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球盘式摩擦磨损实验装置
球盘式摩擦磨损实验机,是结合教师的科研方向完成的,该装置可以使学生加深对机械设计课中摩擦磨损与润滑概念的理解;了解摩擦学实验基本方法;,熟悉摩擦学研究方法;掌握相关的测试手段及评价分析方法。 球盘式摩擦磨损实验机用于我校本科生机械设计课中摩擦学的实验教学、摩擦学18学时的综合实验、研究生摩擦学基础课程的实验及科学研究。2007年该装置获哈尔滨工业大学教学成果一等奖。
哈尔滨工江机电科技有限公司 2022-11-22
接触式收缩膨变形测量装置
执行标准:GB/T 50082-2009,JTG 3420-2020 NELD-TS700接触式收缩变形测量装置的测量方法适应于测定在无约束和规定的温湿度条件下,硬化混凝土试件的收缩变形性能。我公司为硬化混凝土开发的变形测量装置,使用低变形不锈钢支架,全镀铬固定底盘,配有千分表微调装置,更精确调整千分表位置,精巧的安装夹具,具有安装方便、结构科学和测量精度高的特点,免除用户因更换试件带来的测量误差。
北京耐尔得智能科技有限公司 2023-03-17
一种储罐底板检测装置
本发明公开了一种储罐底板检测装置,包括:永磁吸附机构,包括衔铁和分别置于该衔铁一端的两个永久磁铁组,用于吸附在待检测的储罐底板上,永久磁铁组以密封罩包覆;检测探头座,设置在永磁吸附机构的两个永久磁铁组之间的衔铁上,用于安装探头以检测底板,检测探头座具有密封结构以提供探头电路的密封保护;转向机构,连接在永磁吸附机构一端,其上安装有动密封件,用于实现检测装置的转向;驱动机构,与转向机构连接,用于驱动检测装置运动;从动轮组,设置在永磁吸附机构另一端,在驱动机构的驱动下随所述检测装置一起运动。本发明具有静动密封结构,通过携带不同类型的传感器,可应用于在油储罐底板缺陷检测,从而避免常规检测方法的不足。
华中科技大学 2021-04-11
基于II-VI族半导体纳米异质结光探测器内在物理机制和性能研究
主要作了以下几方面探索: 在低维纳米结构的合成、纳米光电器件制造与性能分析方面有良好的研究基础。在纳米光电器件方面,长期从事纳米光电器件的研究与开发,已经成功地合成了一系列纳米结构以及它们异质和复合纳米结构,如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等,并在此基础上制造了基于单个纳米结构的光电器件,测试了其性能。其中发表在国际顶尖一区期刊《Advanced Materials》上的论文被美国加州大学、中科院重点实验室、澳大利亚昆士兰大学等相关课题组报道,被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等国际著名刊物引用达 123 次;发表在国际顶尖一区期刊《Advanced FunctionMaterials》上的论文被北京大学、清华大学、香港理工大学、台湾国立大学、新加坡南洋理工大学、日本东北大学、美国华盛顿大学等国际名校相关课题组报道,被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等国际著名刊物引用达 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超导与铁磁双层结构中,观察到磁相关的近邻和耦合效应。证明了超导层中的迈斯纳电流与磁层耦合提供的磁场之间存在的相互作用,并明确了来自于超导层的空穴电荷传输到反铁磁层内,使得在靠近超导层的反铁磁薄层内电荷的重新分布,进而发生了铁磁性转变的物理机制。在锰氧化物和铜氧化物组成的铁磁/超导/铁磁/反铁磁异质结中观察到大的负磁阻峰,这是在接近超导转变温度附近的混合态所具有的独特现象,是自旋相关的界面散射的实验证据;另外,我们还发现该类氧化物铁磁/超导异质结中系统发现磁阻峰即随温度变化,其磁阻峰发生正、负性逆转的奇特效应,这是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3负磁阻相互竞争的结果。