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厦门捷能通光电科技有限公司
捷能通专业研发生产LED护眼教室灯、LED护眼黑板灯、录播教室灯、阅览室灯等一系列专业学校护眼照明产品。捷能通,深耕LED照明科技市场,变道教育照明6年好评不断,秉持“用光明守护成长!”的理念,是最早进入教育照明市场的并专注这一领域的领军型企业。  捷能通产品经国家级实验室检测,无蓝光危害、无眩光、无频闪、高显指,并通过CCC、UL、CE、RoHS等认证,拥有教育照明领域的136项专利及288项国家级实验室的检测认证,获得“国家高新技术企业”“厦门市科技小巨人企业”“中国教育装备协会2020年度推荐产品”等99项市级荣誉,同时与厦门大学、厦门理工学院等国内著名科研院校开展密切的科研合作和技术交流。  捷能通品牌至今已在北京、上海 、广东、浙江、湖南、湖北、江苏、安徽、甘肃、黑龙江等全国30多个省市完成超万所的学校的灯光改造,创造上万间健康光环境示范教室,获得到了广大学子、家长及教育人士的认可。 捷能通将继续秉承着“用光明守护成长!”的经营理念,为广大学子的视力健康保驾护航,致力于让全国学校教室照明卫生标准达标率达到100%!
厦门捷能通光电科技有限公司 2021-01-15
福建利利普光电科技有限公司
 福建利利普光电科技有限公司创建于1993年,是中国微型彩色液晶显示产业的领先龙头企业,现拥有两个独立的研发生产基地和"LILLIPUT"与"OWON"两个独立品牌。公司在美国、英国、加拿大、香港、厦门、深圳设有分公司。多次荣获国家、省、市包括科技进步奖在内的各种奖项,2004年被认定为福建省高新技术企业。        福建利利普光电科技有限公司(OWON)是一家集研发、生产、销售、服务为一体的产、学、研相结合的高新企业。目前OWON产品涵盖频谱分析仪、数字示波器、信号发生器、数字可编程直流电源等多种数字化测试仪器。        OWON品牌的数字仪器,广泛适用于生产制造、工业控制、广播电视、网络通信和科研教学等领域,成功进入美国哈佛大学、美国麻省理工、日本早稻田大学、日本千叶大学、米兰大学、天津大学、西安电子科技大学、厦门大学等知名高校实验室,成为测量测试领域的世界级供应商和客户的首选商业伙伴。        创新是产品的核心与灵魂,公司坚信产品质量远胜于产品本身;公司引进ISO9001:2008质量管理体系, 致力于整合单一的生产环节以融入全员质量控制管理中,体现出利利普人对产品质量的专注与苛求。        倾听是OWON品牌成长的动力。利利普公司致力于构建一个以诚信、创新、人性化为核心价值的品牌企业,虚心听取来自各方朋友的意见与建议,注重人性关怀为企业成长凝聚力的可持续发展模式。        "合您所需,全能全时"满足工程测量的便利性和准确性是OWON产品一如既往的坚持和追求。
福建利利普光电科技有限公司 2021-12-07
山东中泰阳光电气科技有限公司
山东中泰阳光电气科技有限公司 2021-08-24
BEX-8504系列 光电效应实验装置
实验原理 当光照射在物体上时,光的能量只有部分以热的形式被物体所吸收,而另一部分则转换为物体中某些电子的能量,使这些电子逸出物体表面,这种现象称为光电效应。在光电效应这一现象中,光显示出它的粒子性,所以深入观察光电效应现象,对认识光的本性具有极其重要的意义。   仪器概述 汞灯光源发出的光,经过滤色片-光阑头后,成为一束固定光束大小的窄带单色光,该束光照在光电管上产生电流,最后通过微电流放大器对所产生的电流进行检测,研究光照波长,光阑孔径大小和光强三者之间的关系,从中验证爱因斯坦的光电效应理论。   实验内容 通过测量光电管在不同波长光照射下的截止电压,计算求得普朗克常量 h。 通过改变滤色片或通光孔径,来研究光电管的伏安特性。   滤色片-光阑头一体化设计 滤波片和光澜孔置于光电二极管盒的前部,使得很容易地保持清洁并省去了一个单独的保管箱。要研究不同的光强度的影响,需要改变孔径大小,只需向外拉光圈环上,并将其旋转到不同的光圈。单独旋转滤波片轮可选择不同频率的光。当该轮盘卡旋转到锁定位置,确保了滤波片的孔对齐。
上海科铭仪器有限公司 2021-12-16
太赫兹波传输和调控功能器件
