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一种检测TNF-α的光电免疫传感器及其制备方法和应用
本发明公开了一种检测TNF?α的光电免疫传感器及其制备方法和应用,光基底电极表面依次经GO?PTC?NH2溶液、anti?TNF?α溶液修饰,所述基底电极为玻碳电极或氧化铟锡半导体电极。本发明利用GO?PTC?NH2纳米复合物制备光电免疫生物传感器用于肿瘤标志物检测的方法,与传统的酶联免疫吸附以及PCR等方法相比具有操作简便、技术要求低、反应迅速的特点,所使用的光电探针摒弃了传统金属材料等的光腐蚀等弊端,稳定性较好且负载量大,功能化基团多,便于修饰。
东南大学 2021-04-11
一种两性分子改性的钙钛矿光电功能材料及其应用
本发明公开了一种有机两性分子改性的 MzAyBXz+y+2 钙钛矿 基光电功能材料,其特征在于,该功能材料是以 ABX3 钙钛矿材料为 基 体 , 以 有 机 两 性 分 子 M 为 改 性 成 分 , 其 化 学 通 式 表 示 为 MzAyBXz+y+2。本发明还公开了所述光电功能材料的制备方法及其应 用。本发明所用的基体材料与改性材料成本低廉,原料丰富;此外, 制备方法可采用全溶液法,制备工艺简单,无需昂贵的设备仪器,同
华中科技大学 2021-04-14
一种基于二氧化锡纳米颗粒的光电逻辑门及其制备方法
本发明公开了一种基于二氧化锡纳米颗粒的光电逻辑门及其制备方法,该光电逻辑门包括相互配合使用的第一正光电导器件和第一负光电导器件,用于接收第一光信号;第一正光电导器件采用二氧化锡纳米颗粒;第一负光电导器件采用二氧化锡/碳纳米管复合材料;第一正光电导器件和第一负光电导器件均具有供能电极和输出电极;第一正光电导器件的输出电极与第一负光电导器件的输出电极相连,作为输出逻辑运算结果的端口用于输出逻辑运算结果,该逻辑运算结果受第一光信号影响。本发明利用二氧化锡/碳纳米管复合材料的负光电导效应,提高了负光电导器件
华中科技大学 2021-04-14
一种氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器的制备方法
本发明公开了一种基于氧化锌纳米线阵列的紫外光电探测器,属于光电子器件领域。本发明利用化学气相沉积技术,通过调节双温区管式炉装中真空压力等实验参数,在氮化镓衬底上实现氧化锌纳米线阵列的均匀可控生长,然后利用透明导电玻璃直接贴压法,得到对365nm 紫外光具有毫秒量级的快速响应和恢复时间的紫外光电探测器。本方法工艺简单,材料成本低廉,在快速紫外光电传感器和短长光电器件领域有广泛的运用前景。
华中科技大学 2021-04-14
一种海洋混凝土结构用高强耐蚀铁素体/贝氏体双相钢筋及其制备方法
本发明涉及一种海洋混凝土结构用高强耐蚀铁素体/贝氏体双相钢筋及其制备方法,钢筋具有铁素体/贝氏体双相显微组织,其中贝氏体所占比例为50%?60%,钢筋的化学成分重量百分比含量为:C:0.015%~0.020%,Si:0.45%~0.55%,Mn:1.1%~1.5%,Cr:10.5%~11.2%,Ni:1.0%~1.5%,Mo:0.8%~0.95%,V:0.03%~0.06%。本发明通过多元素复合合金化设计,结合钢筋成型中的控轧控冷,获得的钢筋具有高强韧的铁素体/贝氏体双相组织,同时具有优异的耐海洋氯离子侵蚀的高耐蚀性,可在严酷海洋侵蚀环境的混凝土结构中实现长寿命服役。
东南大学 2021-04-11
一种超支化聚三唑功能化的石墨烯及其制备方法
