产品详细介绍

南京埃尔法液压系统，90%属于进口零件。 1、自诊断功能，                                                    2、故障报警显示 3、模具补偿功能，                                                4、夹钳保护功能， 5、参数编程功能，                                                6、多工件加工功能， 7、断点加工计件显示等功能，                            8、具有自动、手动操作方式， 9、单冲、步冲、连冲功能，                                10、快速定位功能， 11、具有G代码编程功能，                                   12、具有软限位保护功能， 13、具有加工图形摸拟显示加工轨迹，              14、自动优化加工路径、操作方便快捷，更加人性化， 15采用博世力士乐高频响比例伺服阀NG6，      16、可快速定位，响应频率80-100Hz，易控，易维护， 17、重复定位精度±0.01mm，                             18、管式高压过滤器， 19、集成挠度补偿功能；床身超宽导轨间距大，机床跨度大、水平性、支撑性更好，充分保证加工大板时的精度， 在高速送料情况下更平衡，毛刷辅助平台与主平台一体化设计，辅助平台可随板材一起前后运动；采用了闭式钢板焊接机身，经壁炉回火处理去除应力，稳定性好，外形设计动感美观，维修方便，镶套机构厚转塔，导向好精度高，直线导轨、滚珠丝杠－台湾上银、台湾TBI；自动集中润滑装置，减少各运动付的摩擦，提高机器使用寿命，配置标准模具24套；配置全自动浮动夹钳及毛刷结构台面，避免板材划伤。

本实用新型公开了一种气体超声波换能器压电片与匹配层的压制夹具。底座安装下压板，底座上部安装气缸，上压板与气缸连接，上压板下端面中间纵向设有滑槽，二块固定V型块固定在滑槽内，上端放有压电片的真空吸盘安装在上压板孔中，并对真空吸盘和压电片的定位与夹紧；下压板上端面设有与上压板滑槽对称布置的滑槽，固定V型块固定在滑槽内，上端放有匹配层的真空吸盘安装在下压板孔中，活动V型块推动在滑槽内移动，实现对真空吸盘和匹配层的定位与夹紧；二个真空吸盘开有中心孔，分别经上、下压板上的气孔、气管与各自真空发生器连接。本实用新型采用负压吸附装卸压电片和匹配层方便；使用V型块定位和夹紧实现压电片和匹配层对中，同轴度较高。

本实用新型提供了一种黄曲霉毒素的流态化连续式等离子体降解装置，所述黄曲霉毒素的流态化连续式等离子体降解装置设有等离子发射器、等离子体发生器、传送带装置、鼓风机及控制面板。本实用新型提供了一种黄曲霉毒素的流态化连续式等离子体降解装置，主要用于粮食表面的黄曲霉毒素的降解，物料在处理过程中处于流态化，保证每颗粮食都能接触到高能粒子和活性自由基，因此可以快速连续化地降解每粒粮食表面的黄曲霉毒素。该装置降解过程低温、无溶剂残留，无环境污染，且能保护粮食中的营养成分不被破坏。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本实用新型涉及一种深海集成一体式蓄能器保压采样器机构。本实用新型包括采样阀、截气阀、活塞、O型密封圈、液压堵头、挡头、节流口、蓄能腔和采样腔，采样腔两侧都装有采样阀，采样腔腔壁上开有一周节流口，节流口正对外壁处通过液压堵头实现密封，蓄能腔通过一侧的截气阀往里预冲高压氮气，上端有活塞，活塞上端安置挡头限制位移。本实用新型中的蓄能器与采样筒采用一体式结构，结构紧凑，体积小，蓄能器能够对采样筒进行压力补偿，从而达到有效的保压效果。

本实用新型涉及电源技术，具体涉及一种高效率 DC-DC 升压及反压变换器，包括控制电路、驱动 电路、电压吸收网络、开关电路、高频变压器、整流滤波电路、采样电路、过流保护电路以及反馈稳压 电路；控制电路依次连接驱动电路、电压吸收网络、开关电路、高频变压器和整流滤波电路，采样电路 分别连接整流滤波电路、过流保护电路，过流保护电路连接反馈稳压电路，反馈稳压电路连接至控制电 路。该变换器可为数字功放供电，应用于采用太阳能供电的广播以及车载音响系统中功放

本发明公开了一种轮毂轴承旋压面的自动化漏磁检测探头，其 包括漏磁检测磁化器和检测探头部件，该漏磁检测磁化器包括 U 型磁 轭和极靴导套，U 型磁轭的两侧板上缠绕有磁化线圈，极靴导套安装 在 U 型磁轭两侧板的顶部，其轴对称位置处开设有通槽，通槽两侧面 形成两磁极平面;该检测探头部件嵌装在两磁极平面之间，其包括探 头芯和用于安装探头芯的探靴，探头芯为板状结构，其上对称开设有 两个与轮毂轴承旋压面配合的弧面凹槽，弧面凹槽内嵌装有用于对所 述轮毂轴承旋压面

本发明公开了一种新型聚磁式盘式电机，包括定子和转子；定子包括定子铁芯和电枢绕组；转子包括三层结构，外层包括多块交替设置的外层永磁体和外层转子铁芯，中间层中对应外层转子铁芯的位置设有中间层永磁体，内层包括内层转子铁芯，外层永磁体为切向充磁，中间层永磁体为径向充磁，相邻外层永磁体充磁方向相反，相邻中间层永磁体充磁方向也相反，外层转子铁芯相邻的两块外层永磁体以及中间层永磁体的充磁方向均相对于外层转子铁芯向外或者向内，外层永磁体所占外层周长的比例为0.1～0.55。本发明有效提高了电机的空间利用率和功率密度。