本发明公开了一种基于体感技术的机器人离线示教系统，其包 括空间点位采集模块，数据处理模块和离线编程模块，其中，空间点 位采集模块用于完成机器人的示教过程，其通过体感设备识别和捕捉 人体肢体动作，获得肢体运动轨迹中的空间点位，以提供给数据处理模块;数据处理模块用于对所述空间点位进行滤波和光顺处理，获得 适合机器人运动的运动轨迹，并将处理后的空间点位坐标提供给离线 编程模块;离线编程模块用于对运动轨迹中的空间点的坐标进行坐标 变换和后置处理，以生成机器人可以执行的代码，用于输出至机器人 实现示教。本发明

本实用新型公开了一种等离子体催化反应器及其空气净化器，该反应器中从下至上依次设置相互平 行的下多尖端电极层、网状电极层、高比电阻多孔催化剂层和上多尖端电极层;铺设有高比电阻多孔催 化剂层的网状电极层设置在贴近下多尖端电极层处。高比电阻多孔催化剂层在放电环境下容易出现反电 晕现象，此时电晕电流迅速增大，使得放电功率增大，从而产生高密度的等离子体。本实用新型利用多 电极放电和催

本发明公开了一种产生大气压弥散放电非平衡等离子体的系统， 包括：直流电源、谐振充电电路、Tesla 变压器谐振升压电路、脉冲陡 化电路、限流电阻、线型电极，谐振充电电路包括充电晶闸管、充电 电感、滤波电容、原方电容，Tesla 变压器谐振升压电路包括放电晶闸 管、Tesla 变压器、副方电容，脉冲陡化电路包括三电极火花开关和触 发极电阻，直流电源的正极连接到充电晶闸管的阳极，直流电源的负极接地，充电晶闸管的阴极连接到充电电感的一端，充电电感的另一 端连接到放电晶闸管的阳极，滤波电容直接与直流电源并联

本实用新型提供了一种黄曲霉毒素的螺旋式等离子体降解装置，所述黄曲霉毒素的螺旋式等离子体降解装置设有等离子发射器、等离子体发生器、螺旋塔装置、控制面板。本实用新型提供了一种黄曲霉毒素的螺旋式等离子体降解装置，主要用于粮食表面的黄曲霉毒素的降解。物料在重力和螺旋离心力的作用下，缓慢的从螺旋塔上部流到下部，保证每颗物料都均匀地受到等离子体的作用。该装置可以进行连续化作业，降解速度快，效率高，处理环境温度低，无溶剂残留，无环境污染，且能保证物料的色香味及营养成分不被破坏。

本发明提供了一种基于等离子体源的双高频高压信号同步调试方法，步骤S01：对于不存在信号输出端口的高频电源端从高压输出端进行采样。步骤S02：从高压输出的信号首先经过采样电路等比例采样到ADC的输入范围±5V以内，通过ADC和RAM系统的通信完成逻辑的控制运行。步骤S03：获取采样数据并处理，过固定的延时，通过GPIO口输出PWM信号给另外一台电源的IGPT控制端口，通过延时来实现两个电源从某一时刻达到信号的同步输出。本发明能够精确地调节和同步高频与高压信号，确保等离子体源在最佳工作状态下运行。不仅提高了信号的同步性和稳定性，还具有较高的自动化水平，能够在复杂环境下实现对信号源的精确控制。

一种等离子体发射光谱法检测重金属污染方法，对样品的发射光谱进行实时采集，根据不同重金属元素的特征发射波长对光谱数据进行识别，以标准样品的浓度为横坐标，光谱峰值强度为纵坐标，绘制标准校准曲线；将待测样品的光谱峰值强度代入标准校准曲线，计算出重金属元素的浓度，在对样品的发射光谱进行实时采集前，利用放电等离子体对样品进行处理，如果样品是液体时，将液体样品吸附在载体上进行处理。本发明在检测过程中，利用放电等离子体，能够激发重金属元素，提高检测效率，适用于快速响应的应用场景。此外，该方法无需昂贵的真空设备或复杂的化学试剂，并通过标准曲线校准，可实现对重金属元素的准确定量分析，检测精度高且结果稳定可靠。

本发明公开了一种螺旋体MOC材料光催化剂的制备方法及应用，其为结构通式(I)的化合物。本发明化合物是一种在可见光下可降解染料、四环素及还原六价铬的光催化剂，催化剂易于从溶液中分离，具有良好的结构稳定性和可重复使用性。

1. 痛点问题 目前硅基太阳能电池占据着太阳能电池的主导地位，其中单晶硅电池转换效率已可以达到25%左右，但它们需要比较多的单晶硅材料，生产成本高。而对于多晶硅，由于缺陷较多，转换效率比较低。III-V族材料转换效率高，但是材料和生产成本居高不下，难以推广使用。虽然可以利用纳米柱阵列来提高光吸收能力及减少材料成本，但是由于纳米柱结构具有很大的表面积，载流子较大的表面复合严重影响着器件的性能，而且需要昂贵的设备生长径向异质结和控制掺杂浓度。 2. 解决方案 本项目提出一种磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的简单制备方法，目前已完成高效太阳能电池验证和原型器件的制备，另还有可见光探测器等在研。 本方法是在磷化铟纳米柱制备过程中，利用刻蚀气体中加入氢气，可以同时实现了磷化铟纳米柱阵列和径向同质结的制备，通过控制刻蚀时间及氢气含量，精确控制磷化铟表面掺杂浓度及深度，相比于其他生长径向同质结的方法，本方法设备简单，制备效率高。在降低成本方面，纳米柱结构相比于平面结构具有更好的陷光效应，只需使用少量的材料便可以实现高效光吸收。 合作需求 本项目下一步发展需求主要集中在与太阳能电池相关企业的技术和产品合作，优化和固定产品制作工艺流程，降低生产成本。其次是资本投资、政府政策等方面的扶持。需要的外部资源主要是产业的工程化和市场资源。

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。