一种超支化聚三唑功能化的石墨烯及其制备方法,其中,该超支化聚三唑功能化的石墨烯是将芳香基团修饰的超支化聚三唑修饰到石墨烯表面形成的;所述芳香基团修饰的超支化聚三唑是在超支化聚三唑末端接枝上芳香基团形成的。
华中科技大学 2021-04-10
一种超支化聚三唑功能化的石墨烯及其制备方法
本发明公开了一种超支化聚三唑功能化的石墨烯及其制备方法, 其中,该超支化聚三唑功能化的石墨烯是将芳香基团修饰的超支化聚 三唑修饰到石墨烯表面形成的;所述芳香基团修饰的超支化聚三唑是 在超支化聚三唑末端接枝上芳香基团形成的。本发明通过点击化学反 应制备出末端接枝上芳香基团的超支化聚三唑,然后将其以非共价键 法修饰到石墨烯的表面,使超支化聚三唑功能化的石墨烯具有良好的 分散性和反应能力;所得石墨烯具有良好的分散性和反应能
华中科技大学 2021-01-12
铜材复杂器件耐腐蚀耐磨材料的研究
在海洋环境、酸雨污染、高温高湿等的环境条件下,紫铜、黄铜及其合金的加工器件在中间工序存放和使用过程中会造成点蚀,进而扩展为大面积腐蚀,而作为连接部件会加剧缝隙腐蚀引发应力腐蚀断裂。该项目成功研制了耐腐蚀耐磨防腐蚀环保涂料,大大延长铜类尤其是紫铜的自然存放期,对铜器件生产和运输过程中起到了很好的保护作用;由于耐蚀性优异,也可作为长期防护涂层。该技术获得的涂层在厚度为5μ条件下测试相关主要技术指标如下:   外观    无色透明   可保留铜的金属光泽;可调整任意颜色   粘度    25秒      《涂料粘度测定法》(涂-4杯)(GB/T 1723-1993)    附着力  0级      《色漆和清漆漆膜的划格试验》(GB/T9286-1998)    耐盐雾   200h       《色漆和清漆耐中性盐雾的测定》(GB/T1771-1991)   耐冲击  50Kg·cm   《漆膜耐冲击测定法》GB/T1732-1993   耐磨擦  0.005千克 《漆膜耐磨性测定法》(GB/T1768-1989)   硬度    4H        《涂膜硬度铅笔测定法》(GB/T6739-1996)   相容性  与弹药相容 《真空安定性试验-压力传感器法》(GJB772A-97 501.2) 该技术适合喷涂、刷涂、辊涂等工艺,不含任何有害稀释剂,为环保产品。该产品用量少、性能和使用工艺优于防锈油;其另一特色在于必要时很容易去除,比防锈油的去除要容易的多。
北京科技大学 2021-04-11
用于瓦斯气体室温探测的传感材料与器件
本项目将提供一款高品质的非晶 ZnTiSnO 微型半导体气体传感器,为一种具有纳米材料特征的薄膜型气体传感器,用于可燃性气体(特别是乙醇)的检测。该半导体气体传感器具有下述优点:灵敏度高、选择性好、响应快、稳定性好、抗干扰性强、可室温工作、易于微型化、与微电子系统兼容,而且制作工艺简单、组装成本低、价格低廉。 (1)半导体气体传感器件的核心材料为气敏层,即非晶ZnTiSnO 薄膜,该材料质量如何直接决定了器件的性能。通过前期预研究,我们设计并合成了具有表面微纳结构的绒面 a-ZnTiSnO 薄膜,如何进一步优化工艺参数,更加提升 a-ZnTiSnO 薄膜高质量,实现精确可控生长,依然是本项目拟解决的关键技术。 (2)气体传感器的实用性在于器件参数的确立,因而,通过系统研究,建立非晶 ZnTiSnO 气体传感器各气敏性能与气体参数之间的定量关系曲线,特别是室温工作条件下的定量关系,是本项目拟解决的关键技术。 (3)为使气体传感器获得广泛应用,器件良好的稳定性至关重要。