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采用移相梳状滤波阵列的光子型数字微波测频方法及装置
本发明公开了一种采用移相梳状滤波阵列的光子型数字微波测频方法及装置。载波抑制型单边带调制下,待测微波信号加载到一个连续激光光源上生成单个光边带,然后输入到移相梳状滤波阵列中;该滤波阵列包含N个并行的梳状滤波响应,其中自由频谱区均为FSR且相邻梳状滤波响应的相对相移量为π/N;对N个梳状滤波响应及参考臂的输出光功率进行检测、对比和判决后,获得N比特数字编码的测频结果,其测频范围和分辨率分别为FSR和FSR/(2N)。同时,给出了以单个高双折射元件构建移相梳状滤波阵列的具体装置。本发明既具有光子型技术的优点,又易与各种数字接收处理设备融合和兼容,应用前景十分广泛。
西南交通大学 2016-07-05
在拓扑外尔半金属晶体中观测到非平庸的超导特性
通过电输运、扫描隧道谱、比热、抗磁性等系统的实验研究并结合第一性原理计算,在掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中发现了非平庸超导态的特征。实验中所使用的硫掺杂的高质量二碲化钼晶体是通过化学气相输运的方法合成的,掺杂比例约为0.2。 首先通过准粒子干涉实验与第一性原理计算相结合,在样品表面探测到了费米弧拓扑表面态的存在。最后通过扫描隧道谱学和比热的测量对比,发现样品表面态的超导能隙远大于体态的超导能隙,而且该样品表面态的能隙与临界温度的比值(Δ/kBTc)约为8.6,远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值(约为1.76),表明了表面态具有非常规超导库珀对配对机制,极可能是拓扑超导的普适特征。然后通过电输运测量和比热测量,发现这种材料为s波超导体,且它的超导能隙的带间耦合很强,超导对称性应为s+- 对称性。这可能是继铁基高温超导之后,又一种新的s+-超导体。而且根据理论预言,拓扑外尔半金属中s+-对称性的超导态会形成拓扑超导态。掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中拓扑超导特征的发现,证实了外尔半金属中实现拓扑超导的可行性,推动了拓扑超导相关领域的进一步发展,也为拓扑量子计算机的最终实现奠定了前期的科研基础。图一. 电磁输运实验观测到的s+- 超导的证据,揭示拓扑超导的可能性。 (A) 电磁输运实验的测量示意图。 (B) 超导转变温度附近的电阻率-温度关系。(C) 各个温度和磁场下的电阻率。(D) 超导上临界磁场和温度的关系。红色的线是两带超导模型的拟合曲线,拟合结果发现带间耦合比较大,表明该超导行为是s+- 超导。图二. 扫描隧道显微镜观发现表面态的超导能隙远超过体态的超导能隙,揭示出拓扑超导的可能性。(A) 4 K和0.4 K下样品表面的微分电导dI/dV谱。在0.4 K下,超导能隙是1.7 meV,远大于体态的超导能隙,且能隙与临界温度的比值约为约为8.6,远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值(1.76)。4 K时样品处于非超导态。(B) 0.4 K超导dI/dV谱和各向同性BCS超导谱的对比。(C) 0.4 K时,不同磁场下的超导dI/dV谱,超导能隙被外加磁场所抑制。
北京大学 2021-04-11
中红外激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ-Ⅵ晶体
本发明涉及一种中红外激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ--Ⅵ晶体制备方法,以及基于该晶体构建的激光输出实验装置,属于全固态激光介质领域。本发明激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ--Ⅵ晶体制备方法是利用安瓿双端置掺杂物真空热扩散传输法或晶体双面镀掺杂物薄膜真空热扩散传输法制备得到,并利用二价铬与钴双掺杂离子重叠的吸收波长进行泵浦,同时实现两种离子受激激发,从而获得中红外宽谱可调谐激光输出。
四川大学 2017-12-28
一种自发成核过程可控式的DAST晶体生长装置
