主要作了以下几方面探索： 在低维纳米结构的合成、纳米光电器件制造与性能分析方面有良好的研究基础。在纳米光电器件方面，长期从事纳米光电器件的研究与开发，已经成功地合成了一系列纳米结构以及它们异质和复合纳米结构，如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等，并在此基础上制造了基于单个纳米结构的光电器件，测试了其性能。其中发表在国际顶尖一区期刊《Advanced Materials》上的论文被美国加州大学、中科院重点实验室、澳大利亚昆士兰大学等相关课题组报道，被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等国际著名刊物引用达 123 次；发表在国际顶尖一区期刊《Advanced FunctionMaterials》上的论文被北京大学、清华大学、香港理工大学、台湾国立大学、新加坡南洋理工大学、日本东北大学、美国华盛顿大学等国际名校相关课题组报道，被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等国际著名刊物引用达 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超导与铁磁双层结构中，观察到磁相关的近邻和耦合效应。证明了超导层中的迈斯纳电流与磁层耦合提供的磁场之间存在的相互作用，并明确了来自于超导层的空穴电荷传输到反铁磁层内，使得在靠近超导层的反铁磁薄层内电荷的重新分布，进而发生了铁磁性转变的物理机制。在锰氧化物和铜氧化物组成的铁磁/超导/铁磁/反铁磁异质结中观察到大的负磁阻峰，这是在接近超导转变温度附近的混合态所具有的独特现象，是自旋相关的界面散射的实验证据；另外，我们还发现该类氧化物铁磁/超导异质结中系统发现磁阻峰即随温度变化，其磁阻峰发生正、负性逆转的奇特效应，这是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3负磁阻相互竞争的结果。其次，利用飞秒激光泵浦探测技术对YBCO/LCMO 异质结进行了泵浦探测，观测了低温下铁磁序和超导序的竞争情况，为进一步研究 YBCO/LCMO 的近邻效应打下了基础。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 掺 杂 量 的YBCO/YSZ 准多层膜中观察到 YSZ 掺杂薄膜发生了化学反应，导致了具有纳米数量级钙钛矿异质相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉积中形成了c-轴关联的缺陷。角度相关的J c (H,T)在 H//c区域附近出现的二次峰揭示了c-轴关联缺陷的存在。基于各向异性磁通钉扎理论，我们分离了各向同性钉扎和各向异性钉扎对临界电流密度的贡献。分析表明所研究的准多层膜中产生了各向异性的缺陷，由此形成强钉扎中心，使得准多层膜在高场下仍具有较高的临界电流密度。 应用唯象含时Ginzburg-Landau 理论并使用有限元方法研究了二维、三维介观超导体的涡旋态性质。对于具有不同形状和不同方向外场作用下的介观超导体中观察到了涡旋管交叉缠绕现象。其次，通过对电流驱使下的含弱连接的介观超导带的分析，观察到了介观超导带磁化强度随时间的周期性变化。另外,在我们所研究的小超导环中出现了稳定多涡旋态。随着内半径的增长,我们发现了稳定基态的(l:L)和(2:L)多涡旋态现象。 该项目已获上海市自然基金项目立项支持。

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼

一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法，其作法是：以钛箔为阳极，铂为阴极，对钛箔进行氧化，得非晶态TiO2纳米管阵列；经处理后，得TiO2纳米管阵列；将钛箔置于高温反应釜内，再将Na2S2O3、Bi(NO3)3水溶液注入密封反应釜，热处理得Bi2S3-TiO2纳米管阵列；在Bi2S3-TiO2纳米管阵列表面覆盖FTO，引出电极，在未生成Bi2S3-TiO2纳米管阵列的钛箔上引出电极，将FTO与钛箔及其Bi2S3-TiO2纳米管阵列的接触边缘封装即得本发明的光探测器。该方法能耗低，工艺、设备简单；制得物适用光谱范围大，适合做光谱分析；还可以做光敏开关等光电器件，具有广阔的应用前景。

一种高量子效率的微结构碳化硅紫外光电探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。该探测器采用自下而上的结构设计，包括碳化硅高掺杂n+型衬底、n型缓冲层、低掺杂n‑型吸收层、低掺杂p‑型吸收层（内含微结构）、环形高掺杂p+型欧姆接触层及钝化隔离层。通过在p+型欧姆接触电极施加反向偏压，形成耗尽电场，微结构促使p‑‑i‑n结构电场相互连接耦合，提高光生载流子耗尽效率，增强器件响应度和外量子效率。同时，微结构使短波紫外信号直接穿透p‑型吸收层进入内部吸收层，避免p+型欧姆接触层表面缺陷导致的光生载流子复合，提高光生载流子收集的效率，实现紫外全波段探测。

