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一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器
本发明公开了一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器,包 括 M×N 个上电极、N 个下电极以及 M×N 个存储单元;每个上电极 只与一个功能层相连;功能层位于上电极与所述下电极之间;通过外 部的控制信号选择 X 方向的第 i 个上电极和 Y 方向的第 j 个下电极, 使得由第 i 个上电极、功能层和第 j 个下电极构成的存储单元工作;沿 着上电极的方向定义为 X 方向,沿着下电极的方向定义为 Y 方向。本 发明中的隔离型crossbar阵列结构通过一定程度降低单元阵列集成度, 提高了阵列各存储单元的
华中科技大学 2021-04-14
一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器
本发明公开了一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器,包 括 M×N 个上电极、N 个下电极以及 M×N 个存储单元;每个上电极 只与一个功能层相连;功能层位于上电极与所述下电极之间;通过外 部的控制信号选择 X 方向的第 i 个上电极和 Y 方向的第 j 个下电极, 使得由第 i 个上电极、功能层和第 j 个下电极构成的存储单元工作;沿 着上电极的方向定义为 X 方向,沿着下电极的方向定义为 Y 方向。本 发明中的隔离型crossbar阵列结构通过一定程度降低单元阵列集成度, 提高了阵列各存储单元的
华中科技大学 2021-04-14
一种超高频雷达天线阵列方向图测量装置
本实用新型提供一种超高频雷达天线阵列方向图测量装置,包括信号发生装置和待测量超高频雷达 系统,信号发生装置由单片机、信号源、GPS 模块、无线串口 1、发射天线、串口天线 1 和电源模块组 成,其中单片机、信号源和发射天线依次连接,单片机、GPS 模块、无线串口 1 和串口天线 1 依次连接。 待测量超高频雷达系统由依次连接的接收天线阵列、超高频接收机、无线串口 2 和串口天线 2
武汉大学 2021-04-14
一种独立磁盘冗余阵列 RAID5 的快速扩容方法
本发明公开了一种独立磁盘冗余阵列 RAID5 的快速扩容方法, 包括:获取条带组大小 SS、扩容读单元大小 RU、扩容写单元大小 WU 以及辅助变量 Y 和 St,并初始化当前扩容窗口 W_no 为 0,初始化当 前扩容窗口内的偏移 w_off 为 0,并将扩容所需的迁移记录集 R 设为 空,将当前磁盘计数器 d 初始化为 0,获取条带号 s=w_no*Wsize+w_off 以及在条带组中的偏移 s_off=s%SS,获取当前盘
华中科技大学 2021-04-14
一种具有曲面聚焦阵列的高频超声换能器及其制备方法
本发明公开了一种具有曲面聚焦阵列的高频超声换能器及其制 备方法,所述高频超声换能器包括曲面衬底,所述曲面衬底的上表面 为弧度 60°~180°的环形,所述曲面衬底的上表面的全部或部分区 域覆盖有曲面聚焦阵列,所述曲面聚焦阵列的底部为高度 4μm~20 μm 的底电极,所述底电极之上设置有 16 个~256 个平行设置的弧形 阵元,所述弧形阵元的底部为高度 7μm~100μm 的铌镁酸铅钛酸铅 厚膜,顶部为高度 100
华中科技大学 2021-04-14
一种产生涡旋电波的介质谐振器天线阵列
本发明公开了一种产生涡旋电波的介质谐振器天线阵列。该天线阵列由 N 个均匀布置在圆形印制板(接地面侧)上的介质谐振器天线构成,介质谐振器天线和接地面连接处开有 N 个矩形槽;印制板的另一面布有 N 条均匀分布的微带线,N≥4,微带线的一端由同轴线馈电,另一端通过和矩形槽的耦合给介质谐振器天线馈电。从而产生 N-1 个模式的涡旋电波(OAM 波)。本发明的介质谐振器天线阵列具有高增益、低损耗和高宽带的优点。
华中科技大学 2021-04-11
有源同轴二分频线阵列全频音箱-GL26A
GL26A线阵列音箱提供70Hz-20KHz的频率范围,具备平滑的频率和相位响应.8个1寸的钕磁球顶高音扬声器和2个6.5寸钕磁中低音扬声器构成一个动态余量极大的组合,高音扬声器同轴阵列式排布在中低音扬器上方,声像定位更准,提高线阵列音箱的远场声场均匀度和清晰度。音箱内装一个独立的大功率功放及DSP,音箱可单独调节,连接数量根据实际场合大小进行配置,使得现场扩声极其灵活、便捷。
音王电声股份有限公司 2022-07-02
一种光控快速释放磺胺嘧啶的抑菌光笼、制备方法及其应用
本发明公开了一种光控快速释放磺胺嘧啶的抑菌光笼、制备方法及其应用,该抑菌光笼基于Sanger试剂的光控释放体系,实现SD的高效时空释放及靶向抗菌。本发明的光控快速释放磺胺嘧啶的抑菌光笼,其具有如式SD‑Py‑N+所示结构的磺胺嘧啶‑2,4‑二硝基苯衍生物。
南京工业大学 2021-01-12
北京紫外光老化试验箱/天津紫外光老化试验箱
