|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
光电式电流传感装置
光电式电流传感器是以磁光法拉第效应为基础，直接或间接对电流进行测试 的装置。与传统电磁式电流传感器相比，具有绝缘性能好，无漏油爆炸危险，不 会产生磁饱和及铁磁共振，频带宽，动态范围大，结构紧凑重量轻，适合继电保 护和谐波检测等优点。但现有的传感装置有很多不足，例如光学元件数量多，导 致系统光路调整复杂，增大了引入误差的几率，且使用石榴石前偏振片增大了整 个器件的体积及成本，不利于系统的高度集成。因此我们研究了一种新型石榴石 电流传感器装置及制备方法，在提高传感器的测量精度，扩大测量范围，解决零 点漂
上海理工大学
2021-01-12
杭州贺兰光电有限公司
杭州贺兰光电有限公司成立于2009年05月27日，注册地位于杭州市西湖区西园路8号4幢404室，法定代表人为张瑜。经营范围包括生产、加工：仪器仪表，光电产品。 批发、零售：仪器仪表，机械设备，光电子元器件及光电产品，通信设备、电子产品（除专控），计算机软硬件，服装，日用百货；服务：机电产品的维修、安装（限现场），机电产品、仪器仪表、光电产品、计算机软件的技术开发、技术服务、技术咨询、成果转让。
杭州贺兰光电有限公司
2021-12-07
智能光电检测系列产品
振幅测量不但可广泛应用于材料的探伤，机械系统的故障诊断，结构件的动态特性分析及振动的有限元计算结果验证，而且在噪声消除以及超声电机的研究中发挥着重要的作用。目前国内外进行振动测量大多采用加速度传感器和激光多普勒测振，但是它们都只能进行单点测量，因而测量速度很慢。近年来，电子散斑振动测量发展很快。大振幅测量系统国内外已有初级产品出售，其价格也非常昂贵。价格高
西安交通大学
2021-01-12
微仪光电（天津）有限公司
微仪光电（天津）有限公司
2022-05-24
创维光电科技（深圳）有限公司
创维光电科技（深圳）有限公司
2022-11-01
光电感烟探测器
产品详细介绍
ExodusOH是一款采用光学与热源多功能结合的烟感探测器，通过热源后增强处理，数字式漂移补偿功能与先进的微处理技术相结合，对快燃性火警具有超强探测灵敏度。同时，精致的光学室具有超强的抗误报能力。适用于：住宅区、办公商务场所或容易发生火警的场所。
北京赢科迅捷科技发展有限公司
2021-08-23
有机光电器件中的薄膜电导率提高机理技术研究
本成果通过有机光电器件中有机薄膜的缺陷态来揭示： 1. 有机半导体薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能级排布或者出现的界面能级钉扎的机理； 3. 缺陷态的存在对器件中载流子传输的影响； 4. 使用有效的有机、无机材料掺杂来极大的提高有机半导体薄膜的电导率。从而获得以有效、简单的使用方法来提高有机光电器件的性能。
扬州大学
2021-04-14
北京维意真空技术应用有限责任公司
北京维意真空技术应用有限责任公司，原名北京科立方真空技术应用有限公司，创立于2013年6月，主体经营分为真空配件销售、真空设备定制、浅蓝纳米科技三个部分，是北京从事真空产品设计、制造、销售、维修、保养于一体的性的公司，公司拥有一支、产品技术工程师和维修技术工程师，具有丰富的行业经验。
公司于2016年初至2017年末，陆续投入大量研发资金，针对等离子增强化学气象沉积设备、原子层沉积设备和高低温真空探针台设备，以及附属配件进行了系统、深入的研发、改进工作。竭尽所能满足高校、研究所的教学、科研使用，同时减少相关进口设备的市场占有率，并力争创造外汇，打出中国创造的名牌!
我们的客户遍布国内各高校和研究院所、部分军工单位和电力试验所、各级的材料、物理、化学、纳米等研究领域的实验室，期待您就是我们的下一位客户、朋友!
您的满意微笑是我们一直努力追求的经营目标!
维意真空，为您服务，唯你成就是我们的宣传口号!
技术创新、服务诚信是我们一直遵循的经营理念!
我们热诚欢迎国内外先进的仪器制造商及科学工作者与我们联系开展各层面的合作,打造成的真空系统产品、等离子体增强化学气相沉积设备、原子层沉积设备和高低温真空探针台设备供应商。
北京维意真空技术应用有限责任公司
2025-04-25
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO<sub>2</sub>薄膜、2)在有 SiO<sub>2</sub>层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO<sub>2</sub>，将光刻的图形转移到 SiO<sub>2</sub>层、4)镀Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微
华中科技大学
2021-04-14
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工 艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO2，将光刻的图 形转移到 SiO2 层、4)镀 Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微米线表面镀一层 ZnO 膜、8)在 Si 微米线表面生长 ZnO 纳米线、9)在 ZnO 纳米线表面制备一层 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 结 构 表 面
华中科技大学
2021-04-14