太赫兹(THz)科学技术既是重大的基础科学问题,也是国家的重大需求。然而,作为一段全新的的电磁波谱,实现THz波传输与控制的相关器件极为匮乏,大大限制了THz科学技术的发展及应用。本项目提出了THz波物质探测、低损传输、高速控制的新理论和新技术,研制出多种实用化THz功能器件。本项目的主要成果包括:(1) 提出了THz波吸收的理论模型,研制出吸收率达到85%以上的窄带、多带和宽带太赫兹吸收材料,解决了传统电磁波吸收材料无法有效工作于THz频段的技术难题;(2)提出“人工电磁结构”与“电子功能材料”相结合构建可调谐太赫兹功能器件的思想,研制出开关速率达到0.1ms的太赫兹开关、调制速率达到10Mbps的太赫兹波调制器,带内透射达到80%的太赫兹带通滤波器,以及高效太赫兹功率衰减器;(3)基于高阻Si的深能级掺杂技术和石墨烯二维晶体材料,研制出宽带太赫兹波空间调制器,开关速率达到5MHz,空间调制面积达到3英寸,为提高太赫兹成像速率和分辨率奠定了基础;(4)提出极化约束实现太赫兹波导低损耗传输的新概念。基于“聚合物空芯波导”与“周期性金属光栅结构”的集成,研制出一种双面光栅聚合物空芯波导实现了单模的传输,大幅度降低太赫兹传输损耗到0.68dB/m,达到了实用化的要求。 这一研究成果既加深了对THz波谱特性和基本物理现象的理解,也解决了THz传输、控制、波谱识别和应用成像的多个关键科学问题。本项目成果的实施,可望实现载波300GHz以上高速无线通信,为太赫兹波无线通信、雷达探测、医疗诊断以及以及波谱成像等应用系统提供了重要的技术支撑。在Appl. Phys. Lett., Sci. Rep., Opt. Lett., Optics Express, J. Opt. Soc. Am.等国际主流期刊上发表SCI 论文66 篇。申请国家发明专利22 项,已授权专利7 项,获得教育部自然科学一等奖1项。跟国内外综合比较,本项目的研究成果总体上处于国际先进水平,对推动太赫兹科学快速进入实际应用领域具有重要的科学意义。
电子科技大学 2021-04-10
太赫兹波传输和调控功能器件
本项目提出了THz波物质探测、低损传输、高速控制的新理论和新技术,研制出多种实用化THz功能器件。
电子科技大学 2021-04-10
PMOS触发的低压ESD触发SCR器件
随着集成电路工艺的进步,MOS管的特征尺寸越来越小,电路的工作电压也不断下降,栅氧化层的厚度也越来越薄,在这种趋势下,将可控硅ESD防护器件的触发电压降低到可观的电压值内,使用高性能的ESD防护器件来泄放静电电荷以保护栅极氧化层显得十分重要。本发明涉及可用于65nm半导体工艺的静电保护(ESD)器件,特别涉及低电压触发的SCR器件。    本发明提供一种采用新型技术减小器件的ESD触发电压的PMOS嵌入的低压触发用于ESD保护的SCR器件。本发明采用PMOS进行触发NMOS导通,NMOS的导通电流触发SCR晶闸管,从而减小SCR器件的ESD触发电压。ESD脉冲信号施加在Anode和Cathode之间,PMOS首先被触发导通,PMOS开通之后,触发NMOS导通,NMOS导通后,其导通电流触发晶闸管SCR导通。晶闸管电流(SCR current)导通大部分ESD 电流,从而实验了ESD保护。
辽宁大学 2021-04-11
超快高储能柔性器件
本项目以制备超快高储能柔性器件为导向,建立基于界面纳米复合材料的新技术。通过水热法和电化学方法在柔性导电基底上构建纳米阵列/金掺杂二氧化锰的三维纳米复合电极,作为正极;通过水热法和热处理法在柔性导电基底上生长多孔氧化铁纳米复合材料,作为负极,组装全固态薄膜器件。利用纳米复合材料的多方面优势加速电子/离子在活性材料中的传递,进而达到超快高储能的目的。基于纳米复合材料的全固态薄膜器件可展现出超快充电能力(10 V/s),比常规电容器的充电时间快10-100倍。这是国际上基于金属氧化物赝电容薄膜型超级电容器研究领域的一个重大突破。此外,本项目以开发超快超柔储能器件为导向,开发了一种热力学诱导自发组装和原位掺杂结合碳热还原的方法来实现石墨烯纳米筛粉体和薄膜的宏观可控制备,解决了传统石墨烯材料纵向物质传输差的局限。通过控制碳热温度,可以调节石墨烯纳米筛表面的孔密度,即孔径大小可控(10~100 nm)。与传统石墨烯薄膜电极相比,石墨烯纳米筛表面丰富的孔结构使得其作为电极材料时拥有更大的比表面积,而且电解质离子可以在垂直于平面的轴向上传递,缩短了离子传输路径。
