产品详细介绍YZZ-10 直流电阻测试仪     仪器仪表 >> 电工及自动化仪表 >> 电阻测量仪   一．概述 本直流电阻测试仪采用单片机控制，大屏幕汉字液晶显示，具有打印输出功能（及232接口）。仪器八个档位均由软件校正，精度达万分之一。可自动换档。机器体积小、重量轻、耗电省、测试数据稳定可靠。是取代直流单、双臂电桥的高精度换代产品。是测量电力变压器等各种感性负载电阻及低压开关接触电阻、电线电缆或焊缝接口电阻的理想仪器。 二．工作原理 本仪器内有一个直流恒流源。在测量时，机器向被试品馈入恒流，该电流在被测体上产生相应的压降，这一电压值取回本机，经放大采样计算后得出电阻值。（R=U/I） 三．技术指标 1、使用条件： 环境温度：   -15℃～40℃ 相对温度：   ≤85％RH 2、测量范围：1K档：1---999.9Ω; 1Ω档：0.1 ---999.9mΩ 3、测量精度：0.2%±5个字 4、分辨率：  1μΩ 5、恒流源：  1A/5ma（2A/10ma） 6、可交流   （AC220V）工作也可直流工作 功耗：≤15W(25W) 7、外形尺寸：330×300×160mm 8、重量：    3.8kg 2KΩ  

7631耐压测试仪 –True RMS 量测线路 –可设定爬升时间 (0.1s-10s) –支持 Remote 远程控制信号 –7630 为 2 通道测试、7631 为 8 通道测试 –USB Host 可储存配置文件案及韧体的更新 –电弧侦测功能检测线圈是否有细微的放电现象 –提供 AC 耐压 5000V、DC 耐压 6000V、绝缘阻抗 12GΩ – 7631 可外接 7508/7516(8/16) 信道扩充扫描盒，满足车用线或 PCB车用测试   ‒高压输出安全开关，进行测试时需要将此端口进行短路机台才能输出测试电压 ‒测试运行中若该端口发生开路现象，机台会立即停止测试(停止输出电压) ‒机台画面同步会显示INTER LOCK ‒抗电强度 确保电子材料足以抵抗瞬间高电压的测试 例如：检测制程造成的漏电距离和电气间隙不足的瑕疵产品   ‒漏电流 预防产品发生故障或瑕疵所导致的危害，进行漏电流测试，如确保线材 绝缘层因制程破坏导致线材本身产生超出漏电流规范值的不良情况 ‒绝缘电阻 在某些安全规范下，会先要求做决元电阻，再进行耐压测试，主要检测产 品的绝缘特性是否符合标准范围，测试结果以电阻值Ω表示     关注微信公众号，看产品视频  

实验内容 1、了解 HALL 效应的基本原理； 2、测量 HALL 样品在恒定磁场条件下，霍尔工作电 流与霍尔电压的函数关系； 3、测量 HALL 样品在恒定霍尔工作电流条件下，霍 尔电压与外加磁场的关系； 4、测量变温情况下，温度与霍尔系数，载流子浓度 之间的关系； 5、通过实验得出在不同温度下样品的霍尔系数和载 流子浓度，计算禁带宽

本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途，薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器；薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。

本发明公开了一种多馈入交直流混合电力系统的电压稳定性评 估方法，基于计及并联电容器补偿的多馈入有效短路比，采用无功折 算因子描述交流系统中并联电容器补偿点对直流系统的电压影响程 度，并采用折算的方法获取交流系统中各补偿点接入的并联电容器对 直流系统的无功影响量，将系统中所有并联电容器补偿点对直流系统 的无功影响量累加，获取全系统并联补偿对直流系统电压稳定性的不 利影响；根据全系统无功影响量获取有效短路比，进一步获取计入并 联电容器补偿的影响，根据有效短路比评估电力系统的稳定性；相比 现有基于多馈入有

"本发明公开了一种基于附加交变电压的无气隙传感器电磁吸力悬浮控制方法，采用在悬浮电磁铁线圈闭环控制电压中掺杂具有一定特征的交变电压，施加在悬浮电磁铁线圈，在线圈中得到含有相同特征的分量的电流，根据输入掺杂的特征交变电压和线圈电流中具有相同特征的电流分量辨识出悬浮电磁铁线圈电感，通过电感得到悬浮电磁铁气隙，使用此气隙值进行闭环控制。由于不采用气隙传感器，可以大大简化系统，通过附加线圈得到的电感可以反映真实的悬浮气隙，本发明可以降低磁浮列车系统轨道精度要求，也不会由于气隙传感器的测量不准确导致系统控制不稳定，可以比较好的解决磁浮列车过轨缝、齿槽效应等问题，具有可靠性高、成本低，安全可靠等优点。 "