产品详细介绍产品用途:该产品采用荧光紫外灯为光源,通过模拟自然阳光中的紫外光辐射和冷凝,对材料进行加速耐候性试验,以获得材料耐气候性的结果。广泛适用于非金属材料、有机材料(如:涂料、油漆、橡胶、塑胶及其制品)经在阳光、湿度、温度、凝露等气候条件的变化下检验有关产品及材料老化现象程度及情况。 型号 ZN-P   内形尺寸D×W×H  450×1170×500:mm                       一、技术参数:  1.温度范围:RT+10℃~70℃  2.湿度范围:≥95%R.H  3.温度波动度:≤±0.5℃   4.温度均匀度:≤±2℃  5.温度偏差:≤±1.5℃  6.湿度均匀度:≤±2%R.H  7.黑板温度:40℃~65℃  8.灯管中间距离:35mm  9.样品架与灯管距离:50mm 10.灯管功率:40W/支 11.辐照度范围:小于50W/㎡ 12.紫外波长:280nm~400nm  13.支持样板:厚10mm×宽75mm×高150mm 14.样板数量:40块 15.时间设定范围:0~9999小时 16.电源要求:AC380(±10%)V/50HZ  三相五线制 二、箱体材质:  1.外壳采用A3钢板防静电喷塑处理;  2.内胆采用SUS优质不锈钢板;  3.箱盖采用A3钢板喷塑处理;  4.工作室的两边共安装8支UV系列紫外灯管;  5.加热方式为内胆水槽式加热、升温快、温度分布均匀;  6.箱盖为双向翻盖式,开闭轻松自如;  7.内胆水位自动补水;  8.试样架由衬垫和伸张弹簧组成,均采用铝合金材料制成;  9.试验箱底部采用高品质可固定式PU活动轮; 10.排水系统使用回涡型及U型积沉装置排水; 11.试样表面与紫外灯平面距离为50毫米且相平行; 三、光源系统:  1.光源采用8支UV系列额定功率为40W的紫外荧光灯管作发光源(灯管长度1200mm),分布在机器的两侧每侧各4支;  2.符合标准灯管有UVA-340或UVB-313光源供用户选择配置;(任选一种)  3.UVA-340灯管的发光光谱能量主要集中在315nm~400nm波长之间;  4.UVB-313灯管的发光光谱能量主要集中在280nm~315nm波长之间;  5.由于荧光灯光能量输出会随时间而逐步衰减,为了减小因光能量衰减造成试验的影响,所以本试验箱在所有的8支灯管中每隔1/4的荧光灯寿命时,由一支新灯管替换一支旧灯管,这样紫外光源始终由新灯和旧灯组成,从而得到一个输出恒定的光能量;  6.灯管有效使用寿命国产灯管600~800小时/进口灯管1800~2000小时; 四、控制系统:  1.采用智能型SAMWON-ST系列韩国进口温控仪表,控制精度±0.1℃;  2.温度控制均采用P.I.D +S.S.R,系统同频道协调控制,可提高控制元件与界面使用之稳定性及寿命;  3.触控式设定、数位及直接显示  4.具有P.I.D 自动演算之功能,可减少人为设定时带来之不便  5.光照和冷凝、喷淋可独立控制也可以交替循环控制  6.光照和冷凝的独立控制时间和交替循环控制的时间可在一千小时内任意设置;  7.在运转或设定中,如发生错误时,会提供警示迅号;  8.法国“施耐德”元器件。  9.飞利浦镇流器和启辉器(保证每次开机均可点亮紫外灯) 五、加热系统:  1.采用U型钛合金高速加温电热管;  2.完全独立系统,不影响试验及控制线路;  3.温度控制输出功率均由微电脑演算,以达高精度及高效率之用电效益;  4.具有加热系统的防超温功能; 六、黑板温度控制:  1.采用黑色铝板联接温度传感器;  2.采用黑板温度仪表控制加热,温度更稳定; 七、喷淋系统:  1.喷淋均匀性调节利用控制器的人工控制功能,在开门状态下观察喷淋状况,从而加以调节或更换喷头;  2.喷淋状态监控:机器配置了喷淋装置,喷淋装置模拟下雨时的温度剧变和雨水侵蚀,共有若干喷嘴喷洒均匀。什么时候喷淋、喷淋多长时间都由客户自由设置;  3.用户需准备有压力的去离子水或自来水;  4.主机附近的地面上需要有排水沟; 八、设备使用条件:  1.环境温度:5℃~+28℃(24小时内平均温度≤28℃)  2.环境湿度:≤85%R.H  3.操作环境需要室内通风良好,机器放置前后左右各80公分不可放置东西; 九、符合标准:  严格参照GB/T14522-2008、GB/T16422.3-97、GB/T16585-96等相关紫外老化试验标准设计制造; 十、服务承诺:免费送货上门,在对该设备安装调试结束后,在用户现场对相关技术人员免费做相应的操作培训,人数不限。 北京中科环试仪器有限公司 电话: 010-81290307 传真: 010-81283287 手机: 13671371697 联系人:唐治刚 http://www.zkhs17.com E-mail:zkhs@zkhs17.com  
北京中科环试仪器有限公司 2021-08-23
新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法
(专利号:ZL 201310038265.6) 简介:本发明公开一种新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法,属于宽禁带半导体技术领域。它包括衬底,所述的衬底由钒掺杂形成的半绝缘碳化硅晶片或本征碳化硅晶片构成,在所述衬底的硅面上有一层导电类型的第一掺杂层,掺杂类型为N型;所述衬底的碳面上有两层导电类型的掺杂层,从内到外依次为:第二掺杂层和第三掺杂层,所述的第二掺杂层掺杂类型为P型,所述第三掺杂层掺杂类型为N型;所述硅面一侧设置有开关的阳极
安徽工业大学 2021-01-12
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