金埃谱科技是国内率先推出集完全自动化、智能化、高精度、高稳定性及高性价比于一体的比表面积及孔径分析设备供应商，相继推出F-Sorb X400（动态法）及V-Sorb X800（静态法）两大系列产品，不仅符合国家及国际标准，而且创建了国内齐全、完善的比表面积及孔径分析仪产品线。此外，随着真密度仪G-DenPyc X900系列和高温高压吸附仪H-Sorb X600系列的问世，使得我司气体吸附仪领域的产品线更加完善。

IOI353型人体成分分析仪是采用生物电阻抗技术(BIA)、利用8-12接触电极和多频方法对人体进行节段分析。 测试指标：蛋白质、矿物质、身体总水分、身体脂肪量、去脂肪软体重、瘦体重、体重、标准体重、身体质量指数、体质百分比、身体年龄、基础代谢率、总能量消 耗、体型评估、节段分析、去脂肪软体重和身体脂肪量评价、身体成分变化、控制指导（体重，身体脂肪量，控制目标，每周控制量，控制周期，饮食摄入卡路里， 运动消耗卡路里），内脏脂肪面积，内脏脂肪水平，腹部周长，腰臀比，电阻抗，血压（当连接血压计时） 通过身体成份分析，您可做到： 准确把握训练的效果，为制定训练计划提供科学依据； 合理的减控制体重，从而保持最佳体能； 区分肌肉型超重和肥胖，寻求最佳的控制体重方法； 了解并检测青少年体质与健康的状况，制定切实可行的锻炼计划； 指导能量摄入和膳食中营养素摄入的比例； 指导采取营养恢复措施，促进肌肉的最大合成； 评价理疗康复的效果，指导科学训练、科学康复、科学营养； 了解环境、营养及其他因素对身体成份的影响； 了解不同类别人群体成份的差别。 IOI353特性： 考虑5个设定参数，即身高、体重、年龄、性别、电阻抗； 与世界公认的、最准确地稳定性同位素示踪法进行相关性分析； 便携、移动性强，可易用专用运输箱（可选）； 人体工学设计； 重量轻，10kg左右； 可以用A4固定打印纸打印和热敏打印机打印（可选）； 7吋彩色液晶显示屏； 无偏差体重秤设计； 安装方便，3-5分钟即可安装完毕； 全程中文语音提示； 可用存储盘存储所有测试数据（可选）。   型号 IOI353 测量方法 多频5因素生物电阻抗分析技术 电极方法 8点接触式电极 测量频率 5、50、250KHZ 测量部位 全身、节段测量（上下肢、躯干） 测量项目 蛋 白质、无机盐、身体水分、体脂肪量、肌肉量、去脂体重、体重、标准体重、BMI、体脂肪率、身体年龄、基础代谢量、总能量消耗、体型、节段分析、身体成分 变化、调节指导（体重体脂肪量肌肉量的调节值、调节目标、周调节量、调节周期、饮食热量、运动热量）、内脏脂肪面积、内脏脂肪水平、腰围、腰臀比、阻抗、 血压 测量电流 约280μA以内 消耗功率 40VA 电源电压 输入电压（AC100~230V、50/60HZ）、输出电压（DC12V、3.4A） 显示方法 7英寸彩色液晶屏 数据输入 键盘、电脑远程操作 传输端口 USB、RS-232（无线） 打印机 外接打印机或调整热敏打印机（选配） 外形尺寸 400*735*890（W*D*H、±10MM） 仪器重量 约10KG（机体） 测量范围 100~950Ω 测量时间 1分钟内 测量体重 10~250 KG 输入身高 100~200CM 适用年龄 5-89岁 操作环境 温度10~40℃、湿度30~75%（无凝露） 保存环境 温度-20~60℃、湿度：低于95%（无凝露） 上海欣曼IOI353测试样表 便携式、携带方便、可折叠、搬运轻松 IOI353人体成分分析仪显示屏 同类产品比较 序号 项目名称 杰文ioi Inbody220 1 显示屏折叠 显示屏都可以折叠 不可以 2 屏幕 7存大屏幕彩色显示 6.4蓝色液晶屏显示 3 衣物重量 可按季节调整衣物重量 不可以调整衣物重量 4 体型分析 9种体型分析 无体型分析 5 脂肪分析 可分析皮下脂肪和内脏脂肪 无脂肪分析 6 节段脂肪重量 可测节段脂肪重量 不可测节段脂肪重量 7 节段评估 可评估节段脂肪、肌肉量 不可评估 8 年龄分析 可分析身体实际年龄 无此项功能 9 书籍储存 机器内部可存储5000组数据 不可存储数据 10 数据传输 免费 收费   相关产品： 人体成分分析仪（专家型） 本文中所有关于人体成分分析仪http://www.xinman8.com/350.html的文字、参数、图片等如有产品更新换代、参数变动请联系我们的销售、技术工程师。

