳米定位台、微米纳米定位台、压电平移台、压电运动台、压电位移台、压电平移台、1-3维纳米精度偏转台/旋转台、压电偏转镜、压电物镜定位器、六自由度并联机构、压电陶瓷驱动电源、压电陶瓷驱动器、压电陶瓷驱动电源、电感/电容/激光测微仪等产品,同时提供压电点胶阀维修服务等。纳米定位台是以压电陶瓷作为驱动源,结合柔性铰链机构实现X轴、Y轴、XY轴、XYZ轴精密运动的平台,驱动形式包括压电陶瓷直驱式与机构放大式两种,运动范围最大可达110μm, 具有体积小、无摩擦、响应速度快等特点,配置高精度传感器,可以实现纳米级分辨率、定位精度具有极高的可靠性,压电平移台在精密定位领域中发挥着至关重要的作用。P66.XYZ 压电纳米定位台为压电陶瓷直驱机构压电平台,采用柔性铰链结构设计具有无摩擦、无反弹、响应速度快等特点,最大运动行程110μm,分辨率可达0.1nm,定位精度实现纳米级,可通过自由组合成二维、三维压电纳米定位台。特点:柔性铰链结构设计,无摩擦无反弹最大行程110μm开环与闭环版本可选FEA有限元分析优化产品性能可组合成二维、三维纳米定位台应用:光纤拉伸/端面检测/对接  硬盘测试  电化学加工 3D锡膏检测  精密定位 显微成像   哈尔滨芯明天科技有限公司致力于压电纳米定位产品的研发、生产与销售,主要服务于制造高端精密设备的的客户。自2004年起,经过十多年的快速发展,公司已获得高新企业认定,获得产品相关专利以及软件著作权、全部产品拥有自主知识产权、公司产品已覆盖全国各地知名高校、科研院所以及高端精密设备制造企业,并远销欧、美、日、韩等地。公司与中国高科技企业、国家重点实验室建立了合作伙伴关系,已经成为中国最专业的精密定位产品生产商。 更多信息,请访问芯明天官网  www.coremorrow.com 或拨打电话:0451-86268790/17051647888 哈尔滨芯明天科技有限公司产品已广泛应用于半导体技术、光电子、通信与集成光学、光学仪器设备、医疗生物显微设备、生命科学、精密加工设备、新药设计与医疗技术、数据存储技术、纳米技术、纳米制造与纳米自动化、航空航天、图像处理等领域。芯明天正在为中国的工业自动化、国防、航天事业的发展贡献着自己的力量。
哈尔滨芯明天科技有限公司 2021-08-23
低精度ADC与混合预编码结合的毫米波传输方法及通信系统
本发明公开了低精度模数转换(ADC)与混合预编码结合的毫米波传输方法及通信系统,其中基站和用户在波束扫描阶段采用电子开关在低精度模数转换器和混合预编码模块间切换,在精确信道估计和数据传输阶段均采用混合预编码模块。具体步骤:1、波束扫描阶段基站选通混合预编码模块,将波束训练数据模拟预编码后进行波束扫描;2、用户选通低精度模数转换器模块,从接收数据中估计角度信息;3、用户选通混合预编码模块,将波束训练数据模拟预编码后进行波束扫描或向基站反馈角度信息;4、基站选通低精度模数转换器模块,从接收数据中获取角度信息;5、精确信道估计和数据传输阶段基站和用户选通混合预编码模块,进行精确信道估计和数据传输。
东南大学 2021-04-11
高模量低收缩聚酰亚胺薄膜的产业化关键制备技术研究
本项目针对目前国内挠性印制线路板及材料在生产及应用中存在的问题,在研究团队前期开发的高模 低缩聚酰亚胺薄膜配方体系的基础上,从市场需求及产业化的角度,优选具有显著分子间相互作用力的体 系,开展聚合物前驱体聚酰胺酸胶液的实验室小试、中试及产业化规模制备、胶液流延和薄膜制备过程中 的关键技术研究,获得一套稳定可靠的产业化工艺参数,制备具有自主知识产权的新型高模低缩聚酰亚胺 薄膜产品,打破该产品国外垄断的局面。
中山大学 2021-04-10
低透气性煤层群无煤柱煤与瓦斯共采关键技术
本项目揭示了采动影响区内顶板岩层裂隙 的动态演化规律和采空区侧“竖向裂隙发育区” 的形成规律;研制了新型充填材料;创新了无 煤柱快速沿空留巷、Y型通风、留巷钻孔抽采 卸压瓦斯等关键技术,解决了煤与瓦斯共采的 关键技术难题。
安徽建筑大学 2021-01-12
一种基于氯化胆碱-木糖醇低共熔溶剂的电镀锡方法
简介:本发明公开了一种基于氯化胆碱‑木糖醇低共熔溶剂的电镀锡方法,属于电镀技术领域。该方法首先将木糖醇、氯化胆碱和蒸馏水恒温搅拌得到透明的低共熔溶剂,接着将氯化亚锡加入到低共熔溶剂中再恒温搅拌得到含锡的低共熔溶剂,以此作为电镀液;将纯锡板作为阳极,低碳钢作为阴极,浸入到电镀液中进行恒电流电镀。本发明镀锡工艺安全无毒、环保节约,解决了氟硼酸盐镀锡、卤化物镀锡等工艺存在的环境污染问题。
安徽工业大学 2021-04-13
一种均相制备低脱乙酰度羧基甲壳素的方法及其应用
本发明公开了一种均相制备低脱乙酰度羧基甲壳素的方法及其应用。首先将甲壳素加入到氢氧化钠 和尿素的混合水溶液中制得均相甲壳素水溶液,再加入含羧基化试剂的水溶液在均相甲壳素水溶液里搅 拌反应,经后处理得到低脱乙酰度羧基甲壳素。本发明方法制备工艺简单,产品取代度均匀易控,产率 高,且反应条件温和,为环境友好的绿色工艺,利于大规模工业化生产;甲壳素基本上未降解,制得的 一些低脱乙酰度羧基甲壳素具有 pH 敏感性和温度敏感性,可作为药物载体材料使用。本发明制得的水 溶性高粘度产品为天然原材
武汉大学 2021-04-14
一种具有抑制腐败作用的低值鱼蛋白深度酶解的方法