其次,利用飞秒激光泵浦探测技术对YBCO/LCMO 异质结进行了泵浦探测,观测了低温下铁磁序和超导序的竞争情况,为进一步研究 YBCO/LCMO 的近邻效应打下了基础。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 掺 杂 量 的YBCO/YSZ 准多层膜中观察到 YSZ 掺杂薄膜发生了化学反应,导致了具有纳米数量级钙钛矿异质相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉积中形成了c-轴关联的缺陷。角度相关的J c (H,T)在 H//c区域附近出现的二次峰揭示了c-轴关联缺陷的存在。基于各向异性磁通钉扎理论,我们分离了各向同性钉扎和各向异性钉扎对临界电流密度的贡献。分析表明所研究的准多层膜中产生了各向异性的缺陷,由此形成强钉扎中心,使得准多层膜在高场下仍具有较高的临界电流密度。 应用唯象含时Ginzburg-Landau 理论并使用有限元方法研究了二维、三维介观超导体的涡旋态性质。对于具有不同形状和不同方向外场作用下的介观超导体中观察到了涡旋管交叉缠绕现象。其次,通过对电流驱使下的含弱连接的介观超导带的分析,观察到了介观超导带磁化强度随时间的周期性变化。另外,在我们所研究的小超导环中出现了稳定多涡旋态。随着内半径的增长,我们发现了稳定基态的(l:L)和(2:L)多涡旋态现象。 该项目已获上海市自然基金项目立项支持。
上海电力大学 2021-04-29
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
中国科大在受热考古材料释光测年技术研究中取得最新进展
在规范采样及针对性测试条件下,释光测年技术应用在埋藏陶器、烧土类考古受热材料的年代学研究中具有高准确度的优势,并有望确定最后一次考古受热事件(如祭祀、焚烧、烹煮等)的高精度年代。
中国科学技术大学 2022-06-02
MXY5008光纤耦合及光无源器件参数测试与 光纤端面处理熔接实训系统
一、产品简介        光纤通信作为一门新兴技术,它具有容量大、中继距离长、保密性好、不受电磁干扰和节省铜材等优点。近年来发展速度快,已被广泛应用到军事通信、民用通信等各种领域,是世界新技术革命的重要标志和未来信息社会中各种信息的主要传送工具。在光纤的使用过程中,光纤线路的耦合对于其中光功率的传输至关重要。其中存在着两种主要的系统问题:1、如何从多种类型的发光光源将光功率耦合进一根特定的光纤;2、如何将光功率从一个光纤发射出来后经过特定的装置耦合进另外一根光纤。光无源器件是光纤通信设备的重要组成部分。它是一种光学元器件,也是其它光纤应用领域不可缺少的元器件。该实验仪重点介绍了常用的光无源器件的相关参数及测试方法。为此公司研制出本实验系统,让学生了解和认识光纤耦合的相关参数和特性、光无源器件的相关参数及测试方法等,通过实验平台的搭建,可以让学生更深刻的了解,也能锻炼学生校准光路等方面的动手能力,是学校金工实习(工程实习)与工程检测的不二之选。 二、实验内容 650nm激光器与光纤耦合实验 1550nm光纤激光器与光纤耦合实验 相同模式光纤之间耦合实验 不同模式光纤之间耦合实验 光源与显微物镜及准直器耦合特性对比实验 光纤转换器测试实验 光纤变换器测试实验 光纤耦合器测试实验 光纤隔离器特性测试实验 波分复用器和解复用器测试实验 可调光纤衰减器测试实验 光纤机械光开关特性测试实验 光纤偏振控制器特性测试实验 光纤偏振分束器(PBS)性能能参数测试实验 不同种类光纤、光缆及光器件认知和操作实验 熔接机原理及使用实训操作实验 剥纤、清洁、切纤及光纤接续实训操作实验 手动模式下,光纤熔接实训实验 自定义模式下,光纤熔接实训实验 光纤端面处理基本操作实验 光纤耦合技术基本操作实验 光纤耦合技术基本操作实验 光功率耗损法对光纤熔接质量测试 三、实验配置参数 1、光源:波长1310±20nm,1550±20nm;输出功率:1-2.5mw,连续可调;输出端口:FC/PC;稳定性<0.5db(5h);光源类型:LD光源; 