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微仪光电(天津)有限公司
微仪光电(天津)有限公司 2022-05-24
创维光电科技(深圳)有限公司
创维光电科技(深圳)有限公司 2022-11-01
光电感烟探测器
产品详细介绍  ExodusOH是一款采用光学与热源多功能结合的烟感探测器,通过热源后增强处理,数字式漂移补偿功能与先进的微处理技术相结合,对快燃性火警具有超强探测灵敏度。同时,精致的光学室具有超强的抗误报能力。适用于:住宅区、办公商务场所或容易发生火警的场所。
北京赢科迅捷科技发展有限公司 2021-08-23
臭氧老化测试
产品详细介绍北京雅士林拥有多年专业制造臭氧老化试验箱的经验;除了臭氧老化试验箱,公司还生产臭氧老化试验箱,臭氧试验箱,臭氧老化试验机,臭氧检测试验机,臭氧老化实验箱,橡胶老化龟裂测试箱,静态拉升臭氧老化箱等雅士林品牌臭氧老化试验箱技术资料请参阅:臭氧老化试验箱适用于非金属材料和橡胶制品的老化龟裂试验。 臭氧老化试验箱参照标准:GB/T7762-2003 硫化橡胶或热塑性橡胶 耐臭氧龟裂 静态拉伸试验方法,B/T2951.21-2008电缆绝缘和护套材料通用试验方法,以及其它相关标准规定的试验方法。一、臭氧老化试验箱规格与技术参数:型号 QL-010工作室尺寸D×W×H 1000×1000×1000mm外型尺寸D×W×H 1600×1420×2170mm总 功 率:11.5KW温度范围:25℃~65℃(可调)温度均匀度:±2℃   (空载)温度波动度:±0.5℃ (空载)温度偏差:±2℃湿度范围:30%~65% RH湿度偏差:+2、-3% RH升温速率:0.7-1.0℃/min时间设定范围:1~9999 小时臭氧浓度:50~500pphm气体流速:8~16mm/S样架转速:1转/min(可调)夹具伸长率:5%~45%二、臭氧老化试验箱结构设计简介:本臭氧老化试验设备选用优质材料,使用国内目前最先进的加工设备加工成型,外壳表面进行喷塑处理,美观,平整。颜色搭配协调,线条流畅。内胆选用进口优质镜面不锈钢板制作。室内的样品架,夹具和导管等附件都采用不易被臭氧分解,和影响臭氧浓度的不锈钢等材料制成。样品架可以360度旋转;加热系统采用远红外镍合金高速加温电热丝;制冷系统采用压缩机:全封闭法国泰康1套;制冷方式:风冷干燥过滤器、冷媒流量视窗、修理阀、油分离器、电磁阀、贮液筒均采用进口原装件。三、臭氧老化试验箱控制系统:采用“台湾威伦”5.7寸彩色触摸屏及“德国西门子”PLC模块控制,全自动式手写设定,直观的操作界面,整体美观大方,操作方便简捷;精    度:0.1℃(显示范围);感温传感器:PT100铂金电阻测温体;控制方式:热平衡调温调湿方式;具有历史记忆功能(可查询7天以内的历史试验记录);具有自动演算的功能,可将温湿度变化条件立即修正,使温湿度控制更为精确稳定;具有程式25段、每段可循环1000步骤的容量,每段时间设定最大值为99小时59分;资料及试验条件输入后,控制器具有荧屏锁定功能,避免人为触摸而停机。四、臭氧老化试验箱加湿、除湿系统:内置式锅炉蒸汽式加湿器;具有水位自动补偿、缺水报警系统;远红外不锈钢高速加温电热管;湿度控制均采用P.I.D+S.S.R,系统协调控制;除湿系统:采用蒸发器盘管露点温度层流接触除湿方式。五、臭氧试验箱保护系统:整体设备超温整体设备欠相/逆相整体设备过载/定时制冷机组超压其它还有漏电、运行指示,故障报警后自动停机等保护六、臭氧试验箱使用条件:1、安装场地地面平整,通风良好设备周围无强烈振动设备周围无强电磁场影响设备周围无易燃、易爆、腐蚀性物质和粉尘设备周围留有适当的使用及维护空间,2、供电条件电源要求:AC380V±10%  50±0.5Hz  三相五线制预装功率:总功率+2.0KW要求用户在安装现场为设备配置相应容量的空气或动力开关,并且此开关必须是独立供本设备使用(建议电源开关容量:32A)3、环境条件环境温度:5℃~+30℃(24小时内平均温度≤30℃)环境湿度:≤85%RH4、供水条件(仅限湿热型及需要用水设备)采用纯净水、蒸馏水、去离子水。电阻率≥500Ω.m5、其它注意事项试验过程中打开试验箱的门,会造成箱内的温、湿度波动;在试验过程中如果多次打开门或长时间敞开门或试验样品散发湿汽,可能会造成制冷系统换热器结冰而无法正常工作臭氧试验箱售后服务1、安装调试:我司负责免费送货至客户指在地点, 并派专业技术人员免费安装调试,培训2~5名操作员到会操作为止。2、阳光售后服务承诺:公司产品均保修一年,终身维护。若产品出现问题,在接到报修电话15分钟响应,48小时内由我司专业维修人员上门处理。