产品详细介绍 广州/威海爱普尔电子有限公司作为投影机专业售后维修及原装灯泡供应商，几年来一直致力东芝、索尼、三洋、飞利浦、爱其、日立、爱普生、松下、富可视、夏普、ASK、三菱等世界知名品牌投影机及其原装配件在大陆市场的推广工作，并相继成为这些知名品牌在大陆的特约维修中心。客户遍及全国二十多个省市，涵盖各级经销商及政府部门、学校、军队等一系列企事业单位。      公司技术力量雄厚，在同行居于领先地位，拥有一批经验丰富、维修能力出色的高级工程师和技术人员，可维修各种品牌不同型号的投影机，至今已成功修复上万台投影机，并取的客户一致认同和满意。公司坚持以技术为先导，以市场为依托，以顾客满意为最终目的，为用户提供优良的服务、优质的产品质量、优秀的技术保障。     公司秉承诚信至上，服务到家的服务宗旨，以顾客满意为公司理念，为用户提供高品质的产品和贴身服务视为公司的使命，追求多方位合作，共同发展为目标，愿和各界朋友一同实现双赢！ 广 州 地 址： 广州市天河区龙口中路天逸大厦1112室  联 系 方 式： 联系人：崔秀源经理 电话:020-22381181 E-Mail：na6036@hotmail.com   威 海 地 址： 威海市环翠区环球广场80-C座505室  联 系 方 式： 联系人:洪经理  电话:0631-5684310 E-Mail：aplushong@hotmail.com QQ:289485987 

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 24053型电子束演示器采用JG-4充气型静电偏转阴极射线演示管（简称电子束管）。当管子各电极加上工作电压之后，自阴极射出的具有一定能量的电子束，使管内的惰性气体电离发光，形成细而明亮的光束，显示了电子束的径迹，该仪器的一侧装有小黑板，可不用暗室进行教学演示实验，本仪器的主要用途为：①演示加速后的电子，在没有外来电场或磁场的作用时，按直线运动。②观察电子束在电场力的作用下发生的偏转。③观察电子束在磁场中所受的洛仑兹力。④说明热电子发射现象等。该仪器还具有价格低廉，体积小，重量轻，使用方便，安全可靠等优点。

XM-S5高级电子手臂静脉穿刺训练模型   XM-S5高级电子手臂静脉穿刺训练模型由高分子材料制成，肤质仿真度高，皮肤纹理清晰，具有电子报警装置，操作者可根据刺入、刺偏、刺穿三种状态的指示灯提示，随时调整进针的角度、位置和用力大小。   一、功能特点： ■ 具有电子报警装置，可进行手部的穿刺训练。 ■ 穿刺正确时，绿色指示灯亮。 ■ 针头刺偏血管时，黄色指示灯亮。 ■ 针头刺穿血管时，红色指示灯亮。 ■ 操作者可根据刺入、刺偏、刺穿三种状态的指示灯提示，随时调整入针的角度、位置和用力大小。   二、标准配置： ■ 高级电子手臂静脉穿刺训练模：1条 ■ 电子控制器：1个 ■ 电源适配器：1个 ■ 注射器：1支 ■ 说明书：1册 ■ 保修卡合格证：1张

XM-DJS电子深部打结模型   主要功能： 1、模型由透明有机玻璃材料制成，便于训练者观察以及评估操作能力，设计独特，三种不同型号圆柱构成多种打结空间。 2、采用独特的磁力系统模拟不同大小的组织拉力，拉力过大可引起报警。 3、特殊的凹槽设置，安装容易，拆卸方便。 4、可练习的打结方法：单手打结法，双手打结法，器械打结法。 5、可练习的打结种类：单结、方结、三重结或多重结、外科结以及辨认假结，滑结。 6、可模拟多种打结环境：外科结小切口打结，腹腔、盆腔深部打结，大切口深部有角度打结等。 7、可进行剪线，血管的钳夹、切断和节扎训练。