2、光功率计:波长范围800-1700nm;输入接口:FC 校准波长:1550nm,1310nm; 3、偏振控制器:插入损耗<0.05dB;消光比>40dB;回波损耗>65dB; 4、光纤机械光开关:插入损耗:1310/1550  P1→P2 0.56/0.54 dB ,P1→P3 0.53/0.47 dB ;回波损耗>50dB ;开关速度:≦8ms ; 5、高隔离度光纤隔离器:最大插入损耗:0.35dB ;回波损耗:≧50dB ;隔离度:≧30dB ; 6、光纤耦合器:分光比:50% : 50% ;最大插入损耗1310/1550: 3.3dB ; 7、光纤波分复用器:隔离度:1310nm :31.8% ;1550nm :34%;插入损耗:1310nm :0.30%;1550nm :0.34% ; 8、光纤可调衰减器:0-30db可调; 9、软件:配套仪器使用,数据采集处理; 10、光纤熔接机:适用光纤:SM (单模), MM (多模), DS (色散位移)光纤, NZDS (非零色散位移,即G.655光纤),BIF/UBIF(G.657); 光纤切割长度:8-16mm, 被覆光纤直径250µm,16mm,被覆光纤直径250µm-1000µm;平均接续损耗:0.02dB(SM)、0.01dB(MM)、0.04dB(DS)、0.04dB(NZDS);显示:高性能5.6英寸彩色LCD显示屏,提供清晰的数字图像显示;电极寿命:2500次;锂电池容量:典型熔接250次,充电时间3小时,可在充电时使用;电源:交流适配器输入电压100-240V  50/60Hz,输出电压:DC13.5V /5A,直流输入电压11.1v ( 内置锂电池8800mAh ); 四、实验目的  1、了解光纤连接器及其原理、种类,实验操作进行连接器参数测量; 2、掌握光纤头平端面的处理技术。 3、掌握光纤之间的耦合、调试技术,了解光纤横向和纵向偏差对光纤耦合损耗的影响。 4、掌握光纤熔接的基本技术。 5、熟悉光纤型号及结构,掌握其装配方法、使用环境及保护措施等;
天津梦祥原科技有限公司 2021-12-17
GZX92A绝缘电阻表检定装置 兆欧表检定装置
产品详细介绍  /////////////////////////////////////////////////////////////////////////                                                                //////////////// 深圳市世纪经典检测仪器有限公司 销售热线:15914142916 传真:0755-84812743 邮箱:186jl@163.com                                                                //////////////// ///////////////////////////////////////////////////////////////////////// 一、概述 绝缘电阻表(兆欧表)是国家强制检定计量器具,其检定规程为JJG622-89。检定装置的主要标准器为高压高阻箱和高压电压表。GZX92A型绝缘电阻表检定装置将高压高阻箱(高阻输出部分)和高压数字电压表(电压输入部分)合为一体。 检定装置中电阻输出部分的测量上限为200GΩ,标称工作电压为5kV。该装置设计有独立的泄漏屏蔽端钮和接地端钮,在测量过程中无明显不稳定及短路、开路现象。满足JJG622-97绝缘电阻表检定规程和JJG166-93直流电阻器检定规程的要求。可用于各种型号的指针式绝缘电阻表的检定。 检定装置中电阻输出部分选用获得专利的滚动式高压开关,使用10万次后仍可满足检定规程的要求。其具有较长的技术寿命和机械寿命。检定装置中电压测量部分的标称测量电压为5kV,输入阻抗≥10GΩ。本装置能测量兆欧表的开路电压、中值电压和峰值电压。 二、主要技术参数 1. 