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孟春艳
BESM12MC1-PSC10F-S04
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BES516-300-S-135-S4-D
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BES516-324-SA44-C-03
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BES516-324-SA44-C-PU-03
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BESM12MI-PSC20B-S04G
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BES516-324-EO-EO-C-03
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BES516-324-E5-C-S49 已停产
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BESM08MG1-PSC60F-S49G
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BES516-324-S4-C已停产
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BES516-325-E5R-3
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BES516-325-E3R-3
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BES516-367-G-E4-Y-03
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BES516-3007-E2-N03
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BES516-369-G-SA9-PU-2,5
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BES516-324-EO-C-03
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BES516-604-DZ-3
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BESM08MH1-P0C1513-S04G
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BTL5-E10-M0650-P-S32
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BTL5-E10-M0800-P-S32
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BTL5-E10-M0750-K-SR32
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BTL5-F-2814-1S
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BKS-S32M-00
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BESM12MI-PSC20B-S04G
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BKS-S32M-C-00
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BTL5-P-3800-2
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BNS819-B02-D12-61-12-3B
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BNS819-B03-D12-61-12-3B
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BNS819-B03-L12-61-12-3B
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BES516-325-S4-C
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BES516-370-S4-C
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BES113-356-SA31-S4
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BES113-356-SA6-S4
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BES516-326-G-E5-C-S4
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BESM18MI-PSC80B-BV03
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BMF07M-PS-C-2-KPU-03
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BTL5-A11-M0600-P-S32
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BES516-200-S2/1.250-S5
诺冠北京康瑞明科技有限公司孟春艳
2021-08-23
光电对抗仿真平台
电子科技大学
2021-04-10
纳米结构光电器件
中试阶段/n该项目是采用纳米级别的加工制造技术制作具备纳米级尺度并且带有一定功能的光电子器件。纳米光电子器件的工作效率更快，能耗更低，具备强大的信息储存量，且体积和重量明显的变小。随着光电器件在通信、照明、传感器等领域上的运用，纳米光电器件的制备技术已经受到越来越重要的关注。该项目实现了一种低成本、大面积、易操作、高效的纳米结构制备工艺方法，可实现在各种材料表面纳米结构（50-500nm 直径纳米孔、纳
华中科技大学
2021-01-12
新型光电材料与器件
东南大学
2021-04-13
光电效应演示器
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
光电门传感器
响应时间小于10μs，能分别设置三组挡光、透光时间，拥有测量U型、I型挡光片和单摆的工作模式。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
光电传感器
山东格瑞水务有限公司
2021-09-08
高效率高功率密度开关电源的软开关技术
随着技术的发展，对航空航天用开关电源的重量、体积、效率和可靠性提出了更高的要求。为了满足这要求，本项目旨在研究开关电源的软开关技术，以实现开关电源的高效率、高功率密度和高可靠性。
技术特征
1、研究了Buck变换器、Boost变换器、四管Buck-Boost变换器、全桥变换器、谐振变换器等常用开关电源拓扑的软开关技术。
2、提出了适用于第三代宽禁带器件的电力电子变换器的架构，即“预调节器+DCX-LLC谐振变换器”和“DCX-LLC谐振变换器+后调节器”的两级式结构开关电源，以大幅提升开关电源的效率和功率密度。
南京航空航天大学
2021-05-11
高效率高功率密度开关电源的软开关技术
随着技术的发展，对航空航天用开关电源的重量、体积、效率和可靠性提出了更高的要求。为了满足这要求，本项目旨在研究开关电源的软开关技术，以实现开关电源的高效率、高功率密度和高可靠性。技术特征1、研究了Buck变换器、Boost变换器、四管Buck-Boost变换器、全桥变换器、谐振变换器等常用开关电源拓扑的软开关技术。2、提出了适用于第三代宽禁带器件的电力电子变换器的架构，即“预调节器+DCX-LLC谐振变换器”和“DCX-LLC谐振变换器+后调节器”的两级式结构开关电源，以大幅提升开关电源的效率和功率密度。应用范围:项目组将脉冲电源技术的相关研究成果，与中国航天科技集团公司第504研究所、第510研究所、中航工业第614研究所和中国船舶集团公司第704研究所展开密切合作，研发了相应产品，并取得了应用。
南京航空航天大学
2021-04-10
硅基GaN功率开关器件
宽禁带半导体硅基GaN器件以其高效率，高开关速度高工作温度抗辐时等特点,成为当前国际功率半导体器件与技术学科的研究前沿及热点，也是业界普遍认可的性能卓越的下代功率半导体器件。而S基GaN因其S基特性.能够突破新材料在发展初期的成本牦颈且易与S集成电路产业链匹配，因此兼具高性能与低成本的优点在消费电子(如手机快冲与天线充电).数据中心与人工智能，无人驾驶与新能源汽车、5G通信等团家战略新兴领城具有巨大的应用前景。电子科技大学功率集成技术实验室自2008年起即开展硅基GaN功率器件与集成技术研究,围绕硅基GaN两大核心器件:增强型功率晶体管、功率整流器进行基础研究与应用技术开发。解决了增强型功率晶体管阈值电压大范围调控功率二圾管导通电压调控与耐压可靠性加查等关键技术瓶颈,研究成果为硅基GaN的产业化奠定了重要基础。
电子科技大学
2021-04-10