华中科技大学 2021-04-10
集成高速光开关技术及关键器件
磷化铟基集成高速光开关芯片
中山大学 2021-04-10
具有紫外响应的硅基成像器件
传统的CCD、CMOS硅基成像器件都不能响应紫外波段的光信号,这是因为紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小(<2nm)。但是近年来随着紫外探测技术的日趋发展,人们越来越需要对紫外波段进行更深的探测分析与认识。紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来,紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域,对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面,国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是应用最广泛的光电探测器件。当前最先进的光谱仪器大都采用了CCD或CMOS作为探测器件,这是因为CCD、CMOS具有灵敏度强、噪声低、成像质量好等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小(<2nm),CCD、CMOS等在紫外波段响应都很弱。成像器件的这种紫外弱响应限制了其在先进光谱仪器及其他领域紫外波段探测的使用。 在技术发达国家,宽光谱响应范围、高分辨率、高灵敏度探测器CCD已经广泛应用于高档光谱仪器中。上世纪中叶美国Varian公司开发的Varian700 ICP-AES所使用的宽光谱CCD检测器分辨率达0.01nm,光波长在600nm和300nm时QE分别达到了84%和50%;美国热电公司开发的CAP600 系列ICP所用探测器光谱响应范围更是达到165~1000nm,在200nm时的分辨率达到0.005nm.法国Johinyvon的全谱直读ICP,其所用的CCD探测器像素分辨率达0.0035nm,紫外响应拓展到120nm的远紫外波段。德国斯派克分析仪器公司的全谱直读电感耦合等离子体发射光谱仪一维色散和22个CCD检测器设计,其光谱响应范围为120-800nm。德国耶拿JENA 连续光源原子吸收光谱仪contrAA采用高分辨率的中阶梯光栅和紫外高灵敏度的一维CCD探测器,分辨率达0.002nm,光谱响应范围为189—900 nm。总而言之,发达国家在宽光谱响应和高分辨率高灵敏度探测器件的研制领域已取得相当的成就。主要技术指标和创新点(1)  我们在国内首次提出紫外增强的硅基成像器件,并在不改变传统硅基成像探测器件的结构的基础上,利用镀膜的方法增强成像探测器件CCD、CMOS的紫外响应,使其光谱响应范围拓宽到190—1100nm,实现对190nm以上紫外光的探测。(2)  提高成像探测器的紫外波段灵敏度,达到0.1V/lex.s。(3)  增强成像探测器件的紫外响应的同时,尽量不削弱探测器件对可见波段的响应。(4)  选用适合的无机材料,克服有机材料使用寿命短的缺陷。 紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域,对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面,国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件,该设计与传统CCD、CMOS结合,能满足宽光谱光谱仪器所需的紫外响应探测器的需要。能提高光谱仪器光谱响应范围,在科学实验和物质分析和检测中具有很广的市场前景。 该设计样品能取代传统CCD、CMOS,应用于大型宽光谱光谱仪器上,作为光谱仪的探测器件。将传统光谱仪器的光谱检测范围拓宽到190—1100nm. 实现紫外探测和紫外分析。具有较强的市场推广应用价值。
上海理工大学 2021-04-11
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