该成果涉及食品生物等高新技术领域,是一种具有抑制腐败作用的低值鱼蛋白深度酶解的方法。通过创造性地在低值鱼酶解过程中不断通入净化空气或氧气,抑制和杀灭引致水解物腐败变质的厌氧菌;利用内切蛋白酶与外切蛋白酶的协同作用,明显提高了鱼蛋白水解效率,可得水解度大于65%,氮回收率大于85%的低值鱼蛋白深度酶解液,显著降低了低值鱼酶解成本。 该成果避免现有技术采用化学杀菌剂所导致的对蛋白酶活性的抑制、化学杀菌剂残留的问题,以及使用热杀菌方法所导致的降低鱼蛋白水解效率的问题,解决了低值鱼酶解过程易
华南理工大学 2021-04-14
一种基于鲁棒低秩张量的高光谱图像去噪方法
本发明提出了一种基于鲁棒低秩张量的高光谱图像去噪方法,包括建立高光谱图像噪声的数学模型, 构造高光谱图像鲁棒低秩张量(RLRTR)去噪模型,求解 RLRTR 去噪优化模型。本发明充分利用高光 谱图像(HSI)的先验知识,高光谱图像被不同的噪声污染,如高斯噪声、脉冲噪声、死像素和条带噪 声等。利用干净的高光谱图像数据具有潜在的低秩张量特性以及异常和非高斯噪声具有稀疏性的特性, 同时分别采用核范数和 l2,1 范数来表征低秩和稀疏特性;本发明的技术
武汉大学 2021-04-14
低维半导体表界面调控及电子、光电子器件基础研究
本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究,主要技术创新点有: 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构,得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上,共计40余篇,授权专利16项;与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作,成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延,为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺,系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质,极大地拓展了传统的半导体光电材料体系;首次提出一种桥接的异质结构筑方式,大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒,获得了高性能二维异质结光电器件;发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法,调节晶体管特性为强增强型,利用这种设计,实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测,相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上,共计30余篇,授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控,首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型,实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器;利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性,在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性;通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管,使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限,有效降低了器件能耗;创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构,实现了器件高性能与多功能的集成,器件性能为当时最高指标;发展了新型存算一体架构电子器件技术,首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器,有望突破当前算力瓶颈,提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上,共计60余篇,授权专利7项。
武汉大学 2022-08-15
一种基于碳纳米管载体的单分散氢氧化镁纳米粒子制备方法及应用
本发明公开了一种基于碳纳米管载体的单分散氢氧化镁纳米粒子制备方法及应用,按照下述步骤进行:称取1-10重量份的碳纳米管,加入到含有100重量份的镁盐的乙醇溶液中,充分搅拌分散后加入0.1-10重量份的表面活性剂,超声分散后在分散好的悬浮液中加入含有100-200重量份沉淀剂的水溶液。将该混合液转移至水热釜中恒温反应,待反应结束后进行后续处理,得到以碳纳米管载体的单分散氢氧化镁纳米粒子。利用这种方法制备的单分散氢氧化镁纳米粒子,比表面积、分散和功能性均得到了大幅提高。将其加入到高聚物体系中,可以极大地提高聚合物基体的各项性能。
天津城建大学 2021-04-11
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