一种芯壳型纳米线三维 NAND 闪存器件及其制备方法

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本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件，该存

储器件由芯壳型纳米线作为 NAND 串组成，所述 NAND 串垂直于衬

底。利用芯壳型纳米线作为 NAND 串制作存储器件，不仅使器件的结

构更加简单，也减少了原有器件制作过程中复杂的制造工艺步骤，简

化了制备过程，对降低制造成本有积极作用

试用