1 成果简介2006 年 8 月，中国颁布了地面数字电视强制性国家标准（ GB20600-2006，标准的英文缩写为 DTMB）。三年来， DTMB 在全国范围内逐渐推广，带动了一大批相关企业的发展。其中接收终端的生产厂家、接收芯片的研发企业迫切需要 DTMB 调制器用于接收终端和接收芯片的研发调试。为此，清华大学利用自主研发的 DTMB 信道编码调制专用集成电路DT6010，研发成功高性能 DTMB 调制器。2 技术指标工作频率范围： 474~858MHz频率步进间隔： 1MHz码流输入接口： ASI/SPI输出功率： -10~-40dBm，功率调整步进间隔： 1dB工作模式：支持 GB20600-2006 所有 330 种模式调制误差率(MER)： 32dB，频谱带肩： 49dB内置信噪比测试功能内置 PCR 校正功能可内置 MPEG-2 编码器模块3 应用说明本信号发生器可接收外置的码流播放器或编码器提供节目流，也可以使用内置的MPEG-2 编码器提供的码流，通过用配套的按键和 LCD 显示屏可以设置输出信号中心频率、输出信号功率、工作模式、信噪比等参数，可在现场或实验室对 DTMB 接收机、芯片进行相关指标的调试。4 效益分析目前已经完成设备的定型， 单台硬件成本约不超过 1 万元。

2006 年 8 月，我国颁布了地面数字电视强制性国家标准(GB20600-2006，标准的英文缩写为 DTMB)。近年来，DTMB 在全国范围内逐渐推广，带动了一大批相关企业的发展。 其中接收终端的生产厂家、接收芯片的研发企业迫切需要 DTMB 调制器用于接收终端和接 收芯片的研发调试。为此，清华大学利用自主研发的 DTMB 信道编码调制专用集成电路 DT6010，研发成功高性能 DTMB 调制器。本信号发生器可接收外置的码流播放器或编码器提供节目流，也可以使用内置的MPEG-2 编码器提供的码流，通过用配套的按键和 LCD 显示屏设置输出信号中心频率、输 出信号功率、工作模式、信噪比等参数，可在现场或实验室对 DTMB 接收机、芯片进行相 关指标的调试。

1 成果简介2006 年 8 月，中国颁布了地面数字电视强制性国家标准（ GB20600-2006，标准的英文缩写为 DTMB）。三年来， DTMB 在全国范围内逐渐推广，带动了一大批相关企业的发展。其中接收终端的生产厂家、接收芯片的研发企业迫切需要 DTMB 调制器用于接收终端和接收芯片的研发调试。为此，清华大学利用自主研发的 DTMB 信道编码调制专用集成电路DT6010，研发成功高性能 DTMB 调制器。2 技术指标工作频率范围： 474~858MHz频率步进间隔： 1MHz码流输入接口： ASI/SPI输出功率： -10~-40dBm，功率调整步进间隔： 1dB工作模式：支持 GB20600-2006 所有 330 种模式调制误差率(MER)： 32dB，频谱带肩： 49dB内置信噪比测试功能内置 PCR 校正功能可内置 MPEG-2 编码器模块3 应用说明本信号发生器可接收外置的码流播放器或编码器提供节目流，也可以使用内置的MPEG-2 编码器提供的码流，通过用配套的按键和 LCD 显示屏可以设置输出信号中心频率、输出信号功率、工作模式、信噪比等参数，可在现场或实验室对 DTMB 接收机、芯片进行相关指标的调试。4 效益分析目前已经完成设备的定型， 单台硬件成本约不超过 1 万元。

研制自主知识产权的通用矢量信号发生仪器，设备采用软硬结合的1U可扩展机箱结构，核心模块通过FPGA实现，具有更大自由度、低成本、易于应用等优势，配套软件同时具备教学功能。功能及性能具有以下鲜明特点： 可支持自适应编码调制（ACM）测试（随机模式，轮询等）； 支持多载波信号测试（不同带宽、任意载波间隔）； 支持多种信道失真模拟； 支持突发间隔随机以及长度可变的测试模式； 处理 IQ 基带带宽最大1G以上； 支持2.4ksps~800Msps符号率范围，精度1Hz； 支持标准DVB-S2、S2X信号