本发明公开了一种独立无刷双馈感应发电机无速度传感器直接 电压控制方法，将无刷双馈感应发电机的功率绕组 PW 电压矢量分解 为同步旋转坐标系中的 d 轴和 q 轴分量，调节控制绕组 CW 电流幅值 使 PW 电压的 d 轴分量收敛至 PW 电压的参考幅值，调节 CW 电流频 率使 PW 电压的 q 轴分量收敛至 0，当系统稳定时 PW 电压矢量与同 步旋转坐标系的 d 轴重合，于是同时实现了对 PW 电压幅值和频率的 控制。该控制方法省去了速度传感器，降低了发电系统的硬件成本， 提高了运行可靠性，并增

本发明公开了一种 2×2APD 像元块四通道选择电路，每个独立 的 APD 单元包括地址选择控制电路和四通道选择电路，地址选择控制 电路通过光检测产生的控制信号，与四通道选择电路开关相连，其中， 每个单元的控制信号与自身的通道 1 连接，并分别连到 2×2 像元块中 另外三个 APD 单元的通道 2、通道 3 和通道 4 上。每次光照，只有像 元块首地址输出控制信号有效，从而保证像元块电压依次从四个通道 输出

本发明公开了一种基于电压信号复合前馈的构网型VSG输出功率解耦方法，涉及电力电子控制技术领域，对构网型VSG功率同步控制的变流器输出电压信号复合前馈实现构网型变流器并网系统及实现变流器输出功率解耦的方法。包括构网型VSG功率控制模块、电网参数检测单元、线路阻抗观测器、虚拟阻抗压降前馈环路以及电压信号二次前馈环路。本发明的复合前馈控制策略结合虚拟阻抗和电压幅值与功角补偿，显著减弱了有功与无功功率的耦合作用，实现了高效解耦，适用于复杂电网环境。