上海金鹏分析仪器有限公司，上海市高新技术企业，成立于2007年5月，是一家专业的分子生物学仪器生产公司。凭借多年来累积的技术与研发实力，公司已拥有发明专利1项，新型实用专利12项、著作权11项，产品通过欧盟CE认证、ISO9001:2008质量体系认证。 目前，公司已形成已蛋白纯化系统、超微量核酸蛋白测定仪、化学发光成像系统、凝胶成像分析系统、紫外分析仪、核酸蛋白检测仪、紫外检测仪、光化学反应仪、旋涡混合器、恒流泵、自动部分收集器等为核心的十几个产品系列。目前，公司在国内主要城市均有渠道代理商，并设立了8个办事处，以国际化的前瞻视野，打造金鹏品牌。 金色事业，鹏程万里。面对未来，上海金鹏始终坚持“助力科学研究，造国产好仪器”的理念，不断超越，为成为分子生物学实验室的领跑者而努力，致力国产仪器更大的发展。 

VNA5000A是一款高性能的矢量网络分析仪，具有优良的测试动态范围、分析带宽、相位噪声、幅度精度和测试速度；该设备提供单端口、响应隔离、增强型响应、全双端口等多种校准方式，内设对数幅度、线性幅度、驻波、相位、群时延,Smith圆图、极坐标等多种显示格式，外配USB、LAN、GPIB、VGA等多种标准接口，具有传统矢量网络分析仪的全部测量功能，能精确测量微波网络的幅频特性、相频特性和群时延特性。该产品可广泛应用于发射/接收(T/R)模块测量等领域，是雷达、通信、导航等系统的科研、生产过程中必不可少的测试设备。 功能特点 频率范围：10 MHz~50 GHz 四个内部相位相参信号源，八个真正并行测量的接收机 高动态范围：130 dB（典型值），迹线噪声优于0.001 dB，测量精度高 支持多窗口、多通道测量，快速执行复杂测试方案 校准类型灵活可选，兼容多种校准件 外设接口丰富，灵活实用 应用领域 微波射频器件研发与设计 TR组件测试 自动化测试及校准 雷达、通信等电子装备测试

VNA1000A是一款高性能的矢量网络分析仪,具有优良的测试动态范围、分析带宽、相位噪声、幅度精度和测试速度；该设备提供单端口、响应隔离、增强型响应、全双端口等多种校准方式，内设对数幅度、线性幅度、驻波、相位、群时延、Smith圆图、极坐标等多种显示格式，外配USB、LAN、GPIB、VGA等多种标准接口，具有传统矢量网络分析仪的全部测量功能，能精确测量微波网络的幅频特性、相频特性和群时延特性。该产品可广泛应用于发射/接收（T/R）模块测量等领域，是雷达、通信、导航等系统的科研、生产过程中必不可少的测试设备。 功能特点 频率范围：10MHz~50GHz 四个内部相位相参信号源，八个真正并行测量的接收机 高动态范围大：120dB（典型值），迹线噪声优于0.001dB，测量精度高 校准类型灵活可选，兼容多种校准件 支持多窗口、多通道测量，快速执行复杂测试方案 外设接口丰富，灵活实用 应用领域 微波射频器件研发与设计 TR组件测试 自动化测试及校准 雷达、通信等电子装备测试