本技术属于溶液法晶体生长设备技术领域,涉及一种有机非线性光学晶体的溶液降温生长方法,特别是一种方形四棱锥底式DAST晶体自发成核生长装置,通过生长装置和底部载晶斜板的特殊设计,大幅增加可用来生长晶体的载晶斜板有效面积,提高DAST晶体生产效率,同时可消除载晶斜板外的自发成核晶体生长,有效提高晶体生长的稳定性,进而大幅改善斜板式自发成核法生长DAST晶体的质量。本发明与现有技术相比,其选用的生长装置结构简单,成本低,组装简便,操作方便,可大幅增加晶体生长缸中用以生长晶体的有效面积,提高DAST晶体生产效率;同时有效控制聚四氟乙烯四棱锥外的自发成核晶体生长,提高晶体生长的稳定性,进而大幅改善自发成核法生长DAST晶体的质量,有效解决了传统斜板式自发成核法中,在斜板之外其它位置容易出现无效的自发成核杂晶生长问题,提高晶体生长的稳定性和生长效率。可望应用于有机晶体的自发成核生长。
青岛大学 2021-04-13
混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件
本发明提供了一种混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件,包括鳍型栅场效应晶体管、第二源区与第二漏区;鳍型栅场效应晶体管包括衬底、鳍型沟道区、第一源区及第一漏区;第二源区的高度不低于第一源区与第一漏区之间的衬底的高度;第一源区与第一漏区中掺杂有第一离子;第二源区形成于衬底与第一源区之间,第二漏区形成于衬底与第一漏区之间,第二漏区与第二源区中分别掺杂有第一离子与第二离子。该方案解决了鳍型栅场效应晶体管的底部电流泄漏的问题,且通过增设第二源区和第二漏区,相当于在鳍型栅场效应晶体管的底部并联隧穿场效应晶体管器件结构,可以实现鳍型沟道扩散漂移电流和底部沟道带带隧穿电流混合导通,从而获得更优的超陡开关特性。
复旦大学 2021-01-12
智能控温节能氧化钒(VO2)薄膜的制备
成果介绍智能控温薄膜可以实现高温下对红外线的反射和低温下对红外线的透射,是一种无需能源的智能空调。技术创新点及参数室温可用(20℃-40℃)节能减排(无需能源)满足了实时反馈的需求满足了温度控制的需求提出了在室温下实现智能变色的可能性
东南大学 2021-04-11
一种多层柔性薄膜的剥离装置及剥离方法
一种多层柔性薄膜的剥离装置,剥离装置的剥离刀为横截面为 圆角多边形的柱状结构,具有多个不同弯曲半径和弯曲角度的圆弧剥 离面,使用时可根据不同的薄膜选择不同剥离面进行剥离加工,无须更换剥离刀,大大提高了剥离刀的适用范围,并进一步运用剥离刀的 几何参数与剥离效果的关系理论,设计优化得到最优的剥离刀结构, 得到最佳的剥离质量和剥离效率,剥离装置结构简单、成本低廉,在 大面积柔性器件的封装领域具有广阔应用前景。 
华中科技大学 2021-04-11
一种Sn掺杂CrO2薄膜及其制备方法
小试阶段/n磁性半金属CrO2薄膜在自旋电子器件中有广阔的应用前景,然而,其化学性质不够稳定,即使在室温下也容易转化为Cr2O3。本发明采用SnI4和CrO3作为前驱物,通过化学气相沉积(CVD)成功制备出Sn掺杂CrO2薄膜,使薄膜的热稳定性大大提升,从而解决了CrO2薄膜稳定性的问题。
武汉科技大学 2021-01-12
化合物薄膜太阳能电池及其制备方法
化合物薄膜太阳能电池及其制备方法,属于半导体光电材料与薄膜太阳能电池制备领域,解决现有化合物薄膜太阳能电池中所需材料在地壳中含量较少、价格昂贵、对人体有毒的问题。本发明的化合物薄膜太阳能电池,包括衬底及透明电极层、N 型缓冲层、P 型吸收层和背电极层,P 型吸收层材料为 Sb2Se3、Cu3SbS3 或 Cu3SbS4;本发明的制备方法包括沉积透明电极层步骤、沉积 N 型缓冲层步骤、沉积 P 型吸收层步骤、沉积电极层
华中科技大学 2021-04-14
高品质大尺寸微波单晶石榴石薄膜材料
本项目共包括10项授权专利,其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术,同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等,共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术,获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求,摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。(1)建成了我国第一条大尺寸磁
电子科技大学 2021-04-14
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