XM-S5高级电子手臂静脉穿刺训练模型   XM-S5高级电子手臂静脉穿刺训练模型由高分子材料制成，肤质仿真度高，皮肤纹理清晰，具有电子报警装置，操作者可根据刺入、刺偏、刺穿三种状态的指示灯提示，随时调整进针的角度、位置和用力大小。   一、功能特点： ■ 具有电子报警装置，可进行手部的穿刺训练。 ■ 穿刺正确时，绿色指示灯亮。 ■ 针头刺偏血管时，黄色指示灯亮。 ■ 针头刺穿血管时，红色指示灯亮。 ■ 操作者可根据刺入、刺偏、刺穿三种状态的指示灯提示，随时调整入针的角度、位置和用力大小。   二、标准配置： ■ 高级电子手臂静脉穿刺训练模：1条 ■ 电子控制器：1个 ■ 电源适配器：1个 ■ 注射器：1支 ■ 说明书：1册 ■ 保修卡合格证：1张

现阶段所设计的存算一体器件单元结构如图 1 所示： 器件的基本结构由波导和功能层（由下到上分为加热层、电极层、保护层、相变材料（硫系化合物）层）所构成。拟通过在当前流行的绝缘层上硅(SOI)光子平台上集成四氮化三硅光波导的方式实现器件的光学读取功能，即在非常厚的硅衬底层上生长一层绝缘层二氧化硅和波导层，然后在基片上通过光刻、显影、刻蚀等工艺制备四氮化三硅波导。功能层主要用于实现器件的电学写入功能。加热器层的主要用途是与相变材料层形成电接触，通过较小的接触面积使接触处的热量集中，从而可以在较小的电压或电流下使相变材料发生相变。因此需要加热器层具备较好的导热和导电性能，同时在近 C 波段具有较低的光损耗，可采用石墨烯。电极层可用于提供相变材料器件单元所需要的编程电脉冲。当前拟采用硒掺杂的相变材料合金（如 GSST）作为器件的核心功能层的相变材料。该材料在通信/非通信波段显示了极低的光损耗和更高的品质因数，且相变前后在通信 C 波段具有足够大的光学常数反差，可在更恶劣的高温环境下进行操作，适用于硅基光子器件应用。 采用的主要技术手段包括： ① 依托于相变材料的电致和光致相变特性，通过电学编程、光学读取的方法实现器件的存储、算术运算和逻辑运算功能：  存储功能的实现：拟利用相变材料晶态低透过率和非晶态高透过率分别代表二进制中的‘1’和‘0’，实现数据存储（编程）功能。例如在电极两端施加合适的电脉冲，所产生电流流经加热层时，生成的热量主要集中在加热层和相变材料层接触处，使得接触处的相变材料发生相变，实现存储功能。在完成上述编程操作后，从器件波导输入端输入读取连续光。由于相变材料功能层对光强的吸收能力在编程和非编程区域间存在着显著的差异，因此当输入光经过波导后，其能量会因为相变材料编程区域的吸收而发生改变，进而显著改变输出光强能量。所以通过测量输入输出光强的能量之比（即透过率），可实现对先前编程区域的读取。  算术和逻辑功能的实现：通过调整编程电脉冲的幅度和宽度可以动态调控相变材料的相变程度，使得器件的中间透过率值可用于代表不同的数值，实现多级存储功能。所以拟采用输入脉冲数量对应加数的方法实现标量加法计算。同时由于所设计器件的读取连续光输出功率可视为读取连续光输入功率和器件透过率的乘积，因此可采用将输入功率和透过率作为被乘数和乘数的方法实现基本乘法运算。除此之外还可以将器件功能层的初始状态设置为非晶相，把晶化脉冲幅值和不足以产生晶化的脉冲幅值分别作为输入逻辑‘1’和‘0’；同时设定一个判定阈值并与编程后器件透过率的变化率进行对比，把高于和低于阈值的透过率变化率分别作为输出逻辑 ‘1’和‘0’；通过合理选择编程脉冲有望实现各种逻辑功能输出。 ② 基于器件透射率可调特性验证其实现神经突触的可行性。并依托所设计人工突触构建人工神经网络芯片，实现图像、语音和文本识别功能：  突触可塑性是大脑记忆和学习的神经生物学基础，也是人工类脑器件需要实现的首要功能。为实现突触可塑性，拟把相变材料和波导之间的耦合区域视为仿生神经突触，左右两端电极分别代表突触前和突触后，分别施加在两端电极上的电脉冲则作为突触前和突触后刺激。通过调节从左右两端电极输入耦合区域的电脉冲时间差对耦合区域的光透过率进行连续调控，进而依托于上述存算理论模型和实物器件仿真和实验实现仿生神经突触的脉冲时序依赖可塑性（Spike-Timing-Dependent-Plasticity, STDP)。  将不同波长的光脉冲序列输入所设计的突触单元, 经过相变材料的作用，脉冲强度发生变化，对应于乘法器。进而借助于微环结构，将不同波长的脉冲导入进同一波导中，该功能类似加法器。相加后的脉冲光强较小时，读取光与微环发生共振，在输出端口没有光强输出。当光强达到一定的阈值后，读取信号不再和微环发生共振，而是传播到输出端口。这一过程类似神经元脉冲信号的激发，实现了非线性激活函数的功能。利用上述的单个神经元结构，验证其监督式机器学习和非监督式机器学习。对于监督式机器学习，权重的数值通过外部管理器设置；对于非监督式机器学习，不再需要外部管理器来设置权重值，而是通过输出光脉冲进行反馈控制，调整权重值。在单个神经元结构的基础上，更复杂的光学脉冲神经网络结构，证明该结构的可扩展性。拟设计的神经网络中的每一层结构包括三个功能单元，即收集器、分发器和神经突触结构。收集器将上一层不同波长的光脉冲信号收集到同一根波导中，分发器将光脉冲分发给多个神经元，神经突触结构则产生光脉冲信号，输入给下一层结构。基于上述结构实现图片、语音和文本的识别。 创新性分析：①首次研究了一款基于“电学编程、光学读取”模式的光电混合存算一体化器件。与传统电学存算一体化器件相比,拟研发的器件可以进行长距离的信息传输，具有传输带宽高、信号间延迟低、损耗低、抗干扰、集成密度高等优点。②采用硒(Se)掺杂的相变材料作为存算一体化器件的核心功能材料。与采用其他相变材料的存算一体器件相比，以硒参杂的相变材料作为功能材料的存算一体器件有望展现出极低的光损耗。③提出了一种基于“电学脉冲刺激、光学权重调节”的人工神经突触。该突触器件有望成为未来通用型人工神经突触，填补了光电混合型人工突触的技术空白。 先进性分析：①所提出的光电混合工作模式使得该存算一体化器件不但具有传统集成电路的高密度特性，且兼具光通信技术的宽频带、低延迟、抗干扰的优越性能。②所采用硒参杂的相变材料不但继承了传统材料具有的快速相变转化速度、低功耗和稳定性强等特性，且本身在通信波段非晶态透明的同时还保持了相变前后足够大的光学性能差异的特点。③所设计的突触继承了人工电子突触和全光突触的优点，具有高集成度、低功耗、超快响应时间、稳定性强等优点。 独占性分析：根据已取得成果正在撰写专利，以获得该关键技术的独有权。 