现阶段所设计的存算一体器件单元结构如图 1 所示： 器件的基本结构由波导和功能层（由下到上分为加热层、电极层、保护层、相变材料（硫系化合物）层）所构成。拟通过在当前流行的绝缘层上硅(SOI)光子平台上集成四氮化三硅光波导的方式实现器件的光学读取功能，即在非常厚的硅衬底层上生长一层绝缘层二氧化硅和波导层，然后在基片上通过光刻、显影、刻蚀等工艺制备四氮化三硅波导。功能层主要用于实现器件的电学写入功能。加热器层的主要用途是与相变材料层形成电接触，通过较小的接触面积使接触处的热量集中，从而可以在较小的电压或电流下使相变材料发生相变。因此需要加热器层具备较好的导热和导电性能，同时在近 C 波段具有较低的光损耗，可采用石墨烯。电极层可用于提供相变材料器件单元所需要的编程电脉冲。当前拟采用硒掺杂的相变材料合金（如 GSST）作为器件的核心功能层的相变材料。该材料在通信/非通信波段显示了极低的光损耗和更高的品质因数，且相变前后在通信 C 波段具有足够大的光学常数反差，可在更恶劣的高温环境下进行操作，适用于硅基光子器件应用。 采用的主要技术手段包括： ① 依托于相变材料的电致和光致相变特性，通过电学编程、光学读取的方法实现器件的存储、算术运算和逻辑运算功能：  存储功能的实现：拟利用相变材料晶态低透过率和非晶态高透过率分别代表二进制中的‘1’和‘0’，实现数据存储（编程）功能。例如在电极两端施加合适的电脉冲，所产生电流流经加热层时，生成的热量主要集中在加热层和相变材料层接触处，使得接触处的相变材料发生相变，实现存储功能。在完成上述编程操作后，从器件波导输入端输入读取连续光。由于相变材料功能层对光强的吸收能力在编程和非编程区域间存在着显著的差异，因此当输入光经过波导后，其能量会因为相变材料编程区域的吸收而发生改变，进而显著改变输出光强能量。所以通过测量输入输出光强的能量之比（即透过率），可实现对先前编程区域的读取。  算术和逻辑功能的实现：通过调整编程电脉冲的幅度和宽度可以动态调控相变材料的相变程度，使得器件的中间透过率值可用于代表不同的数值，实现多级存储功能。所以拟采用输入脉冲数量对应加数的方法实现标量加法计算。同时由于所设计器件的读取连续光输出功率可视为读取连续光输入功率和器件透过率的乘积，因此可采用将输入功率和透过率作为被乘数和乘数的方法实现基本乘法运算。除此之外还可以将器件功能层的初始状态设置为非晶相，把晶化脉冲幅值和不足以产生晶化的脉冲幅值分别作为输入逻辑‘1’和‘0’；同时设定一个判定阈值并与编程后器件透过率的变化率进行对比，把高于和低于阈值的透过率变化率分别作为输出逻辑 ‘1’和‘0’；通过合理选择编程脉冲有望实现各种逻辑功能输出。 ② 基于器件透射率可调特性验证其实现神经突触的可行性。并依托所设计人工突触构建人工神经网络芯片，实现图像、语音和文本识别功能：  突触可塑性是大脑记忆和学习的神经生物学基础，也是人工类脑器件需要实现的首要功能。为实现突触可塑性，拟把相变材料和波导之间的耦合区域视为仿生神经突触，左右两端电极分别代表突触前和突触后，分别施加在两端电极上的电脉冲则作为突触前和突触后刺激。通过调节从左右两端电极输入耦合区域的电脉冲时间差对耦合区域的光透过率进行连续调控，进而依托于上述存算理论模型和实物器件仿真和实验实现仿生神经突触的脉冲时序依赖可塑性（Spike-Timing-Dependent-Plasticity, STDP)。  将不同波长的光脉冲序列输入所设计的突触单元, 经过相变材料的作用，脉冲强度发生变化，对应于乘法器。进而借助于微环结构，将不同波长的脉冲导入进同一波导中，该功能类似加法器。相加后的脉冲光强较小时，读取光与微环发生共振，在输出端口没有光强输出。当光强达到一定的阈值后，读取信号不再和微环发生共振，而是传播到输出端口。这一过程类似神经元脉冲信号的激发，实现了非线性激活函数的功能。利用上述的单个神经元结构，验证其监督式机器学习和非监督式机器学习。对于监督式机器学习，权重的数值通过外部管理器设置；对于非监督式机器学习，不再需要外部管理器来设置权重值，而是通过输出光脉冲进行反馈控制，调整权重值。在单个神经元结构的基础上，更复杂的光学脉冲神经网络结构，证明该结构的可扩展性。拟设计的神经网络中的每一层结构包括三个功能单元，即收集器、分发器和神经突触结构。收集器将上一层不同波长的光脉冲信号收集到同一根波导中，分发器将光脉冲分发给多个神经元，神经突触结构则产生光脉冲信号，输入给下一层结构。基于上述结构实现图片、语音和文本的识别。 创新性分析：①首次研究了一款基于“电学编程、光学读取”模式的光电混合存算一体化器件。与传统电学存算一体化器件相比,拟研发的器件可以进行长距离的信息传输，具有传输带宽高、信号间延迟低、损耗低、抗干扰、集成密度高等优点。②采用硒(Se)掺杂的相变材料作为存算一体化器件的核心功能材料。与采用其他相变材料的存算一体器件相比，以硒参杂的相变材料作为功能材料的存算一体器件有望展现出极低的光损耗。③提出了一种基于“电学脉冲刺激、光学权重调节”的人工神经突触。该突触器件有望成为未来通用型人工神经突触，填补了光电混合型人工突触的技术空白。 先进性分析：①所提出的光电混合工作模式使得该存算一体化器件不但具有传统集成电路的高密度特性，且兼具光通信技术的宽频带、低延迟、抗干扰的优越性能。②所采用硒参杂的相变材料不但继承了传统材料具有的快速相变转化速度、低功耗和稳定性强等特性，且本身在通信波段非晶态透明的同时还保持了相变前后足够大的光学性能差异的特点。③所设计的突触继承了人工电子突触和全光突触的优点，具有高集成度、低功耗、超快响应时间、稳定性强等优点。 独占性分析：根据已取得成果正在撰写专利，以获得该关键技术的独有权。 