通过工艺优化、器件设计和封装保护等措施,实现非晶ZnTiSnO 气体传感器的高稳定性和抗干扰性,使器件具有长的使用寿命,也是本项目拟解决的关键技术。制备出高质量非晶 ZnTiSnO 薄膜,具有均匀且均一的表面微纳结构,绒度大于35%;薄膜与衬底附着力大于 21N。非晶 ZnTiSnO气体传感器性能指标:气敏层尺寸 10~300μm,易于集成化;对可燃性气体有高选择性,其中对乙醇的敏感度最高;室温工作条件下,对 100ppm 乙醇的响应度不低于 30;响应时间小于 1.8s,恢复时间小于 1.5s;稳定性好,有效使用寿命不低于3 年。 理论与实验相结合,揭示出 a-ZnTiSnO 气体传感器室温气敏性能和稳定性机理,建立理论模型,阐明器件的耐候性规律。研制出具有实用价值的高品质 a-ZnTiSnO 半导体气体传感器,建立一套非晶 ZnTiSnO 材料生长和器件制备的完整工艺,关键技术拥有自主知识产权。 应用范围:  纳米氧化铜产品广泛应用于各类抗菌、抗紫外线、空气净化产品中,如抗菌保鲜膜、抗菌塑料、抗菌纤维、抗菌整理液、抗菌陶瓷、抗菌地板、抗菌纺织品、防嗮化妆品、室内甲醛治理等产品中。 纳米CuO应用前景 催化剂:主要用于国防领域,作为复合固体推进剂的重要成分,用来调节推进剂燃耗性能。 传感器:纳米氧化铜对外界环境的温度,光,湿气等十分敏感,并且可以提高传感器的响应速度,灵敏度和选择性。 在超导,陶瓷,电极活性材料等领域作为一种重要的无机材料有广泛的应用。 用作玻璃,瓷器的着色剂,光学玻璃磨光剂,有机合成的催化剂,油类的脱硫剂,氢化剂。 用于制造人造宝石及其它铜氧化物,用于人造丝的制造,以及气体分析和测定有机化合物等。 用于饲料中,提高铜的表观消化率。 用于抗菌剂,纳米氧化铜具有清洁,高效,能耗低,污染小,被广泛用于医药,纺织等领域。 用于粒子助力制冷器节能,提高热传递效率。 降低冷冻机油的粘度。 提高烟气脱硝性能。 应用范围: 橡胶工业中硫化活性剂,石油化工行业催化及添加剂,是汽车轮胎、飞机轮胎、工业电缆行业材料以及氧化锌陶瓷; 涂料油漆、透明橡胶、乳胶和塑料行业用,可增加产品强度和致密性、粘合性、光洁度; 抗菌抑菌和除臭材料、医药卫生用杀菌材料、玻璃陶瓷杀菌自洁材料、医药行业杀菌敷料; 电子工业和仪表工业、制造电器件、无线电、无线荧光灯、图像记录仪、变阻仪、荧光体; 军事工业:红外吸收材料。   五、纳米氧化锌分散液 项目 Item 标准 Standard 氧化锌(W/%) ZnO 4% 外观 Exterior 乳白略显黄色易流动液体 Milky white slightly yellow liquid PH 7.2   分散液氧化锌含量可以根据需要在30%以下定制
浙江大学 2021-05-10
磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件
已有样品/nSTT-MRAM 是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构,加工制备难度极大。当前,美韩日三国在该项技术上全面领先,很有可能在继硬盘、DRAM 及闪存等存储芯片之后再次实现对我国100%的垄断。微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的联合团队通过3 年的艰苦攻关,在STT-MRAM 关键工艺技术研究上实现了重要突破,在国内首次采用可兼容CMOS 工艺成
中国科学院大学 2021-01-12
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