1. 痛点问题 目前硅基太阳能电池占据着太阳能电池的主导地位，其中单晶硅电池转换效率已可以达到25%左右，但它们需要比较多的单晶硅材料，生产成本高。而对于多晶硅，由于缺陷较多，转换效率比较低。III-V族材料转换效率高，但是材料和生产成本居高不下，难以推广使用。虽然可以利用纳米柱阵列来提高光吸收能力及减少材料成本，但是由于纳米柱结构具有很大的表面积，载流子较大的表面复合严重影响着器件的性能，而且需要昂贵的设备生长径向异质结和控制掺杂浓度。 2. 解决方案 本项目提出一种磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的简单制备方法，目前已完成高效太阳能电池验证和原型器件的制备，另还有可见光探测器等在研。 本方法是在磷化铟纳米柱制备过程中，利用刻蚀气体中加入氢气，可以同时实现了磷化铟纳米柱阵列和径向同质结的制备，通过控制刻蚀时间及氢气含量，精确控制磷化铟表面掺杂浓度及深度，相比于其他生长径向同质结的方法，本方法设备简单，制备效率高。在降低成本方面，纳米柱结构相比于平面结构具有更好的陷光效应，只需使用少量的材料便可以实现高效光吸收。 合作需求 本项目下一步发展需求主要集中在与太阳能电池相关企业的技术和产品合作，优化和固定产品制作工艺流程，降低生产成本。其次是资本投资、政府政策等方面的扶持。需要的外部资源主要是产业的工程化和市场资源。