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一种两级可调的水蒸汽等离子体旋流燃烧器
本发明公开了一种两级可调的水蒸汽等离子体旋流燃烧器，包括第一级等离子体点火装置、第二级等离子体调节器和水蒸汽供气系统。第一级等离子体点火装置包括一次风管道、内燃烧室、浓淡分离器、旋流发生器、第一级水蒸汽进气管道、中心风管道和第一级等离子体发生器；第二级等离子体调节装置包括第二级水蒸汽进气管道、第二级等离子体发生器、内二次风进气管道和外二次风进气管道。本发明通过两级水蒸汽等离子体发生器解决燃烧难以稳定和NOx污染物排放高的问题。特别适用于贫煤、无烟煤等难以着火点燃、NOx 生成量高的煤种，具有低氮稳燃的效果。
华中科技大学
2021-04-13
硅基微机械悬臂梁耦合直接加热在线式毫米波相位检测器
本发明的硅基微机械悬臂梁耦合直接加热在线式毫米波相位检测器，实现结构包括悬臂梁耦合结构、功率合成／分配器和直接加热式微波功率传感器。悬臂梁耦合结构左右对称，两个悬臂梁在ＣＰＷ中央信号线上方，结构相同，用于耦合部分待测信号，通过锚区与功率合成器相连，两个悬臂梁之间ＣＰＷ传输线的电长度为λ／８。悬臂梁下方的ＣＰＷ中央信号线上覆盖了一层Ｓｉ３Ｎ４介电层，用于防止电学短路。参考信号通过功率分配器分成两路信号，分别与两路悬臂梁耦合的信号通过功率合成器合成，功率合成器的输出端连接到直接加热式微波功率传感器进行功
东南大学
2021-04-14
硅基未知频率缝隙耦合式Ｔ型结间接式毫米波相位检测器
本发明的硅基未知频率缝隙耦合式Ｔ型结间接式毫米波相位检测器是由共面波导传输线传输线、缝隙耦合结构、移相器、单刀双掷开关、Ｔ型结功分器、Ｔ型结功合器以及间接式热电式功率传感器所构成，整个结构基于高阻Ｓｉ衬底制作，其上有四个缝隙耦合结构，上方的两个缝隙耦合结构实现信号的频率测量，下方的两个缝隙耦合结构实现信号的相位测量，在前后缝隙之间有一个移相器；Ｔ型结功分器和Ｔ型结功合器是由共面波导传输线传输线、扇形缺陷结构和空气桥所组成；间接式热电式功率传感器由共面波导传输线传输线、两个终端电阻以及热电堆所构成，热
东南大学
2021-04-14
麒麟软件应对CentOS服务器操作系统停服（国产化替代）解决方案
麒麟软件根据用户不同需求和技术储备，基于银河麒麟高级服务器操作系统和另外3款兼容版，提供了3套针对Cent OS系统迁移的解决方案。
麒麟软件有限公司
2023-04-25
关于组织开展2023年度北京市科技企业孵化器认定工作的通知
根据《北京市科技企业孵化器认定管理办法》（京科发〔2020〕13号，以下简称《管理办法》），现组织开展2023年度北京市科技企业孵化器认定工作，有关事项通知
北京市科学技术委员会
2024-01-08
17KW三相两级式无变压器隔离并网发电逆变器
该成果采用两级式电路，两级式光伏并网逆变器一般是在逆变器前级加入一个 DC/DC变换器。前级 DC/DC 变换器主要完成最大功率点跟踪功能，通过控制太阳能电池板的输出电压 UPV 跟踪基准 Umppt，进而实现太阳能电池板最大功率输出， PI 调节器的输出与载波比较生成 PWM 信号控制 DC/DC 变换器的开关管。后级 DC/AC 环节主要实现并网功能和稳定直流母线电压功能。成果中两级式拓扑结构是由前级一个 Boost 变换器和后级一个全桥逆变器构成。
扬州大学
2021-04-14
锦正茂4K闭循环低温恒温器 液氦低温制冷系统
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北京锦正茂科技有限公司
2022-04-09
铑铁温度传感器线绕型二级标准温度计低温测量
北京锦正茂科技有限公司
2022-04-18
高分辨率红外二氧化碳传感器Prime2
产品详细介绍 l 作不受供电极性影响 l 线性电压输出或模拟催化燃烧电桥输出 l 工作电压范围3.0V-5.0V l 工作电流典型值为80mA l 最新的MEMS探测器技术 l 量程：从0-5000ppmCO2到0-10%VolCO2 l 全金属结构，绝缘外壳 l 体积小 l 灵活的电路访问设置 l 用户可以通过硬件连接进行标定 l 宽温度工作范围 l 快速响应
深圳市新世联科技有限公司
2021-08-23
实验室温度计 硅二极管温度传感器 DT640
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-06-27