哈尔滨工程大学源自1953年创办的中国人民解放军军事工程学院（哈军工），陈赓大将为首任院长，毛泽东主席为学院颁发《训词》，1959年被中共中央确定为全国重点大学。1966年退出军队序列更名为哈尔滨工程学院。1970年在哈军工原址以海军工程系为主体组建哈尔滨船舶工程学院（哈船院），1978年被国务院确定为全国重点大学。1994年更名为哈尔滨工程大学（哈工程）。学校先后隶属于第六机械工业部、中国船舶工业总公司、国防科工委，现隶属于工业和信息化部。2007年，成为国防科工委、教育部、黑龙江省人民政府、海军共建高校。2019年，成为工业和信息化部、教育部、黑龙江省人民政府、哈尔滨市人民政府共建高校。 学校是首批具有博士、硕士学位授予权单位，1996年被确定为首批“211工程”重点建设高校，2002年经教育部批准设立研究生院，2011年被确定为国家优势学科创新平台项目建设高校，2017年进入国家“双一流”建设行列。学校坚持“三海一核”（船舶工业、海军装备、海洋开发、核能应用）办学方略，为我国船舶工业、核工业、国防现代化和经济社会发展做出了重要贡献，已成为我国船海核领域高水平研究型大学。 学校全面贯彻新发展理念，建设人文校园、智慧校园、绿色校园、和谐校园、平安校园。2020年，学校入选全国文明校园。2024年，学校党委入选“全国党建工作示范高校”培育创建单位。学校占地面积140.05万平方米，建筑面积119.22万平方米。学校设有23家教学科研单位，设有40多个科研机构以及150多个科研和教学实验室，其中全国重点实验室6个，国家工程实验室1个，国家地方联合工程研究中心1个，国家级国际科技合作基地3个，国际联合实验室16个，前沿科学中心1个，工业和信息化部重点实验室18个，教育部重点实验室及工程研究中心9个，国家级电工电子教学基地1个，国家级实验教学示范中心7个，国家级虚拟仿真实验教学中心3个，国家大学生文化素质教育基地1个，国家级创新创业教育实践基地1个，国家工程专业学位研究生联合培养示范基地2个，教育部国别和区域研究中心1个，全国首批教育部-华为“智能基座”产教融合协同育人基地1个，国家级虚拟教研室建设试点6个。学校获教育部批复国家卓越工程师学院建设高校，获黑龙江省委编委批复牵头建设黑龙江工程师学院。学校哈军工纪念馆为全国爱国主义教育示范基地、全国首批科学家精神教育基地、首批“大思政课”实践教学基地。图书馆共有藏书765.8万册。 学校面向国家重大战略需求，秉承“强优固基、交叉跃升”建设理念，着力打造与世界一流大学相适应的优势突出、特色鲜明、交叉融合、协同发展的学科体系。现有一级学科博士学位授权点15个，一级学科硕士学位授权点32个，博士专业学位类别3个，硕士专业学位类别11个，博士后科研流动站12个，博士后科研工作站3个。现有本科招生专业43个，国家级一流本科专业建设点33个，通过工程教育专业认证的专业18个。学校工程学、材料科学、计算机科学、化学、环境/生态学、物理学6个学科进入ESI前1%，其中工程学进入世界前1‰。 学校坚持和发扬哈军工优良传统，将“以祖国需要为第一需要，以国防需求为第一使命，以人民满意为第一标准”作为价值追求，秉承“大工至善，大学至真”的校训，“忠诚、坚韧、团结、创新”的校风，“治学严谨、组织严密、要求严格”的教风，“严谨、求实、勤奋、创新”的学风，凝练形成“一切为了学生成长”“教授就是大学”“办学就是办环境”的办学理念，弘扬“以忠诚为灵魂、工学为境界、船海为特色、创新为动力”的大学文化，牢牢把握高质量发展生命线，深化中国特色、国防底色、工信特色、船海核特色、龙江特色，以敢为的自信、必成的劲头、开放的眼界、合作的气度，全面提高人才自主培养质量，着力打造“三海一核”领域国家战略科技力量和国家战略人才力量，奋力开创特色鲜明世界一流大学高质量发展新局面。

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"本发明为一种基于谱峭度的局部放电信号识别方法，首先通过短时傅立叶变换估计含噪信号的谱峭度，根据谱峭度与Wiener滤波之间的关系设计自适应最优带通滤波器，对含噪局部放电信号进行滤波，再进行2-3层的小波平滑去噪，得出比较理想的局部放电信号特征。该算法简单，计算方便，避免了小波去噪方法在信噪比较低时分解层数较多，容易丢失原有局部放电信号特征信息的缺点，大大提高了信噪比，而且失真度小，与理想局部放电信号的波形相似度最大。 "

本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO₂薄膜、2)在有 SiO₂层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO₂，将光刻的图形转移到 SiO₂层、4)镀Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微

本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工 艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO2，将光刻的图 形转移到 SiO2 层、4)镀 Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微米线表面镀一层 ZnO 膜、8)在 Si 微米线表面生长 ZnO 纳米线、9)在 ZnO 纳米线表面制备一层 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 结 构 表 面

近日，应用气象学院余振教授联合中国林业科学研究院、北京大学、法国气候与环境科学实验室、爱荷华州立大学等国内外十二家单位的研究人员，在综合性期刊《Nature Communications》发表了题为“Forest expansion dominates China’s land carbon sink since 1980”的研究论文。