本发明公开了一种闪存器件的软信息提取方法，包括离线训练 与在线运行两部分，在离线状态下，对目标闪存器件进行先验性实验， 实验测试内容包括对闪存器件内部物理块的存储单元进行大量重复的 擦除、写入以及读出操作，从而记录闪存器件在其测试周期内的外部 特征量；然后进行数据集训练，建立闪存内部存储单元物理状态与外 部特征量之间的关联；在线运行状态下，对正在在线运行的闪存物理 状态进行识别，并预估错误率，并计算软信息。本发明所提出的方法 不仅不依赖于闪存内部的特殊命令，而且可以方便地集成进自主闪存 控制器中，与

AlGaN/GaN HMET射频器件有一原生的电子信道，为一常开器件，不利于射频功率放大器电路设计与安全性。如果器件能够实现常关特性，则射频功率放大器电路可因此简化。然而，目前常见实现器件常关特性工艺需要对半导体层进行刻蚀，而刻蚀工艺会对器件引入缺陷，降低器件特性，因此市面上的常关型AlGaN/GaN HMET射频器件非常少见。

本成果通过技术鉴定，获得省、市、部科技进步奖及专利；大规模应用于广州地铁、铁路中弹条螺旋道钉挡板等工务配件操作中，可提高工务配件防腐蚀性能与疲劳性能；大幅度延长使用寿命减少维修成本。

基片集成类导波结构是近十几年来微波毫米波学界发展起来的一种新型高性能平面集成导波结构，它具有极低的电磁泄露和互扰，其品质因数和功率容量远高于传统平面传输线，国内外数百所大学和研究机构开展了大量研究，使之成为微波毫米波领域最受关注的研究分支之一。 学科洪伟教授课题组是国际上这一学术分支的主要倡导者和贡献者之一，在IEEE系列刊物上发表学术论文120余篇，在美、英、德、日、韩、波、葡等国家召开的国际会议上作大会报告、特邀报告20余次，论文被40多个国家的学者正面他引5000余次，获授权国家发明专利50余项。 该研究成果在国内外都产生了比较大的影响，获2016年度国家自然科学二等奖。

本发明属于光电器件制备技术领域，具体为一种铌酸锂材料的刻蚀方法。本发明方法包括：在铌酸锂表面制备金属钝化层，用来提高纳米图形的保形性以及侧壁刻蚀倾斜角；沉积硬掩膜，并采用微电子光刻技术进行图形化处理；在待刻蚀的铌酸锂区域沉积活性金属薄膜，以提高刻蚀深度；将覆盖有活性金属层的铌酸锂晶体在还原气氛中进行退火；然后采用相应的酸溶液和碱溶液去掉铌酸锂表面的金属及其与铌酸锂的反应物，得到具有一定刻蚀深度的铌酸锂纳米图形。所制备的大规模铌酸锂纳米器件阵列尺寸可控，保形性和重复性好，侧壁倾斜角大于80°，图形凸块表面光滑。铌酸锂纳米器件制备步骤简单，难度低，可降低大规模生产成本。

成果描述：本实用新型公开了一种基于光电计数感应装置的新型硬币包装机,包括转盘轴、转盘、盖子、硬币收集桶、连接漏斗、传动装置、PLC控制器和异步电机,转盘和盖子固定安装在转盘轴上,多个硬币收集桶安装在转盘和盖子之间,盖子上开有与硬币收集桶对齐的通孔,连接漏斗位于盖子上方,且连接漏斗、通孔和硬币收集桶同心设置,所述连接漏斗底部安装有光电计数器,转盘轴和异步电机通过传动装置连接,光电计数器和异步电机分别与PLC控制器连接。本实用新型通过光电计数器计量硬币的数量,具有计量精确、抗振动能力强、体积小、成本低等优点。市场前景分析：本实用新型通过光电计数器计量硬币的数量,具有计量精确、抗振动能力强、体积小、成本低等优点。与同类成果相比的优势分析：国内领先

提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。

光梓科技是一家专业从事高速低功耗模拟光电子集成电路芯片的研发、生产和销售的高新技术企业。项目优势：1）高速低功耗模拟IC芯片在光模块的应用中有较大的成长空间且处于快速发展的阶段。2）公司拥有自己独特的多项专利技术，公司研发的CMOS全兼容高速低功耗光电子集成电路芯片目前处在全球领先水平，技术和产品的壁垒都很高。 3）与多个重量级客户已建立深度沟通与合作机制，未来3年光梓科技的业绩确定性较高，且每年保持高增速是大概率事件。4）国际化的团队。创始人史方博士和姜培教授长期在光电子集成电路领域耕耘多年，分别是成功企业家和技术领域内的国际级专家。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接！

本发明公开了一种旋转式深海插拔光电复合连接器，包括适配的插头和插座，插头包括插头壳体、插头弹性囊体、插头腹板、插头尾板、若干插头光电插芯；插座包括插座壳体、插座弹性囊体、插座腹板、插座尾板、若干插座光电插芯、移动腔体；该连接器还设有能够挡住/让出插座光电插芯和插头光电插芯配合通道的旋转机构，插头前端和插座前端之间设有锁紧机构。本发明的连接器可以满足各个深度的作业环境，密封可靠、操作简单、插拔力小。

本实用新型公开了一种用于建筑领域的光电复合缆,涉及电缆技术领域，本实用新型包括多条缆线组和多条光纤线组，多条缆线组和多条光纤线组外依次包裹着内护套层、防潮层、屏蔽层、耐火层、铠装层和外护套，内护套层内多条缆线组和多条光纤线组之间设置有多条阻水线和一条加强芯，内护套层内的空隙处填充有阻水膏，每条缆线组包括内置的两条缆芯线和包裹在缆芯线外的松套管，缆芯线包括导体和挤包在导体外的绝缘层，每条光纤线组均包括光纤和包裹光纤的光纤护套，光纤护套内的空隙处填充有光纤膏；与普通光电复合缆相比本实用新型结构简单、屏蔽效果好、防火性能强及防潮的优点。