现阶段所设计的存算一体器件单元结构如图 1 所示： 器件的基本结构由波导和功能层（由下到上分为加热层、电极层、保护层、相变材料（硫系化合物）层）所构成。拟通过在当前流行的绝缘层上硅(SOI)光子平台上集成四氮化三硅光波导的方式实现器件的光学读取功能，即在非常厚的硅衬底层上生长一层绝缘层二氧化硅和波导层，然后在基片上通过光刻、显影、刻蚀等工艺制备四氮化三硅波导。功能层主要用于实现器件的电学写入功能。加热器层的主要用途是与相变材料层形成电接触，通过较小的接触面积使接触处的热量集中，从而可以在较小的电压或电流下使相变材料发生相变。因此需要加热器层具备较好的导热和导电性能，同时在近 C 波段具有较低的光损耗，可采用石墨烯。电极层可用于提供相变材料器件单元所需要的编程电脉冲。当前拟采用硒掺杂的相变材料合金（如 GSST）作为器件的核心功能层的相变材料。该材料在通信/非通信波段显示了极低的光损耗和更高的品质因数，且相变前后在通信 C 波段具有足够大的光学常数反差，可在更恶劣的高温环境下进行操作，适用于硅基光子器件应用。 采用的主要技术手段包括： ① 依托于相变材料的电致和光致相变特性，通过电学编程、光学读取的方法实现器件的存储、算术运算和逻辑运算功能：  存储功能的实现：拟利用相变材料晶态低透过率和非晶态高透过率分别代表二进制中的‘1’和‘0’，实现数据存储（编程）功能。例如在电极两端施加合适的电脉冲，所产生电流流经加热层时，生成的热量主要集中在加热层和相变材料层接触处，使得接触处的相变材料发生相变，实现存储功能。在完成上述编程操作后，从器件波导输入端输入读取连续光。由于相变材料功能层对光强的吸收能力在编程和非编程区域间存在着显著的差异，因此当输入光经过波导后，其能量会因为相变材料编程区域的吸收而发生改变，进而显著改变输出光强能量。所以通过测量输入输出光强的能量之比（即透过率），可实现对先前编程区域的读取。  算术和逻辑功能的实现：通过调整编程电脉冲的幅度和宽度可以动态调控相变材料的相变程度，使得器件的中间透过率值可用于代表不同的数值，实现多级存储功能。所以拟采用输入脉冲数量对应加数的方法实现标量加法计算。同时由于所设计器件的读取连续光输出功率可视为读取连续光输入功率和器件透过率的乘积，因此可采用将输入功率和透过率作为被乘数和乘数的方法实现基本乘法运算。除此之外还可以将器件功能层的初始状态设置为非晶相，把晶化脉冲幅值和不足以产生晶化的脉冲幅值分别作为输入逻辑‘1’和‘0’；同时设定一个判定阈值并与编程后器件透过率的变化率进行对比，把高于和低于阈值的透过率变化率分别作为输出逻辑 ‘1’和‘0’；通过合理选择编程脉冲有望实现各种逻辑功能输出。 ② 基于器件透射率可调特性验证其实现神经突触的可行性。并依托所设计人工突触构建人工神经网络芯片，实现图像、语音和文本识别功能：  突触可塑性是大脑记忆和学习的神经生物学基础，也是人工类脑器件需要实现的首要功能。为实现突触可塑性，拟把相变材料和波导之间的耦合区域视为仿生神经突触，左右两端电极分别代表突触前和突触后，分别施加在两端电极上的电脉冲则作为突触前和突触后刺激。通过调节从左右两端电极输入耦合区域的电脉冲时间差对耦合区域的光透过率进行连续调控，进而依托于上述存算理论模型和实物器件仿真和实验实现仿生神经突触的脉冲时序依赖可塑性（Spike-Timing-Dependent-Plasticity, STDP)。  将不同波长的光脉冲序列输入所设计的突触单元, 经过相变材料的作用，脉冲强度发生变化，对应于乘法器。进而借助于微环结构，将不同波长的脉冲导入进同一波导中，该功能类似加法器。相加后的脉冲光强较小时，读取光与微环发生共振，在输出端口没有光强输出。当光强达到一定的阈值后，读取信号不再和微环发生共振，而是传播到输出端口。这一过程类似神经元脉冲信号的激发，实现了非线性激活函数的功能。利用上述的单个神经元结构，验证其监督式机器学习和非监督式机器学习。对于监督式机器学习，权重的数值通过外部管理器设置；对于非监督式机器学习，不再需要外部管理器来设置权重值，而是通过输出光脉冲进行反馈控制，调整权重值。在单个神经元结构的基础上，更复杂的光学脉冲神经网络结构，证明该结构的可扩展性。拟设计的神经网络中的每一层结构包括三个功能单元，即收集器、分发器和神经突触结构。收集器将上一层不同波长的光脉冲信号收集到同一根波导中，分发器将光脉冲分发给多个神经元，神经突触结构则产生光脉冲信号，输入给下一层结构。基于上述结构实现图片、语音和文本的识别。 创新性分析：①首次研究了一款基于“电学编程、光学读取”模式的光电混合存算一体化器件。与传统电学存算一体化器件相比,拟研发的器件可以进行长距离的信息传输，具有传输带宽高、信号间延迟低、损耗低、抗干扰、集成密度高等优点。②采用硒(Se)掺杂的相变材料作为存算一体化器件的核心功能材料。与采用其他相变材料的存算一体器件相比，以硒参杂的相变材料作为功能材料的存算一体器件有望展现出极低的光损耗。③提出了一种基于“电学脉冲刺激、光学权重调节”的人工神经突触。该突触器件有望成为未来通用型人工神经突触，填补了光电混合型人工突触的技术空白。 先进性分析：①所提出的光电混合工作模式使得该存算一体化器件不但具有传统集成电路的高密度特性，且兼具光通信技术的宽频带、低延迟、抗干扰的优越性能。②所采用硒参杂的相变材料不但继承了传统材料具有的快速相变转化速度、低功耗和稳定性强等特性，且本身在通信波段非晶态透明的同时还保持了相变前后足够大的光学性能差异的特点。③所设计的突触继承了人工电子突触和全光突触的优点，具有高集成度、低功耗、超快响应时间、稳定性强等优点。 独占性分析：根据已取得成果正在撰写专利，以获得该关键技术的独有权。