电阻输出(高压高阻箱)部分 1.1 电阻输出部分的准确度等级及工作电压(电流)    阻值   100GΩ ×10GΩ ×1GΩ ×100MΩ ×10MΩ ×1MΩ 准确度等级 5 5 2 1 0.5 0.2 标称电压 5000V 5000V 5000V 5000V 2500V 1000V   阻值   ×100kΩ ×10kΩ ×1kΩ ×100Ω 准确度等级 0.2 0.2 0.2 0.2 标称电流 1mA 8mA 20mA 50mA   1.2 调节范围:100Ω~200GΩ,调节细度为100Ω 1.3 使用环境条件 1.3.1 参考温度范围:20~25℃    1.3.2 标称使用温度范围:18~28℃        1.3.3 参考湿度范围:40~60% 1.3.4 标称使用湿度范围:25~75% 1.4 电阻变差极限:在参考条件下,由单一影响量发生变化所引起的变差 影响量别   标称使用范围 允许的变差 环境温度 18~28℃ a/2 % 相对湿度 25%~75% ≤10GΩ a/2 % >10GΩ a% 工作电压 (1~1/5)标称电压 ≤10GΩ a/2 % >10GΩ a%   ★ a为检定装置中电阻输出部分电阻盘准确度等级(各电阻盘a值不同) 1.5 绝缘电阻:检定装置中电阻输出部分的电路与电路无电气连接的任何其它外部金属间的绝缘电阻,在标称电压下测得的电阻值不小于5TΩ。 1.6  绝缘强度:检定装置中电阻输出部分的电路与测试用参考接地点之间,应能承受频率为45~65Hz的实际正弦交流电压11kV并历时1min的试验,而不出现击穿与飞弧现象。 1.7 检定装置中电阻输出部分输出端的残余电阻应<0.1Ω,其变差<0.01Ω。 1.8 外形尺寸:442mm×270mm×145mm 1.9 重量:<5kg 2.电压测量(高压直流数字电压表)部分 2.1 测量范围:0~5500V 2.2 准确度:±(1%读数±1个字) 2.3 供电电源:DC9V 2.4 输入电阻:≥10GΩ 2.5 显示:四位半、液晶显示 2.6 峰值电压测量回路满足JJG622-97绝缘电阻表检定规程中图3的要求。  
深圳市世纪经典检测仪器有限公司 2021-08-23
李光鹏教授课题组研究揭示ZGA-regulator在体细胞重编程中作用机制
终末分化的体细胞可以通过SCNT或者诱导性多能干细胞(iPS)技术,重编程至全/多能性的状态。与SCNT和iPS技术相比,化学小分子诱导(CiPS)仅使用化学小分子就能使普通体细胞发生重编程,逆转为多潜能干细胞。CiPS技术不仅简单,而且不受试验材料限制及不涉及伦理方面的问题,因此CiPS具有更广泛的科研、临床及育种应用价值。然而,CiPS的诱导耗时长且效率低,如何提高CiPS的诱导效率,是化学诱导细胞重编程领域亟待解决的问题之一。 本研究针对哺乳动物SCNT和CiPS介导的体细胞重编程效率低与克隆动物出生率低等关键科学问题,利用课题组在2018年自主研发的“胚胎ZGA实时监测系统”,结合siRNA-repressor和mRNA-inducer技术,对16种“合子基因组调控因子(ZGA-regulator)”进行筛选。结果发现,Dux、Dppa2和Dppa4在体细胞重编程的早期阶段发挥关键作用。如用CRISPR-Cas9敲除Dux,克隆胚胎将完全被阻断在2-细胞时期。只有在瞬间过表达Dux(tOE-Dux),使其符合内源Dux时空特性时,才能提高核移植重编程效率,我们将这种方法称为D-SCNT。此外,D-SCNT结合干扰DNA甲基化酶(si-Dnmts)能够进一步提高克隆动物的出生率。研究还发现,特异性过表达Dux可以显著提高CiPS的细胞重编程效率和提高干细胞的多能性,并对相关机制做了阐释。 该研究首次揭示了ZGA调控因子Dux在体细胞重编程中的作用机制,时空特异性过表达Dux可大幅度提高克隆效率和化学小分子诱导多能干细胞的建系效率,为干细胞的再生医学与生物工程应用提供了新的途径。
内蒙古大学 2021-02-01
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