滴水试验装置产品咨询联系方式:公司名称:北京雅士林试验设备有限公司地址:北京市大兴经济开发区金辅路2号(102600)电话号码:010-68176855  68178477  68178583 (总机)          010-68173596  88264566  68217855 (直线)  传真号码:010-68174779联系人(臭氧试验箱产品销售专员):何正雄13522520906 刘  伟13522520626许志茹13521998843崔苗苗15011138949更多详细产品信息请浏览北京雅士林官方网站:http://www.bjyashilin.com北京雅士林试验设备有限公司由多名具有国际知名环试企业工作经历的海归博士组建,技术创新和新产品开发源于客户需求及密切关注行业发展的最新动态,并与中国科学院、中国航天、清华大学、北京大学等科研机构紧密合作.北京雅士林试验设备有限公司是环境与可靠性试验设备的专业制造厂商,具有丰富的环试行业经验,拥有先进的设计、制造、销售管理平台及完善的售后服务体系,是中国环境试验设备领域的知名企业之一。典型客户群:中国科学院,中国航天系统,北京大学,清华大学,ABB,现代汽车,摩托罗托,中国计量院、武警装备研究院、公安部第一研究所等
北京雅士林试验设备有限公司 2021-08-23
一种冲击电压发生器充电开关
研发阶段/n本发明涉及一种冲击电压发生器充电开关,是一种高压多级联动开关系统;每级开关包括开关旋转单元、绝缘杆、电极组件B、电极组件A、电极杆、紧固螺钉和设备法兰;每级开关之间通过各级绝缘杆连接,各级绝缘杆连成一整根刚性推动杆;绝缘杆的一端穿过下方的导向块,与液压缸动力装置由绝缘杆接头刚性连接,而液压动力装置的另一端连接控制装置。冲击电压发生器充电时,充电开关闭合,对回路主电容充电,放电时,充电开关断开,有效的去除了充电电阻在放电过程中的不利影响,使得冲击电压发生器在获得长波前操作波的同时提高了输出
湖北工业大学 2021-01-12
集成低电压电泳生化分析系统芯片
深入了研究低电压芯片电泳的理论原理和控制方法,开展了低电压电泳分离检测相关基础理论与关键加工技术的研究。通过芯片微流道中流体的电场和流场等的模拟分析,对低电压电泳芯片进行了结构设计,提出集成非接触高频电导检测器的硅基低电压电泳芯片和玻璃基低电压电泳芯片的新结构;突破了SOI硅基芯片侧壁微电极阵列及其与高频非接触电导检测器一体化三维集成等关键加工技术,研发出基于SOI的集成低电压电泳芯片和集成光学滤色薄膜的玻璃基低电压电泳芯片的两套加工工艺;成功研制出柱端集成非接触高频电导检测器的两种低电压电泳芯片
重庆大学 2021-04-14
一种井下仪器高电压大电流接口
本发明公开了一种井下仪器高电压大电流接口,包括第一外壳, 第二外壳,耐油橡胶密封圈,第一绝缘件,第二绝缘件,上导电杆, 压簧筒,压簧,下导电杆;上导电杆、压簧筒、压簧、下导电杆与所 述第一外壳、第二外壳形成同轴圆柱形电场结构,高压端通过上导电 杆、压簧和压簧筒底部压接,并与下导电杆联接;调整上导电杆的高 度可调整压簧的压紧程度,保证电气的可靠流通;第一外壳和第二外 壳通过螺纹完成机械和电气连接;上导电杆,压簧筒,压簧和下导电 杆处于第一绝缘件和第二绝缘件中心,第一外壳和第二外壳位于上端 绝缘件和第二
华中科技大学 2021-04-14
雷电流测试关键技术及系列测试设备
本项目在西安交通大学电力电子专用设备研究所成功转化,本项目围绕雷电效应测试所涉及的高性能开关、控制、测量及设备集成等关键技术进行研究,开发了 30 余种雷电效应系类测试设备,其核心器件及设备的性能指标达到国际领先水平,解决了是电力输配电、航空航天器等的雷电流测试与防护难题,在国家检测中心、电网公司、华为、中国商飞公司等 200 余家科研院所和企业推广应用,并出口美国、瑞典、泰国等地,产生了显著的经济和社会效益,提高了我国雷电效应测试设备的国际竞争力,促进电力输配电、电子与通信、航空航天领域的发展,并带动其它相关行业的技术进步。
西安交通大学 2021-04-11
液压阻尼器测试技术及测试装备
(请详细介绍成果的技术先进性、成熟度、知识产权情况、预期效益及希望合作的企业类型等。简介请图文并茂,字数1000字以内。) 液压阻尼器主要用途是抗震、减震,吸收冲击,消耗能量,广泛应用于管道减震(核电、火电、化工、钢铁),重点设备的减震(核电机组),建筑和桥梁的抗震与减震,军事设备的抗震与减震(火炮、导弹发射、军舰、航母舰载机着舰拦阻)等,具有良好的应用前景。液压阻尼器技术包括液压阻尼器产品技术及液压阻尼器测试技术两个方面,其中液压阻尼器测试技术在整个液压阻尼器技术中的技术比重达到
河海大学 2021-04-14
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺,包括步骤:1)在洁净硅片上热生长一层 SiO<sub>2</sub>薄膜、2)在有 SiO<sub>2</sub>层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO<sub>2</sub>,将光刻的图形转移到 SiO<sub>2</sub>层、4)镀Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微
华中科技大学 2021-04-14
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