1. 痛点问题 目前硅基太阳能电池占据着太阳能电池的主导地位，其中单晶硅电池转换效率已可以达到25%左右，但它们需要比较多的单晶硅材料，生产成本高。而对于多晶硅，由于缺陷较多，转换效率比较低。III-V族材料转换效率高，但是材料和生产成本居高不下，难以推广使用。虽然可以利用纳米柱阵列来提高光吸收能力及减少材料成本，但是由于纳米柱结构具有很大的表面积，载流子较大的表面复合严重影响着器件的性能，而且需要昂贵的设备生长径向异质结和控制掺杂浓度。 2. 解决方案 本项目提出一种磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的简单制备方法，目前已完成高效太阳能电池验证和原型器件的制备，另还有可见光探测器等在研。 本方法是在磷化铟纳米柱制备过程中，利用刻蚀气体中加入氢气，可以同时实现了磷化铟纳米柱阵列和径向同质结的制备，通过控制刻蚀时间及氢气含量，精确控制磷化铟表面掺杂浓度及深度，相比于其他生长径向同质结的方法，本方法设备简单，制备效率高。在降低成本方面，纳米柱结构相比于平面结构具有更好的陷光效应，只需使用少量的材料便可以实现高效光吸收。 合作需求 本项目下一步发展需求主要集中在与太阳能电池相关企业的技术和产品合作，优化和固定产品制作工艺流程，降低生产成本。其次是资本投资、政府政策等方面的扶持。需要的外部资源主要是产业的工程化和市场资源。

一种具有微纳结构的α-Fe2O3光电极的制备方法，具体作法是：取不锈钢片和钛片，用砂纸抛光，清洗，将洗净的材料超声处理，取出备用；配制电镀液，以钛片做阴极，不锈钢片做阳极，采用稳压直流电源电镀时间分别3-5s，室温30℃，电镀完后将钛片取出，洗净，晾干，得纳米铁立方体，再将覆盖有纳米铁立方体的钛片至于马弗炉中焙烧，取出即得微纳结构的α-Fe2O3光电极。该方法设备简单，能耗低，适合大规模生产；同时用该法制备的所制得的微纳结构的α-Fe2O3呈球形，可以对光进行全方位的反射，同时微米球表面分布很多纳米带，可进一步增强电极的比表面积，作为光电极，其光的利用率高，电流密度大。

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。